权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

核融合生成中性子量に対する半導体計測器X線感度特性依存性とその物理機構の解明

阐明半导体仪器的X射线灵敏度特性对核聚变产生的中子数量的依赖性及其物理机制

基本信息

批准号：
16760668
负责人：
小波蔵純子
金额：
$ 2.11万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

n型シリコンに比べ照射後の感度劣化の割合が少ないことが明らかとなったp型シリコンについて、種々の初期基板抵抗値をもつ半導体検出器に対し、前年度に続き総フルエンス量を増大した中性子照射を実施し、X線感度特性の中性子照射量依存性の評価を行った。(i)耐放射線特性に優れたp型半導体について、異なる種々の初期基板抵抗値(即ち、半導体基礎特性を決定する要素である不純物濃度)を持つ検出器に対し、前年度までと同様の手法により引き続き10^<14>n/cm^2以上の中性子照射を行った。これらの検出器について、(ii)シンクロトロン放射光(KEK)を用いたこれまでの研究で確立されたX線解析手法に拠る検出器量子効率変化の評価、また暗電流特性変化の評価を行った。これにより、(iii)初期特性の異なる半導体データの比較を行った。これらは、n型とp型半導体の差異でもある実効的不純物濃度の違いが、これまでの成果で述べた様な、両型が異なる中性子照射依存性示す物理機構の解明にも役立つ。(iv)検出器の空乏層厚の変化については、半導体静電容量-印加電圧特性計測に拠り評価した。以上より、中性子照射量に対する、電荷拡散長、並びに空乏層厚の系統的データセットを収集し特性を評価した。一方で、前年度に続き、(v)P型、並びに5×10^<15>n/cm^2までは使用可能であることを確認しているJETのn型(n型はp型に比べ一般に広く使用されている)について、更に照射量を増やし中性子照射積分量に対するその使用限界を評価することができた。

The sensitivity degradation of the n-type semiconductor detector after irradiation is reduced, and the sensitivity of the p-type semiconductor detector after irradiation is reduced. The initial substrate resistance of the seed semiconductor detector is increased. The sensitivity of the n-type semiconductor detector after irradiation is increased. The dependence of the X-ray sensitivity characteristics on the intermediate sub-irradiation is evaluated. (i)The initial substrate resistance value (i.e. impurity concentration) of p-type semiconductor with excellent radiation resistance characteristics (i.e. impurity concentration, which is the factor determining the basic characteristics of semiconductor) shall be determined by the detector, and the same method shall be adopted in the previous year for intermediate sub-irradiation of 10^<14>n/cm^2 or more. This paper studies the application of KEK in the detector, establishes the X-ray analysis method, evaluates the quantum efficiency change of the detector, and evaluates the dark current characteristic change. (iii) Comparison of initial characteristics and semiconductor characteristics. The difference between n-type and p-type semiconductors is due to the concentration of impurities in the solution, the effect of the impurity concentration on the solution, and the dependence of the impurity concentration on the physical mechanism. (iv)There are many comments on the variation of the depletion layer thickness of the detector and the measurement of semiconductor electrostatic capacity-Inca voltage characteristics. The characteristics of the system with medium sub-irradiation, charge dispersion and depletion thickness are evaluated. In one case, the previous year's N-type,(v) P-type, and N-type 5×10^<15>n/cm^2 may be used. This is confirmed by the use of N-type JET (N-type versus P-type is generally used), and the use of N-type N-type N-type

项目成果

期刊论文数量（5）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Long-term observations of x-ray energy responses of semiconductor detectors after neutron irradiation

中子辐照后半导体探测器X射线能量响应的长期观测

DOI：
发表时间：
2005
期刊：
Photon Factory Activity Report 2004 Vol.22
影响因子：
0
作者：
Shinmura;T. and Arakawa;Y.;T.Cho et al.;安藤利得;三好雅也・新村太郎・荒川洋二;T.Cho et al.;安藤利得;T.Cho et al.;新村太郎・荒川洋二;大林雅俊;J.Kohagura et al.
通讯作者：
J.Kohagura et al.

Recent Progress in the GAMMA 10 Tandem Mirror

GAMMA 10 串联镜的最新进展