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高い分極性を持つ有機ラジカルと遷移金属の結合による空孔を持つ構造の構築とその物性

高い分極性を持つ有機ラジカルと遷移金属の結合による空孔を持つ構造の構築とその物性
高极化有机自由基与过渡金属结合构建空位结构及其物性
批准号:
05J08299
负责人:
太田 明
金额:
$2.11万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2007

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
年度当初より米国テキサス農工大、K.R.Dunbar教授のもとで研究を行った。TCNQ(7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)誘導体がそのシアノ基で結合することで、各種元素イオン(典型金属、遷移金属等)を架橋した高分子錯体を作成した。元素の種類および添加する第三の成分に従って一次元から三次元までのポリマーを単結晶として得た。室温で電場印加により電気抵抗のスイッチング現象を示すCu^I-TCNQは従来単結晶育成が困難とされてきたが、今回新たにCu^<II>の塩を用いる電解法により単結晶育成に成功した。さらにCu-(dibromo-TCNQ)およびTl-TCNQがCu-TCNQと類似の構造を持ち、導電率とその温度変化も類似していることを見出した(室温導電率〜0.1Scm^<-1>)。空孔の形成と磁性および導電性を付与するために、4,4'-bipyridylと遷移金属、TCNQからなる錯体を作成した。既に京都大学、北川進教授のグループがZnイオンを用いた同様の錯体を発表しているが、TCNQが-2価およびσダイマーとなっており、導電性に欠ける。今回作成方法を変更することにより4,4'-bipyridylとZnイオンからなる鎖状構造と、部分還元状態(形式電荷-2/3)にあるTCNQの均一積層カラムが共存する錯体、Zn(4,4'-bipyridyl)(TCNQ)_3(CH_3OH)(H_2O)を得た。錯体中で2/3のTCNQがZnイオンにそのシアノ基で結合している。室温導電率は1.4Scm^<-1>で半導体的挙動を示した。帯磁率の温度変化は50Kに緩やかな極大値を持ち、TCNQカラム内での反強磁性的相互作用を示唆した。最近、Mn^<II>,Fe^<II>,Co^<II>,Ni^<II>,Cu^<II>についても4,4'-bipyridineとTCNQラジカルを含む錯体結晶の合成法を開発した。2,2'-dipylidylamine(2,2'-dpa)は二座の配位子となるシツフ塩基である。Cu^<II>(2,2'-dpa)_2(TCNQ)_2は構造が不明ながらTCNQが銅イオンに配位していると推測され、室温で比較的高い導電率(1Scm^<-1>)を示すことが知られている。本錯体の単結晶を得ると共に銅イオンをその他のイオン(Mn^<II>,Fe^<II>,Co^<II>,Ni^<II>,Zn^<II>)に置換することを試みた。結果として同型構造を持つM(4,4'-bipyridyl)(TCNQ)_3(CH_3OH)(H_2O)(M:Co^<II>,Zn^<II>)を得た。両錯体において金属イオンがTCNQダイアニオンおよびσダイマーで交互に架橋されたジグザグ鎖状構造が見出された。
英文摘要
年度当初より米国テキサス農工大、K.R.Dunbar教授のもとで研究を行った。TCNQ(7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane)誘導体がそのシアノ基で結合することで、各種元素イオン(典型金属、遷移金属等)を架橋した高分子錯体を作成した。元素の種類および添加する第三の成分に従って一次元から三次元までのポリマーを単結晶として得た。室温で電場印加により電気抵抗のスイッチング現象を示すCu^I-TCNQは従来単結晶育成が困難とされてきたが、今回新たにCu^<II>の塩を用いる電解法により単結晶育成に成功した。さらにCu-(dibromo-TCNQ)およびTl-TCNQがCu-TCNQと類似の構造を持ち、導電率とその温度変化も類似していることを見出した(室温導電率〜0.1Scm^<-1>)。空孔の形成と磁性および導電性を付与するために、4,4'-bipyridylと遷移金属、TCNQからなる錯体を作成した。既に京都大学、北川進教授のグループがZnイオンを用いた同様の錯体を発表しているが、TCNQが-2価およびσダイマーとなっており、導電性に欠ける。今回作成方法を変更することにより4,4'-bipyridylとZnイオンからなる鎖状構造と、部分還元状態(形式電荷-2/3)にあるTCNQの均一積層カラムが共存する錯体、Zn(4,4'-bipyridyl)(TCNQ)_3(CH_3OH)(H_2O)を得た。錯体中で2/3のTCNQがZnイオンにそのシアノ基で結合している。室温導電率は1.4Scm^<-1>で半導体的挙動を示した。帯磁率の温度変化は50Kに緩やかな極大値を持ち、TCNQカラム内での反強磁性的相互作用を示唆した。最近、Mn^<II>,Fe^<II>,Co^<II>,Ni^<II>,Cu^<II>についても4,4'-bipyridineとTCNQラジカルを含む錯体結晶の合成法を開発した。2,2'-dipylidylamine(2,2'-dpa)は二座の配位子となるシツフ塩基である。Cu^<II>(2,2'-dpa)_2(TCNQ)_2は構造が不明ながらTCNQが銅イオンに配位していると推測され、室温で比較的高い導電率(1Scm^<-1>)を示すことが知られている。本錯体の単結晶を得ると共に銅イオンをその他のイオン(Mn^<II>,Fe^<II>,Co^<II>,Ni^<II>,Zn^<II>)に置換することを試みた。結果として同型構造を持つM(4,4'-bipyridyl)(TCNQ)_3(CH_3OH)(H_2O)(M:Co^<II>,Zn^<II>)を得た。両錯体において金属イオンがTCNQダイアニオンおよびσダイマーで交互に架橋されたジグザグ鎖状構造が見出された。
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会议论文
Crystal structures and physical properties of (EDO-TTF)_5(BF_4)_3 and (EDO-TTF)_4(Sb_2F_<11>)_<0.85>(H_2O)_4.
(EDO-TTF)_5(BF_4)_3和(EDO-TTF)_4(Sb_2F_<11>)_<0.85>(H_2O)_4的晶体结构和物理性质。
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: Multifunctional Conducting Molecular Materials
影响因子: --
作者: [Y.Yamamoto, R.Fujikawa, T.Umemoto, N.Miyaura, Akira Sakakura, A.Ota]
通讯作者: A.Ota
Infrared and Raman investigations of the charge ordering phenomena in the monoclinic salts k-(BEDT-TTF)_4[M(CN)_6[N(C_2H_5)_4]2H_2O (M=CO^<III>, Fe^<III>)
单斜盐 k-(BEDT-TTF)_4[M(CN)_6[N(C_2H_5)_4]2H_2O (M=CO^<III>, Fe^<III>) 中电荷有序现象的红外和拉曼研究
DOI: --
发表时间: 2006
期刊: Journal of low temperature physics 142
影响因子: --
作者: [Swietlik R., Lapinski A., Polomska M., Ouahab L., Ota Akira]
通讯作者: Ota Akira
Fast photoinduced phase switching in organic conductor crystal : (EDO-TTF)_2PF_6.
有机导体晶体中的快速光致相变:(EDO-TTF)_2PF_6。
DOI: --
发表时间: 2005
期刊: Springer Series in Chemical Physics 79
影响因子: --
作者: [Takaki HASHIMOTO, Yasuhiro TAKAYA, Takashi MIYOSHI, M.Chollet]
通讯作者: M.Chollet
Ultrafast photo-induced metal-insulator transition in 1/4 filled organic crystal (EDO-TTF)_2PF_6.
1/4 填充有机晶体 (EDO-TTF)_2PF_6 中的超快光致金属-绝缘体转变。
DOI: --
发表时间: 2005
期刊: Journal of Physics : Conference Series 21
影响因子: --
作者: [Ogawa, K., Sakakibara, K., Hishida K., Haishi, T., Utsuzawa, S., Ito, K., M.Chollet]
通讯作者: M.Chollet
共 9 条
    J-REITが取得する不動産の質がその投資口価格に与える影響に関する研究
    • 批准号:
      22K20144
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额:
      $1.83万
    • 财政年份:
      2022
    • 负责人:
      太田 明
    • 依托单位:
    低対称で三次元的な有機分子を用いた磁性・伝導体の開発とその結晶構造、物性研究
    • 批准号:
      02J01803
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.92万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      太田 明
    • 依托单位:
    海外基金