高密度3次元実装技術による超高速電子システム構築手法の研究

利用高密度3D封装技术的超高速电子系统构建方法研究

基本信息

项目摘要

コンピュータ等に使用されるCPUのLSIチップはムーアの法則に従って集積度が増大し、その動作周波数はGHzレンジに達している。しかし、その動作周波数に対するコンピュータ等電子機器の体感スピードの増加は徐々に少なくなってきている。これはLSI動作速度の増大に対して、LSIチップ間の接続やLSIパッケージなどのシステム全体の動作周波数が100MHz程度であることから、その動作速度の向上が著しく遅れているためである。その動作速度の向上を妨げる原因として、LSIチップ間接続およびLSIパッケージの配線長や配線遅延の増加や、高周波伝送による損失が原因となっている。そこで本研究では、システム速度向上のために、配線長の縮小のためのミクロンサイズの配線構造を、配線遅延の減少のための低誘電率な絶縁膜材料を、高周波伝送による損失低減のための伝送配線構造を用いたLSIチップ間接続及びLSIパッケージ用接続基板(インターポーザ)を用いて、LSIチップを3次元的に密に積層接続し、非常に短い距離でチップ間を電気接続することで、従来に比べて高速・高周波で動作可能な超高速電子システム技術の開発を行った。はじめに、このインターポーザの設計において、10Gbpsの超高速デジタル信号伝送のための配線構造設計手法の確立を目指し、従来の配線構造とは異なるミクロンサイズの分布定数線路構造を、電磁界解析手法のひとつである、モーメント法による電磁界解析シミュレータを用いて設計を行った。多層微細配線インターポーザ内の伝送線路について、10Gbpレベルの高速信号伝送を可能とする線路設計の最適化を行い、その設計に基づいて試作した多層微細配線インターポーザにより、最大13.5Gbps高速信号伝送の実証に成功した。またさらに、伝送線路の設計において重要なパラメータである絶縁材料の誘電特性を線路形成に使われる薄膜状態で測定評価できる手法の開発を行った。シリコン基板上に測定対象の薄膜絶縁材料を挟み込んだ微小なコンデンサを形成し、その誘電特性をマイクロ波ベクトルネットワークアナライザで複素インピーダンスを測定評価し、その値を用いて電磁界シミュレーションにより、未知の誘電特性を求めるものである。微小コンデンサのインピーダンス計算に縁端効果を考慮することで、精密なコンデンサの特性評価が可能となり、従来測定が困難であった低誘電率特性を有する絶縁材料のマイクロ波周波数領域(最高30GHzまで)の誘電特性について、精密な測定評価が可能となることが分かった。
コ ン ピ ュ ー タ に use さ れ る CPU の LSI チ ッ プ は ム ー ア の law に 従 っ て set product が raised large し, そ の action cycle for は GHz レ ン ジ に da し て い る. し か し, そ の action cycle for に す seaborne る コ ン ピ ュ ー タ electronic machines such as の somatosensory ス ピ ー ド の raised は requirement by xu 々 に less な く な っ て き て い る. こ れ は LSI movement speed の raised large に し seaborne て, LSI チ ッ プ の connect between 続 や LSI パ ッ ケ ー ジ な ど の シ ス テ ム all の action cycle for が degree of 100 MHZ で あ る こ と か ら, そ の の movement speed up が the し く 遅 れ て い る た め で あ る. そ の upward movement speed の を hinder げ る reason と し て, LSI チ ッ プ indirect 続 お よ び LSI パ ッ ケ ー ジ の wiring や wiring 遅 long delay の rights with や, high frequency 伝 send に よ る loss が reason と な っ て い る. そ こ で this study で は, シ ス テ ム speed up の た め に, wiring long narrow の の た め の ミ ク ロ ン サ イ ズ の wiring structure を, wiring 遅 delay の reduce の た め の low rate of induced electric な を never try membrane materials, high frequency 伝 send に よ る low loss reduction の た め の 伝 send wiring for を い た LSI チ ッ プ 続 and indirect び LSI パ ッ ケ ー ジ meet 続 substrate ( イ ン タ ー ポ ー ザ) を い て, LSI チ ッ プ を 3rd dimensional に dense に horizon after 続 し, very short に い distance で チ ッ プ を electricity 気 meet 続 す る こ と で, 従 に than べ て high speed, high frequency で action may な ultra-high speed シ ス テ ム technology の open 発 を line っ た. は じ め に, こ の イ ン タ ー ポ ー ザ の design に お い て, 10 GBPS の ultra-high-speed デ ジ タ ル signal 伝 send の た め の wiring structure design gimmick の establish を refers し, 従 to の wiring と は different な る ミ ク ロ ン サ イ ズ の を destiny circuit structure, the electromagnetic field analytical technique の ひ と つ で あ る, モ ー メ ン ト method に よ る analytical シ electromagnetic field Youdaoplaceholder0 ュレ タを design を lines った with て て. Multilayer micro wiring イ ン タ ー ポ ー ザ within の 伝 send line に つ い て, 10 GBP レ ベ ル の high-speed signal 伝 may send を と す る circuit design の optimization を い, そ の design に base づ い て attempt し た multilayer micro wiring イ ン タ ー ポ ー ザ に よ り, maximum 13.5 Gbps high-speed signal 伝 send の card be に successful し た. ま た さ ら に, の 伝 send line design に お い て important な パ ラ メ ー タ で あ る never try material の induced electrical characteristics を lines form に make わ れ る filminess で measurement evaluation 価 で き る gimmick の open 発 を line っ た. シ リ コ ン substrate に determination as seaborne の film never try material を carry み 込 ん だ tiny な コ ン デ ン サ を し, そ の induced electrical characteristics を マ イ ク ロ wave ベ ク ト ル ネ ッ ト ワ ー ク ア ナ ラ イ ザ で complex element イ ン ピ ー ダ ン ス を measurement evaluation 価 し, そ の numerical を with い て electromagnetic field シ ミ ュ レ ー シ ョ ン に よ り, unknown の induced electrical characteristics を o め る も の で あ る . Tiny コ ン デ ン サ の イ ン ピ ー ダ ン ス computing に try end sharper fruit を consider す る こ と で, precision な コ ン デ ン サ の characteristics evaluation 価 が may と な り, difficulty to determine が 従 で あ っ た low rate of induced electric characteristics を have す る never try material の マ イ ク ロ wave cycle for field (maximum 30 GHZ ま で) の induced electrical characteristics に つ い て, determination of precision な review 価 が may と な Youdaoplaceholder0 る とが points とが った.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Extracting Method of High-Frequency Dielectric Characteristics for Low-k Material Using Micro Thin Film Capacitor
利用微型薄膜电容器提取Low-k材料高频介电特性的方法
Band-Stop Filter Effect of Power/Ground Plane on Through-Hole Signal Via in Multilayer PCB
多层 PCB 中电源/接地平面对通孔信号过孔的带阻滤波器效应
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

青柳 昌宏其他文献

Method for Back-Annotating Per-Transistor Power Values onto #DIC Layouts to Enable Detailed Thermal Analysis
将每个晶体管功率值反向标注到的方法
Investigation of Effects of Metalization on Heat Spreading in Bump-Bonded 3D Systems
研究金属化对凸点接合 3D 系统中热扩散的影响
Sensitivity of the Thermal Profile of Bump-Bonded 3D Systems to Inter-die Bonding Layer Properties
凸点接合 3D 系统的热分布对芯片间接合层特性的敏感性
Investigation of Effects of Die Thinning on Central TSV Bus Driver Thermal Performance
芯片减薄对中央 TSV 总线驱动器热性能影响的研究
Method for Fabricating Microchannels with Photopatternable Adhesives for 3D Integrated Circuits
用可光图案化粘合剂制造3D集成电路微通道的方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Melamed Samson;加藤 史樹;Bui Thanh Tung;根本 俊介;青柳 昌宏
  • 通讯作者:
    青柳 昌宏

青柳 昌宏的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('青柳 昌宏', 18)}}的其他基金

3次元LSIデバイス積層システムにおける放熱を考慮したLSIデバイス設計技術の研
3D LSI器件堆叠系统中考虑散热的LSI器件设计技术研究
  • 批准号:
    14F04917
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.54万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

相似海外基金

システム速度向上のためのLSIパッケージ用微細配線構造作製プロセスに関する研究
LSI封装精细布线结构制造工艺研究以提高系统速度
  • 批准号:
    04J02631
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 1.54万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了