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第一原理電子構造計算による強誘電体表面の研究

使用第一原理电子结构计算研究铁电表面

基本信息

批准号：
05F05655
负责人：
新井正男
金额：
$ 1.09万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2005
资助国家：
日本
起止时间：
2005 至 2006
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05F05655/
关键词：
電子構造第一原理計算窒化物強誘電体

项目摘要

本年度は窒化物(IrN_2,OsN_2)の構造と電子状態を第一原理計算により解析した。これらの物質は、高圧・高温という条件下で新規に合成された化合物である。バルクモジュラスが非常に大きいことから高硬度材料の候補として注目されている。本研究の主題である強誘電体とは少しそれるが、緊急性のある課題として研究を実施した。これらの物質の構造の詳細が実験により判明していないため、まず類似物質をデータベースで検索し、構造モデルを構築した。仮定した構造モデルに対して第一原理計算を実施し、その構造の安定性と電子構造を調べた。その結果、どちらの化合物に対しても安定な構造が得られ、実験で得られたX線回折パターンとラマンスペクトルをよく説明できることから、得られた構造が実際に合成されたものと考えられる。電子構造については、OsN2がフェルミ面付近に擬ギャップを持つ金属、IrN2が小さなギャップを持つ絶縁体になるといことが第一原理計算から予測される。これらの擬ギャップや実際のギャップの起源は、それぞれの構造が持つ特性のために、価電子バンドの一部が結合軌道と反結合軌道に分裂して生じることが、電子密度と状態密度の解析により明らかとなった。誘電体に関しては、Ba_xSr_<1-x>TiO_3というペロブスカイト型化合物について、バルクと表面の構造と電子状態の解析を進めてきた。この研究については今後も解析を進めてゆく予定である。

This year, the asphyxiant (IrN_2,OsN_2) will be used in the first principle calculation and analysis of the electronic state system. The compounds were synthesized under the conditions of high temperature, high temperature and high temperature. It is very important to pay attention to the high hardness materials. The main topic of this study is to carry out the research on the subject of electronic engineering, such as the study of the number of patients and the number of patients with acute diseases. The information system is used to determine the accuracy of the information system, the information system, and the information system. It is determined that in the first principle of calculation, the stability of the electric power plant is calculated, and the stability of the electric machine is built. The results show that the compounds are stable and stable, and the results show that the compounds are stable and stable, and the results show that the compounds are stable and stable, and the results show that the compounds are stable and stable, and the results show that the compounds are stable and stable, and the results show that the compounds are stable and stable. The electronic equipment and OsN2 equipment will be paid in close proximity to the carrier metal, and the small IrN2 system will be used for the calculation of the first principle of calculation. It is necessary to analyze the origin of the device, the source of the device, the characteristic device of the device, the combination of the device and the circuit, and the analysis of the density profile of the device. The analysis of electron state analysis was carried out on the surface of electronic equipment, Ba_xSr_<1-x>TiO_ 3, electron microscope, electron microscope and electron microscope. In the future, we will analyze the progress of the study and predict the future.