充填スクッテルダイト化合物の純良単結晶育成と特異結晶構造の生み出す新物性の解明

填充方钴矿化合物纯单晶的生长以及独特晶体结构产生的新物理性质的阐明

基本信息

  • 批准号:
    05J06393
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2005 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

新奇物性が次々と報告されている充填スクッテルダイト化合物群において、系統的な研究を行うことの意義は大きいが、As系充填スクッテルダイト化合物の研究は試料合成の困難さから、PやSbを含んだ系と比べて遅れていた。私は高圧合成法によりSmFe_4As_<12>の多結晶試料の育成に成功し、39Kで強磁性転移することを明らかにした。更に、近藤効果的な異常を電気抵抗測定において観測し、SmFe_4P_<12>、SmOs_4Sb_<12>、SmRu_4P_<12>の結果と系統的に比較して同様の振る舞いの存在を確認し、Sm系充填スクッテルダイト化合物に共通した機構であることを指摘した。SmFe_4P_<12>は重い電子系強磁性体として注目を集めているが、フェルミ面の決定もなされていない。私はこの物質の電子構造を明らかにするため、ドハース・ファンアルフェン(dHvA)効果、横磁気抵抗効果、ホール効果を用いた研究を行い、4つの新たな知見を得た。(1)第47バンドフェルミ面のサイクロトロン有効質量(m_c^*)が、球状にも関わらず異方的である。この起源は現時点では未解明である。(2)m_c^*の磁場依存性が小さい。この特徴は、同じくSmを基にした充填スクッテルダイト化合物で重い電子強磁性体であるSmOs_4Sb_<12>の電子比熱係数が磁場に鈍感であることと類似しており、これら二つの物質を比較することが極めて重要であることを指摘した。(3)横磁気抵抗の磁場依存性が磁場に対して2乗で増加する振る舞いをすべての磁場方向で観測した。このことは通常の非補償金属の横磁気抵抗では説明がつかない異常である。(4)低温でのホール係数が室温での値と比べて4倍に増加することが明らかになった。これら(3)と(4)の異常は、dHvA効果で観測されていないm_c^*の大きなフェルミ面があることが予想されているという事実を考慮し、2バンドモデルで解析することで、半定量的に理解することができた。
The significance of the study of novel compounds is that it is difficult to synthesize the samples with P and Sb in the system. A new method for preparing SmFe_4As polycrystalline samples by high pressure <12>synthesis was developed. In addition, Kondo's abnormal electrical resistance measurement, SmFe_4P_, <12>SmOs_4Sb_, <12>SmRu_4P_<12>and the results of the comparison, the existence of the same vibration, Sm system filling, the common mechanism of the compound SmFe_4P_<12>heavy electron ferromagnetic material The electronic structure of the material is studied in detail, and new knowledge is obtained. (1)The 47th dimension has the mass (m_c^*), spherical dimension and square dimension. The origin of (2)m_c^* has little dependence on the magnetic field. The characteristics of these compounds are: Sm_4Sb<12>_electron specific heat coefficient; magnetic field sensitivity; similarity; comparison of these two substances. (3)Magnetic field dependence of transverse magnetic field resistance is measured by the magnetic field direction and the vibration direction. This is usually a non-compensating metal with transverse magnetic resistance. (4)The temperature coefficient is 4 times higher than the room temperature coefficient. The abnormal results of (3) and (4) are measured by dHvA. The results of dHvA are measured by m_c^*. The results of dHvA are analyzed by semi-quantitative analysis.

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Specific-Heat Evidence for Octupolar Ordering in SmRu4P12
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  • DOI:
    10.1016/j.physb.2006.01.084
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.8
  • 作者:
    D. Kikuchi;H. Sugawara;H. Aoki;Kenya Tanaka;S. Sanada;Y. Aoki;H. Sato
  • 通讯作者:
    H. Sato
Weakly itinerant ferromagnetism in the filled skutterudite LaFe_4As_<12>:
填充方钴矿 LaFe_4As_<12> 中的弱流动铁磁性:
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Tatsuoka;H. Sato;D. Kikuchi;et. al.
  • 通讯作者:
    et. al.
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi
  • 通讯作者:
    D.Kikuchi
Magnetic anisotropy around the successive two transitions in SmRu_4P_<12>
SmRu_4P_<12> 中连续两个跃迁周围的磁各向异性
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  • 通讯作者:
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  • 影响因子:
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    H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木 勇二;田中 謙弥;桑原 慶太郎;龍岡 翔;池生 剛;齎藤 隆志;菊地 大輔
  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
    2006
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  • 影响因子:
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  • 作者:
    H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木 勇二;田中 謙弥;桑原 慶太郎;龍岡 翔;池生 剛;齎藤 隆志;菊地 大輔;戸田 静香;池生 剛;龍 罔翔;Masafumi Udagawa;D.Tahara;H.Seo;K.Matsuda;D.Phelan;Y.Horibe
  • 通讯作者:
    Y.Horibe
Charge Ordering and Coexistence of Charge Fluctuations in Quasi-two-dimensional Organic Conductors θ-(BEDT-TTF)_2X
准二维有机导体中电荷排序与电荷涨落共存θ-(BEDT-TTF)_2X
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;伊藤 孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木 勇二;田中 謙弥;桑原 慶太郎;龍岡 翔;池生 剛;齎藤 隆志;菊地 大輔;戸田 静香;池生 剛;龍 罔翔;Masafumi Udagawa
  • 通讯作者:
    Masafumi Udagawa

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