紫外パルスレーザーを用いた無機結晶材料の室温合成とナノ機能化

利用紫外脉冲激光进行无机晶体材料的室温合成和纳米功能化

• 批准号: 05J08647
• 负责人: 原 和香奈
• 金额: $ 1.73万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05J08647/
• 关键词: レーザーアブレーション法; 無機結晶材料; 室温合成; 水溶液処理サファイア基板; ポストアニール; ナノ構造形成; 紫外パルスレーザー; ナノパターン; 薄膜; ナノインプリント; ナノ機能化

薄膜作製用のレーザーMBE真空装置を用い、レーザーアブレーション法によって無機結晶薄膜の室温合成および、ナノ構造の作製を行った。以下に内容をまとめる。・セラミックス薄膜の結晶成長や自己組織的なナノ構造形成に及ぼすナノスケール基板表面修飾の効果薄膜成長を行う際に用いる基板の表面構造や化学的性質は、その上に成長する薄膜の微構造や結晶性などに大きな影響を及ぼす。水溶液処理をすることによって得られた化学的性質の異なる表面を有するサファイア基板上に、パルスレーザー堆積(PLD)法によりセラミックス薄膜を作製し、基板表面の化学的性質の違いがセラミックス薄膜の結晶成長、さらにポストアニールによって形成されるナノ構造に及ぼす影響について調べた。成長させる薄膜として、サファイア(0001)基板上に室温でエピタキシャル成長し、ポストアニールによってナノ溝構造が形成される、NiOおよびLiドープNiOを選択した。始めに、水溶液処理サファイナ基板上にPLD法により成膜を行い、NiO薄膜、LiドープNiO薄膜ともに(111)エピタキシャル成長することが分かった。続いて、大気中アニールを行うことにより、ナノ溝構造を作製した。水溶液処理基板を用いることで、未処理基板上よりも低いアニール温度(700〜800℃)で深い溝構造が形成されることが分かり、さらに、水溶液処理基板を用いて作製したナノ溝構造は、溝の深さ分布が小さく明瞭な構造が形成されることが明らかになった。

The thin film is used for use in the MBE vacuum device. The thin film is synthesized at room temperature and the temperature is used to make the film. The following contents are available. The crystal growth of the thin film and the growth of the film on the surface of the substrate, the growth of the film on the surface of the substrate, the chemical properties of the surface of the substrate, the microstructure of the film and the effect on the growth of the film. The surface of the aqueous solution is characterized by the formation of the film on the substrate, the growth of the film on the surface of the substrate, the growth of the film on the surface of the substrate, and the growth of the film on the surface of the substrate. I don't know what to do. I don't know. I don't know. I don't know what to do. The growth temperature of the thin film, the temperature of the substrate (0001), the temperature of the substrate, the temperature of the film, the temperature of the substrate (0001), the temperature of the film, the temperature of the substrate (0001), the temperature of the substrate, the temperature of At the beginning and in the aqueous solution, the PLD method is used to form the film, the NiO film, the Lithium NiO film, and the growth temperature of the film. In the middle of the day, in the middle of the house, in the middle of the house. The base plate of the aqueous solution is used to make the substrate, the temperature of the substrate is low, the temperature is 700 ℃, 800 ℃, 800 ℃, 800 ℃, 800 ℃.

项目成果

Control of Nano-Step Structures on Sapphire Wafer Surface by Focused Ion Beam Processing

• DOI: 10.2109/jcersj.113.478
• 发表时间: 2005
• 期刊: Journal of the Ceramic Society of Japan
• 影响因子: 1.1
• 作者: Atsuko Takeuchi;T. Kotaki;K. Koyama;K. Sunakawa;Y. Yaguchi;Yoshinori Matsui;M. Murasugi;S. Seki;S. Tagawa;W. Hara;M. Yoshimoto

Room-temperature growth of AlN/TiN epitaxial multi-layer by laser molecular beam epitaxy

激光分子束外延室温生长AlN/TiN外延多层膜

• 发表时间: 2007
• 期刊: Thin Solid Films (in press)
• 作者: Miao Zhang;・広川 二郎・安藤 真;Wakana Hara;Wakana Hara;Wakana Hara
• 通讯作者: Wakana Hara

Nanoscale growth control of functional thin films on atomically surface-controlled substrates by laser MBE

利用激光 MBE 对原子表面控制基底上的功能薄膜进行纳米级生长控制

• 发表时间: 2008
• 期刊: Proc. Of SPIE Vol. 6879
• 作者: W. Hara;M. Yoshimoto
• 通讯作者: M. Yoshimoto

Room-temperature Epitaxial Growth and In Situ CAICISS Surface Analysis of Wurtzite-type Epitaxial Thin Films

纤锌矿型外延薄膜的室温外延生长和原位 CAICISS 表面分析

• 发表时间: 2005
• 期刊: Nuclear Instruments and Methods in Phys.Res.(B) 232
• 作者: A. Sasaki;W. Hara;M. Yoshimoto;et al.;Atsushi Sasaki;Atsuko Takeuchi;Osami Sakata;Atsushi Sasaki;Atsushi Sasaki
• 通讯作者: Atsushi Sasaki

Surface modification of silicate glasses by nanoimprint using nanostriped NiO thin film molds

• DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.10.002
• 发表时间: 2007-03
• 期刊: Applied Surface Science
• 影响因子: 6.7
• 作者: S. Akiba;W. Hara;Takahiro Watanabe;A. Matsuda;M. Kasahara;M. Yoshimoto