Metallic nanowires in ultra high vacuum at low temperatures: growth and electronic transport
低温超高真空金属纳米线:生长和电子传输
基本信息
- 批准号:5346039
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2001
- 资助国家:德国
- 起止时间:2000-12-31 至 2005-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Metallische Leiter in atomaren Dimensionen zeigen besonders bei tiefen Temperaturen unerwartete Eigenschaften. Fehlerfreie epitaktische, d.h. periodisch geordnete Monolagen im Ultrahochvakuum bieten die besten Voraussetzungen für grundlegende Untersuchungen der Leitungsmechanismen. Nach den ausführlichen Experimenten mit zwei-dimensionalen Monolagen auf fehlerfreien Unterlagen sollen Nanoleiterstrukturen und einzelne Nanodrähte im UHV bei tiefen Temperaturen hergestellt und als Modellsysteme für die Leitfähigkeit wohlgeordneter eindimensionaler metallischer Leiter untersucht werden. Durch Aufdampfen auf gestufte Unterlagen im Ultrahochvakuum sollen diese Leiter auf Breiten weniger Nanometer hergestellt und bei tiefen Temperaturen in bezug auf Leitfähigkeit, Magnetoleitfähigkeit und Halleffekt untersucht werden. Diese Untersuchungen sollen Aufschluß über den Leitungsmechanismus in wohlgeordneten und in bezug auf Fehler wohldefinierten eindimensionalen metallischen Leitern liefern und insbesondere Effekte der Quantisierung und der Lokalisierung zeigen. Sie tragen damit auch zur Entwicklung der Technologie der Halbleiterbauelemente mit Nanostrukturen bei, da sie Grenzen der Verkleinerung und Möglichkeiten neuer Strukturen aufzeigen können.
原子尺寸中的金属雷特 (Metallische Leiter) 与温度 (Temperaturen unerwartete Eigenschaften) 不同。 Fehlerfreie epitaktische,d.h.周期性的地质单子在超真空状态下是最好的,以了解机械装置的基本原理。 Nach den ausführlichen Experimenten mit zwei-Dimensionen Monolagen auf fehlerfreien unterlagen sollen Nanoleiterstrukturen und einzelne Nanodrähte im UHV bei tiefenTemperaturen hergestellt und als Modellsysteme for die Leitfähigkeit wohlgeordneter einDimensioner Metallischer Leiter untersucht werden。在超真空状态下,纳米级温度和温度将在超真空状态下进行。在此基础上,我们将探讨机械设计中的机械装置及其在金属尺寸定义中的作用,以及量化和局部化效果的影响。 Sie tragen damit auch zur Entwicklung der Technologie der Halbleiterbauelemente mit Nanostrukturen bei, da sie Grenzen der Verkleinerung und Möglichkeiten neuer Strukturen aufzeigen können。
项目成果
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