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自律的温度制御用無機膜の開発

开发用于自主温度控制的无机膜

基本信息

批准号：
17686065
负责人：
野村幹弘
金额：
$ 17.39万
依托单位：
Shibaura Institute of Technology (2006-2007)The University of Tokyo (2005)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2005
资助国家：
日本
起止时间：
2005 至 2007
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17686065/
关键词：
ゼオライト膜 CVD処理対向拡散法アモメファスシリカ粒界ヘキシルトリメトキシシランデシルトリメトキシシランパラメータフィッティングアモルファスシリカテトラケイ酸オルトメチルゼオライト温度振動製膜メカニズムガス透過アルミナ多孔質 CVD シリカプリカーサー

项目摘要

ゼオライト膜の粒界制御のためのCVD処理条件を確立する。昨年度示唆された、大きなシリカプリカーサー(デシルトリメトキシシランなど)の蒸着条件を中心に検討した。この時、ゼオライトではなくアルミナ支持体などへの蒸着により、反応性などを調べた。アルミナ支持体への蒸着より、デシルトリメトキシシランなどアルキル基をもつシリカ源は、アルキル鎖の長さが長くなることで反応性が向上することがわかった。さらに、窒素やSF_6などガス透過試験に加え、エタノール水溶液のパーベーパーレーション試験も行った。結晶間隙と結晶中のエタノール透過のパラメータフィッテングを行った。デシルトリメトキシシランをシリカ源としたCVD処理では、粒界透過のパラメータが小さくなり、ヘキシルトリメトキシシランでは全体の透過抵抗が大きくなった。ヘキシルトリメトキシシランでは、反応性が悪いためか、膜表面などに抵抗層が形成されている可能性が示唆された。以上より、長いアルキル基をもつデシルトリメトキシシランをシリカ源に用いることが良いことがわかった。また、本研究ではメタノールのオートサーマル改質反応であり、水蒸気の透過により目的の温度で制御することを目指している。シミュレーション結果より、酸化反応と水蒸気改質反応のバランスを取るには、酸化反応の制御および水蒸気改質反応の促進が重要であることが示された。特に、水蒸気改質反応の触媒量が計算結果に大きな影響を及ぼすことがわかった。

The CVD process conditions for the formation of thin films were established. Last year's show was a big one, and the conditions were discussed. The time, the color, the color of the support, the color of the vapor, the color of the ink, the color of the ink. The support body is steamed, the support body is stored, and the support body is stored. In addition, SF_6 can be used as a solvent in the preparation of aqueous solutions. Crystallization gap in the crystal through the process The CVD process is a process of transmission resistance. The possibility of forming a resistance layer on the surface of the film is shown. In order to improve the quality of the products, we should pay attention to the quality of the products. This study is aimed at improving the quality of water and controlling the temperature of water vapor transmission. The results show that acidification reaction and water vapor modification reaction are very important. The calculation results of catalyst amount of special and water vapor modification reaction have great influence on the reaction and reaction.