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電場・磁場・光に応答する金属錯体液晶の構築および物性評価

响应电场、磁场和光的金属络合物液晶的构建和物理性能评估

基本信息

批准号：
17750130
负责人：
速水真也
金额：
$ 2.37万
依托单位：
Hiroshima University (2006)Kyushu University (2005)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2005
资助国家：
日本
起止时间：
2005 至 2006
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究はナノデバイス化を視野に入れて、光応答性を有する光スイッチング分子に注目した。ここで動的電子状態(スピンクロスオーバー錯体、混合原子価錯体、磁性体、伝導体など)を有する金属錯体液晶をターゲットとして、それらの電子状態を光で制御できる物質すなわち光スイッチング分子の誘電率を光で制御すること、あるいは強誘電-常誘電の光スイッチングを可能にすることを目的として研究を行った。光誘起強誘電体を開発するために現在まで見出してきた光スイッチング化合物をターゲット分子としてLIESST現象を誘電率でディテクトすることを考案した。その結果光によるスピン転移に伴った構造変化を電場でディテクトすることが可能であり、誘電率の光スイッチングを制御することに成功した。さらにサーモクロミズムおよびフォトクロミズムを示す化合物に着目した。この化合物は、低温相に比べて高温相のほうがより大きなダイポールをし。この化合物はサーモクロミズムを示す温度領域で誘電率の変化が著しく大きく増大し強誘電的性質を示していることがわかった。今後これに起因してサーモクロミズムあるいはフォトクロミズムに随伴した分子デバイスの開発に期待することができる。そして金属錯体液晶として、低スピン状態では固体状態であり、温度の上昇に伴ってスピンクロスオーバー挙動を示す金属錯体液晶を開発した。この金属錯体液晶は、高スピン状態になると液晶状態でありさらには強誘電性を発現するカイラルスメクチックC相であり、強誘電性金属錯体液晶の開発に成功した。この錯体は鉄(II)スピンクロスオーバー金属錯体液晶で、しかも強誘電性を示すことを明らかにした。

This study focuses on the field of vision, optical response, and molecular development. The purpose of this study is to investigate the electronic state of metal complex liquid crystal (metal complex liquid crystal, mixed atom complex liquid crystal, magnetic material, conductor), which is in motion, and the electronic state of the substance, which is in motion, and the electronic state of the substance, which is in motion, and the electronic state of the molecule, which is in motion, and the electronic state of the substance, which is in motion, and the electronic state of the substance, and the electronic state of the substance, which is in motion, and the electronic state of the substance. The photoinduced electroporation phenomenon has been investigated in the presence of photoinduced compounds. The result is that the structure of the electric field is changed, and the electric field is changed. This is the first time that a chemical compound has been identified. These compounds are more complex than those in the low temperature phase. The change in the inductivity of these compounds in the temperature domain shows that they increase in intensity. In the future, the cause of this disease is expected to be the development of molecular diseases. The metal dislocation liquid crystal is in the solid state, and the temperature rises with the temperature change. The metal dislocation liquid crystal has been successfully developed in the high temperature state and the liquid crystal state. The metal dislocation liquid crystal has strong inductive properties.