パワーエレクトロニクス材料のフェムト秒レーザー加工と物性評価
电力电子材料的飞秒激光加工及物性评价
基本信息
- 批准号:17760056
- 负责人:
- 金额:$ 2.18万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2005
- 资助国家:日本
- 起止时间:2005 至 2006
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
昨年度の結果をもとにレーザー誘起ナノ周期(リップル)構造の生成メカニズムの解明と物性分析を引き続き行った.リップル構造生成メカニズムについては照射波長程度の周期を持つ"粗い(coarse)リップル"の生成閾値が試料表面粗さの影響を受けないのに対して,照射波長の数分の一の周期をもつ"細かい(fine)リップル"の生成閾値は表面粗さの影響を大きく受けることを明らかにした.この結果は細かいリップル構造の生成はフェムト秒レーザー照射によって生成される光励起キャリアの局在化によって引き起こされているが,粗いリップルの生成は光励起キャリアの局在化には依存しないということを示唆しているものであると考えている.さらに,シリコンカーバイドにおけるリップル構造のラマン分光測定を昨年よりも高空間分解能,高検出感度で行い,細かいリップルと比較して粗いリップルではアモルファスシリコンやアモルファスカーボンのピークがアモルファスシリコンカーバイドのピークよりも相対的に強く,レーザー照射による原子結合の乖離が粗いリップルにおいてより強く起こっていることを示唆する結果を得た.さらにラマン分光分析で得られた成果をより微視的な観点から議論するため,リップル構造を断面方向に切り出した試料を収束イオンビーム法で作製し,透過型電子顕微鏡観察を行った.その結果,リップル構造にはアモルファス相,ひずみを伴う層,無欠陥シリコンカーバイド単結晶が表面から結晶内部に向かって存在していることが明らかになった.さらに,アモファス相の厚さは約50nmであり,この値はラマンスペクトルのピーク強度から吸収係数を考慮して概算した値とほぼ一致することも明らかになった.
Yesterday's annual results の を も と に レ ー ザ ー induced ナ ノ cycle (リ ッ プ ル) tectonic の generated メ カ ニ ズ ム の interpret と property analysis を lead き 続 き line っ た. リ ッ プ ル structure generated メ カ ニ ズ ム に つ い て は level の irradiation wavelength を hold つ crude い "(coarse) リ ッ プ ル" の generating threshold numerical が sample surface coarse さ の を by け な い の に し seaborne て, irradiation wavelength の の a number of points の cycle を も つ fine "か い (fine) リ ッ プ ル" の generating threshold numerical は surface coarse さ の を affected き く by け る こ と を Ming ら か に し た. こ の results は か い リ ッ プ ル tectonic の generated は フ ェ ム ト seconds レ ー ザ ー irradiation に よ っ て generated さ れ る excitation light up the キ ャ リ ア の bureau in turn に よ っ て き Up こ さ れ て い る が, coarse い リ ッ プ ル の generated は excitation light up the キ ャ リ ア の bureau in turn に は dependent し な い と い う こ と を in stopping し て い る も の で あ る と exam え て い る. さ ら に, シ リ コ ン カ ー バ イ ド に お け る リ ッ プ ル tectonic の ラ マ ン spectral photometry を yesterday in よ り も high spatial decomposition can, high 検 out sensitivity で い, fine か い リ ッ プ ル と compare し て coarse い リ ッ プ ル で は ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン や ア モ ル フ ァ ス カ ー ボ ン の ピ ー ク が ア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン カ ー バ イ ド の ピ ー ク よ り も phase of seaborne に く, レ ー ザ ー irradiation に よ る atoms の stays が coarse い リ ッ プ ル に お い て よ り strong く up こ っ て い る こ と を in stopping す る results を た. さ ら に ラ マ で ン spectral analysis to ら れ た results を よ り micro visual な 観 point か ら comment す る た め, リ ッ プ ル を section direction に り cutting out し た sample を 収 beam イ オ ン ビ ー し で ム method as a system, through the line type electronic 顕 micro mirror 観 examine を っ た. そ の results, リ ッ プ ル tectonic に は ア モ ル フ ァ ス phase, ひ ず み を companion う layer, no owe 陥 シ リ コ ン カ ー バ イ ド 単 crystal が surface か ら crystallization internal に to か っ て exist し て い る こ と が Ming ら か に な っ た. さ ら に, ア モ フ ァ ス の thick さ は about 50 nm で あ り, こ の numerical は ラ マ ン ス ペ ク ト ル の ピ ー ク strength か ら 収 absorption coefficient を consider し て estimate し た numerical と ほ ぼ consistent す る こ と も Ming ら か に な っ た.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Spin injection processes in ZnSe-based double quantum dots of diluted magnetic semiconductors
稀磁半导体 ZnSe 基双量子点的自旋注入过程
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Tomita;et al.
- 通讯作者:et al.
Femtosecond Laser-Induced Ripple Structures in Semiconductor Materials
半导体材料中的飞秒激光诱导波纹结构
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Tomita;et. al.
- 通讯作者:et. al.
Laser Microfabrication of Photoresist Rod Array Using a Microlens Array
使用微透镜阵列激光微加工光刻胶棒阵列
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Sasaki;S.Takashima;M.Hori;T.Tomita et al.;S.Matsuo et al.
- 通讯作者:S.Matsuo et al.
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富田 卓朗其他文献
4H-SiCホモエピタキシャル膜におけるコメット欠陥の深紫外顕微ラマン分光法による解析
深紫外显微拉曼光谱分析4H-SiC同质外延薄膜中的彗星缺陷
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- 发表时间:
2005 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
富田 卓朗;ほか - 通讯作者:
ほか
SiC単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質を応用したNi電極の作製
SiC单晶表面飞秒激光辐照诱导改性制备Ni电极
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
水尾 優作;渕上 裕暉;久澤 大夢;富田 卓朗;岡田 達也 - 通讯作者:
岡田 達也
フェムト秒レーザ照射誘起改質を応用したNi/SiC界面における電極形成
使用飞秒激光辐照诱导改性在 Ni/SiC 界面形成电极
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
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岡田 達也
p-GaN上オーミック電極形成のためのフェムト秒レーザー照射方法の検討
p-GaN欧姆电极飞秒激光辐照方法研究
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
片山 裕之;川上 博貴;今垣 諒彌;橋本 拓哉;山口 誠;田中 康弘;直井 美貴;岡田 達也;富田 卓朗 - 通讯作者:
富田 卓朗
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ナノ構造中に閉じ込められたスピン配列の光学的制御
限制在纳米结构中的自旋排列的光学控制
- 批准号:
15740175 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 2.18万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)














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