ハーフメタル強磁性体-カーボンナノチューブ接合の作製とスピン状態検出プローブ応用
ハーフメタル強磁性体-カーボンナノチューブ接合の作製とスピン状態検出プローブ応用
批准号:
17760267
负责人:
松田 健一
金额:
$2.3万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2006
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本研究では、ハーフメタル強磁性体として注目されているコバルト系ホイスラー合金と、カーボンナノチューブを組み合わせることにより、優れた空間分解能を有するスピン検出プローブを創出することを目的とした。またこのプローブは、微小物質に対し高効率な電子スピン注入を行なうことの出来るスピン注入素子としても利用できるため、近年盛んに研究されているスピントロニクス分野での応用が期待されるものである。これまでの研究で、コバルト系ホイスラー合金が酸化マグネシウム基板上に単結晶成長し、かつ結晶構造が理想的なL21構造になる条件が見出されている。これを踏まえ本年度は1.コバルト系ホイスラー合金のハーフメタル特性を、物性と結晶構造との関連から明らかにする。2.コバルト系ホイスラー合金を強磁性電極に、また酸化マグネシウムを絶縁障壁層に用いた単結晶強磁性トンネル接合を作製し、高いスピン偏極率による高トンネル磁気抵抗効果を実証すること。3.カーボンナノチューブにコバルト系ホイスラー合金電極を接合しその伝導特性を調べること。をおこなった。その結果、合金組成が正確にCo2XYという比率に近づくにつれて大きな自発磁化を持つことを確認し、また結晶構造がL21に近づくほどその特性がさらに強まることも確認した。強磁性トンネル接合では、室温で100%に及ぶ高いトンネル磁気抵抗比を得ることにも成功した。これらの成果により論文雑誌発表21件、国際会議発表16件(うち招待講演3件)、国内学会発表22件を行なうことができた。
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Epitaxial growth of Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al Heusler alloy thin films on MgO(001) substrates by magnetron sputtering
磁控溅射在MgO(001)基底上外延生长Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al Heusler合金薄膜
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
J. Crystal Growth 286
影响因子:
--
作者:
[K.-i.Matsuda, T.Kasahara, T.Marukame, T.Uemura, M.Yamamoto]
通讯作者:
M.Yamamoto
DOI:
10.1063/1.2170980
发表时间:
2006-04-15
期刊:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子:
3.2
作者:
[Ishikawa, T, Marukame, T, Yamamoto, M]
通讯作者:
Yamamoto, M
Effect of a MgO interlayer on the structural and magnetic properties of Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al thin films epitaxially grown on GaAs
MgO中间层对GaAs外延生长Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al薄膜结构和磁性能的影响
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Journal of Applied Physics 101
影响因子:
--
作者:
[伊丹恒平, 酒井正俊, 飯塚正明, 中村雅一, 工藤一浩, T.Marukame, T.Ishikawa, T.Marukame, H.Kijima, T.Uemura, T.Yano]
通讯作者:
T.Yano
Fabrication of exchange-biased epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al thin film
Heusler合金Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al薄膜交换偏置外延磁隧道结的制备
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
J. Magn. Magn. Mater. (In Press)
影响因子:
--
作者:
[Bayle, J., Lopez, S., Iwai, K., Dubreuil, P., De Sepulveda, P., T. Ishikawa]
通讯作者:
T. Ishikawa
マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
磁控溅射法Heusler合金Co_2Cr_<0.6>Fe_<0.4>Al薄膜外延生长及磁性能评价
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
日本応用磁気学会誌 29巻・9号
影响因子:
--
作者:
[T.Uemura T, M.Yamamoto, GOTO Kazutoshi, 笠原貴志]
通讯作者:
笠原貴志
共 24 条
中学生が多様な生物を継続的に育て観察できる理科教材の開発-ミニビオトープの活用-
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批准号:16H00202
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.16万
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财政年份:2016
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负责人:松田 健一
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依托单位:
理科学習における評価の手段としての積極的なパフォーマンステストの活用
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批准号:18906044
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.19万
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财政年份:2006
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负责人:松田 健一
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依托单位:
総合的な学習の時間で取り組む環境教育へ理科教育のかかわと役割
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批准号:16907061
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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资助金额:$0.19万
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财政年份:2004
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负责人:松田 健一
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依托单位:
中学生の生物概念における擬人化的観点
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批准号:11907087
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.15万
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财政年份:1999
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负责人:松田 健一
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依托单位:
擬一次元導体3セレン化ニオブにおける電荷密度波の自己組織化臨界現象の解明
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批准号:96J01114
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1998
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负责人:松田 健一
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依托单位:
人工心臓用ラジアル浮上モータの設計と制御に関する研究
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批准号:09919018
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.15万
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财政年份:1997
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负责人:松田 健一
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依托单位:
セルフセンシング・ロバスト磁気浮上制御の研究
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批准号:06919016
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.13万
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财政年份:1994
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负责人:松田 健一
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依托单位:
画像処理による高精度位置決め機構の開発と応用
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批准号:01918019
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额:$0.14万
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财政年份:1989
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负责人:松田 健一
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依托单位:
海外基金