LSI情報処理回路と集積化したMEMSナノプローブによる放電電荷分布の高精細測定

使用集成LSI信息处理电路的MEMS纳米探针高精度测量放电电荷分布

基本信息

  • 批准号:
    17760274
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2005 至 2006
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

大規模集積回路(VLSI)と微小機械構造(MEMS)とは,別々の独立した分野として研究開発され,多くの産業を生み出してきた.MEMSは回路との集積化が容易であると長年言われてきているが,実際には数えるほどしか応用例が報告されていない.また,VLSI研究は回路技術やトランジスタ作製技術についての研究のみで,異種材料や異種デバイスとの融合はこれまで考えられてこなかった.以上の流れをふまえ新しい研究の潮流を生み出すべく,申請者は,VLSIとMEMSとを合成することで,それぞれ単体では実現不可能であった高度な機能を実現する,集積化マイクロシステムの研究を行なっている.本申請では,その一例として,アレイ状のナノプローブをMEMS技術によって作製し,電荷量を測定するVLSIと組みあわせて集積化システムを構成し,沿面放電を起した表面の電荷分布を従来の10倍以上(1pm〜10μmの空間解像度)で精密に測定する応用を試みている。本年度は前年度のプロセス開発成果「輪郭描画法によるナノ開口・大開口同時描画エッチング技術」を改良し、成果を学会誌論文二本にまとめて公表するとともに、同技術を利用して光フィルタデバイス、MEMSアクチュエータデバイスを試作、成果を学会誌論文二本で公表した。また、絶縁体上に測定回路を集積化する新技術として、シリコーンゴム上にSOI(Silicon on Insulator)LSIを接着してベース基板をエッチングする技術を開発し、作製したトランジスタが大きく性能を落とすことなく動作することを確認し、MEMS界で最も権威のある国際学会「MEMS2007」にて発表した。2年間にわたるこれらの作製プロセス基礎開発の成果を利用して、SOI基板上にシリコン電極を作製し、700V程度の電位差を与えることで電極間に沿面放電が再現性良く発生することに成功し、電気学会全国大会にて発表した。このように、ナノ計測電極と放電電極を同時に作りこむことができる技術が本助成により完成し、さらなる発展として集積化電極による測定システムを構築助成期間としては終了した後も実験を継続的に実施中である。
Large Scale Integrated Circuits (VLSI) and Micro Mechanical Structures (MEMS) have been developed independently, and many industries have emerged.MEMS circuits and integration have been easy to develop over the years, but in fact they have been reported on in many cases. VLSI research loop technology and manufacturing technology research and development, heterogeneous materials and heterogeneous materials fusion research and development. The trend of new research in the above fields is emerging, and the applicant is trying to integrate VLSI and MEMS research into the future. This application provides an example of a MEMS technology for the measurement of electrical charge, VLSI assembly, and integration, and an attempt to accurately measure electrical charge distribution along the surface at a spatial resolution of 1pm to 10μm. This year, compared with the previous year, the research and development results of "Wheel Drawing Method" and "Large Opening and Simultaneous Drawing Technology" were improved, and the results were reported in two academic papers. The same technology was used in the trial operation and results of the two academic papers. New technologies for integration of on-board measurement circuits are developed, manufactured, and integrated on SOI(Silicon on Insulator)LSI substrates. MEMS2007 is the world's most powerful MEMS technology. During the past two years, the results of basic development of silicon substrate were successfully utilized, and the potential difference between silicon substrate and silicon substrate was 700V, and the surface discharge between silicon substrate and silicon substrate was successfully generated. The measurement electrode and the discharge electrode are simultaneously used for the construction of the auxiliary system, and the development of the auxiliary system is carried out.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Contour Lithography Methods for DRIE Fabrication of Nanometre-Millimetre-Scale Coexisting Microsystems
用于 DRIE 制造纳米-毫米级共存微系统的轮廓光刻方法
SOIウェハ上における沿面放電現象
SOI晶圆上的沿面放电现象
Silicon on PDMS' : SOI Extra Thin Active Layer Transfered to Organic Film for Flexible Applications
PDMS 上的硅:SOI 超薄有源层转移至有机薄膜以实现灵活应用
Design, fabrication, and control of MEMS-based actuator arrays for air-flow distributed micromanipulation
  • DOI:
    10.1109/jmems.2006.879378
  • 发表时间:
    2006-08-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.7
  • 作者:
    Fukuta, Yamato;Chapuis, Yves-Andre;Fujita, Hiroyuki
  • 通讯作者:
    Fujita, Hiroyuki
A Contour-Lithography-Method for Rapid and Precise Deep-Etched Nano-MEMS Structure Fabrication
一种用于快速、精确深蚀刻纳米 MEMS 结构制造的轮廓光刻方法
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三田 吉郎其他文献

モノリシック集積多層電極による細胞電気回転測定の垂直位置制御
使用单片集成多层电极进行细胞电旋转测量的垂直位置控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    槌屋 拓;岡本 有貴;Moslonka Charles;Lin Yu-Sheng;Tsang Sung;Marty Frederic;水島 彩子;Sun Chen-li;Wang Hsiang-Yu;Francais Olivier;Le Pioufle Bruno;三田 吉郎
  • 通讯作者:
    三田 吉郎
モノリシック高電圧駆動回路集積CMOS-MEMS 電気浸透流マイクロポンプ
单片高压驱动电路集成CMOS-MEMS电渗流微型泵
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岡本 有貴;良尊 弘幸;藤本 興治;大場 隆之;三田 吉郎
  • 通讯作者:
    三田 吉郎
2 段階パラメータランピングによる高アスペクト垂直深掘りトレンチの作製
通过两步参数渐变制造高纵横比垂直深沟槽
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    栗山 大成;ルブラッスール エリック;平川 顕二;岩瀬 正幸;小笠原 宗博;依田 孝;三田 吉郎
  • 通讯作者:
    三田 吉郎
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宇佐美 尚人;太田 悦子;肥後 昭男;百瀬 健;三田 吉郎
  • 通讯作者:
    三田 吉郎
誘電体ナノメンブレンからの真空紫外第三次高調波発生における材料・膜厚依存性
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  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小西 邦昭;赤井 大輔;三田 吉郎;石田 誠;湯本 潤司;五神 真
  • 通讯作者:
    五神 真

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サブテラヘルツ電磁波利用を拓く高出力・高集積z軸集積回路の設計試作学術基盤の構築
建立一个用于设计和原型设计高输出、高度集成的 z 轴集成电路的学术平台,这将开辟亚太赫兹电磁波的使用
  • 批准号:
    24H00307
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
知覚情報処理回路の配線爆発を解消するMEMS融合型VLSI
MEMS 集成 VLSI 可消除传感信息处理电路中的接线爆炸
  • 批准号:
    15760236
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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