Bサイトスピネル硫化物における強磁場下量子振動測定によるフェルミ面研究

利用强磁场下 B 位尖晶石硫化物量子振荡测量进行费米表面研究

• 批准号: 06J05179
• 负责人: 岡田 宏成
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06J05179/
• 关键词: スピネル硫化物; dHvA振動; フェルミ面; 電荷密度波; 単結晶; スピネル化合物

本研究で育成された純良試料を用いることで、CuV_2S_4は高圧力の印加によって、金属的伝導から半導体的伝導へと変化し、8GPa付近で金属-半導体転移を示すことが明らかとなった。通常の金属では圧力の印加は金属性を強める働きをするため、得られた結果はCuV_2S_4が示す伝導現象が極めて異常であることを示しており、常圧下で示す電荷密度波転移によって形成されるギャップ構造との関連性が示唆される。実際に、本研究で得られた純良単結晶によって、常圧下で状態密度にギャップ的構造が形成されることを光電子分光実験によって観測した。このギャップ的構造の形成を実験的に観測したのは本研究が初めてである。このギャップ的構造の形成を詳細に調べるため、CuTi_2S_4とCuV_2S_4単結晶の更なる高純度化と大型化に取り組み、ドハースファンアルフェン(dHvA)振動測定、シュブニコフドハース(SdH)振動測定を行った。単結晶は化学輸送法において輸送剤を調整することにより純良化されるが、純良化に伴い単結晶の大きさが減少する。大型でかつ純良な単結晶を育成するため、様々な輸送剤や単結晶育成方法を試みたが、量子振動測定が可能なほどの純良な大型単結晶を育成することができなかった。試料の純度や装置の感度が不十分である可能性も考えられるが、相関の強い物質であるため、より低温での強磁場下量子振動測定が必要であると考えられる。

In this study, pure samples were developed for high pressure applications such as CuV_2S_4, metal-semiconductor transition, and metal-semiconductor transition near 8GPa. In general, the metal has a strong resistance to pressure, and the results show that CuV_2S_4 is a conductive phenomenon, and the charge density wave shift is formed under normal pressure. In fact, this study has been carried out to determine the structure of pure crystal and state density under normal pressure. The formation of the structure of this paper is a preliminary study. The structure of CuTi_2S_4 and CuV_2S_4 crystals was adjusted in detail, and the structure of CuTi_2S_4 and CuV_2S_4 crystals was optimized for high purity and large size. The vibration measurement of CuTi_2S_4 and CuV_2S_4 was carried out. Single crystal method in the transport of adjustment, purification, accompanied by single crystal reduction Large scale pure crystal breeding, transportation, crystal breeding method, quantum vibration measurement, large scale pure crystal breeding The purity of the sample and the sensitivity of the device are not very high.

项目成果

ナノポーラスAuの伝導現象

纳米孔金的导电现象

• 发表时间: 2007
• 作者: K. Wang;et. al.;H. Okada;岡田宏成;岡田宏成
• 通讯作者: 岡田宏成

新ホイスラー化合物Ru_2CrGe、 Ru_2CrSnの磁性と伝導現象

新型霍斯勒化合物Ru_2CrGe和Ru_2CrSn的磁性和导电现象

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Wang;et. al.;H. Okada;岡田宏成
• 通讯作者: 岡田宏成

Electrical conductivity of a bulk metallic glass composite

• DOI: 10.1063/1.2795800
• 发表时间: 2007-10
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: K. Wang;T. Fujita;Mingwei Chen;T. Nieh;H. Okada;K. Koyama;W. Zhang;A. Inoue

Pressure-induced metal-insulator transition in spinel compound CuV_2S_4

尖晶石化合物 CuV_2S_4 中压力诱导的金属-绝缘体转变

• 发表时间: 2008
• 期刊: Physica B 403
• 作者: H. Okada;et. al.
• 通讯作者: et. al.

Magnetic properties of Heusler compounds Ru2CrGe and Ru2CrSn

Heusler 化合物 Ru2CrGe 和 Ru2CrSn 的磁性

• DOI: 10.1063/1.2841654
• 发表时间: 2008
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: H. Okada;K. Koyama;Kazuo Watanabe;Y. Kusakari;T. Kanomata;H. Nishihara
• 通讯作者: H. Nishihara