Bサイトスピネル硫化物における強磁場下量子振動測定によるフェルミ面研究

利用强磁场下 B 位尖晶石硫化物量子振荡测量进行费米表面研究

• 批准号: 06J05179
• 负责人: 岡田 宏成
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06J05179/
• 关键词: スピネル硫化物; dHvA振動; フェルミ面; 電荷密度波; 単結晶; スピネル化合物

本研究で育成された純良試料を用いることで、CuV_2S_4は高圧力の印加によって、金属的伝導から半導体的伝導へと変化し、8GPa付近で金属-半導体転移を示すことが明らかとなった。通常の金属では圧力の印加は金属性を強める働きをするため、得られた結果はCuV_2S_4が示す伝導現象が極めて異常であることを示しており、常圧下で示す電荷密度波転移によって形成されるギャップ構造との関連性が示唆される。実際に、本研究で得られた純良単結晶によって、常圧下で状態密度にギャップ的構造が形成されることを光電子分光実験によって観測した。このギャップ的構造の形成を実験的に観測したのは本研究が初めてである。このギャップ的構造の形成を詳細に調べるため、CuTi_2S_4とCuV_2S_4単結晶の更なる高純度化と大型化に取り組み、ドハースファンアルフェン(dHvA)振動測定、シュブニコフドハース(SdH)振動測定を行った。単結晶は化学輸送法において輸送剤を調整することにより純良化されるが、純良化に伴い単結晶の大きさが減少する。大型でかつ純良な単結晶を育成するため、様々な輸送剤や単結晶育成方法を試みたが、量子振動測定が可能なほどの純良な大型単結晶を育成することができなかった。試料の純度や装置の感度が不十分である可能性も考えられるが、相関の強い物質であるため、より低温での強磁場下量子振動測定が必要であると考えられる。

使用这项研究中生长的纯净样品，发现CUV_2S_4在施用高压时从金属传导到半导体的变化，并在8GPA附近表现出金属 - 触发器过渡。在正常金属中，压力作用以增强金属性能，并且获得的结果表明，CUV_2S_4指示的传导现象极为异常，这表明在正常压力下由电荷密度波过渡形成的间隙结构的关系。实际上，我们通过光电子光谱实验观察到，在正常压力下，在这项研究中获得的纯，良好的单晶体形成了状态密度的间隙状结构。这项研究是我们第一次从实验中观察到这种间隙结构的形成。为了详细研究这种间隙结构的形成，我们致力于进一步提高CUTI_2S_4和CUV_2S_4单晶的纯度和大小，并且我们进行了Dohaas Van Alfen（DHVA）振动测量值以及Shubnikofdhaas（SDH）振动测量值。通过在化学传输方法中调节传输剂，纯粹改善了单晶，但是随着纯改进的改善，单晶的大小减小。为了生长大型，纯净的单晶，已经尝试了各种运输剂和单晶生长方法，但是不可能生长出足够纯净以允许量子振动测量的大型单晶。样品的纯度和设备的灵敏度可能不足，但是由于它是高度相关的材料，因此人们认为在较低温度下，量子振动测量值是必要的。

项目成果

ナノポーラスAuの伝導現象

纳米孔金的导电现象

• 发表时间: 2007
• 作者: K. Wang;et. al.;H. Okada;岡田宏成;岡田宏成
• 通讯作者: 岡田宏成

Pressure-induced metal-insulator transition in spinel compound CuV_2S_4

尖晶石化合物 CuV_2S_4 中压力诱导的金属-绝缘体转变

• 发表时间: 2008
• 期刊: Physica B 403
• 作者: H. Okada;et. al.
• 通讯作者: et. al.

Electrical conductivity of a bulk metallic glass composite

• DOI: 10.1063/1.2795800
• 发表时间: 2007-10
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: K. Wang;T. Fujita;Mingwei Chen;T. Nieh;H. Okada;K. Koyama;W. Zhang;A. Inoue

新ホイスラー化合物Ru_2CrGe、 Ru_2CrSnの磁性と伝導現象

新型霍斯勒化合物Ru_2CrGe和Ru_2CrSn的磁性和导电现象

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Wang;et. al.;H. Okada;岡田宏成
• 通讯作者: 岡田宏成