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ナノパルスプラズマCVDによる立方晶窒化硼素膜の合成

ナノパルスプラズマCVDによる立方晶窒化硼素膜の合成
纳脉冲等离子体CVD合成立方氮化硼薄膜
批准号:
06J05784
负责人:
齊藤 雅典 (2006, 2008)
金额:
$1.79万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2008

项目摘要

项目成果

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英文摘要
ボランアンモニアを原料としてナノパルスプラズマCVD法により窒化硼素(Boron Nitride:BN)膜の合成を行った.合成した膜の組成,結合構造,表面性状,摺動特性及び耐熱性の評価を行った.合成されたBN膜をフーリエ変換赤外分光及びX線回折により構造分析を行ったところ,原子数個程度の連続性を持つsp2構造を有するアモルファス構造の水素化窒化硼素膜であることを明らかにした.表面粗さはRa0.5nm以下であり平滑な表面を有している.合成時の基板温度を500℃まで変化させて合成を行ったところ,基板温度が高くなるほど膜中の水素量が減少し硬さが上昇し,400℃で合成した膜は16GPaの硬さであった.それ同時に耐摩耗性も向上し300℃以上で合成した膜はSUJ2ボールとの摺動において比摩耗量が6×10mm3/N・mと高い耐摩耗性を示した.またこれらの膜の水滴接触角は30〜60°であった.合成したBN膜を500℃の空気雰囲気下で1時間の加熱処理を行い,処理前後の質量変化はほとんどなく,耐熱性を有するBN膜を合成することができた.さらに外部プラズマ生成源として内部アンテナ型のICP(Inductively Coupled Plasma)電極を利用しての合成を行った.合成された膜はナノウォール状の構造をしており摩擦係数は0.3〜0.4と低く,その複雑な表面形状により静的水滴接触角が120°程度と高い撥水性を示しか.これらの結果よりナノパルスプラズマCVD法が硬質アモルファスBN膜の合成に有効であることを示した.
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会议论文
ICP援用ナノパルスプラズマCVD法によるBN系薄膜の合成
ICP辅助纳脉冲等离子体CVD法合成BN基薄膜
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [Masanori Saito, Takao Saito, Hiroya Murakami, Naoto Ohtake, 斉藤 雅典]
通讯作者: 斉藤 雅典
Rapid Growth of Diamond-like Carbon Films by Nanopulse Magnetron Chemical Vapor Deposition
纳脉冲磁控管化学气相沉积快速生长类金刚石碳膜
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: Japanese Journal of Applied Physics 46(掲載決定)
影响因子: --
作者: [Masanori SAITO, Takao SAITO, Yoshimasa KONDO, Hiroya MURAKAMI, Naoto OHTAKE]
通讯作者: Naoto OHTAKE
Tribological Properties of Amorphous Boron Nitride Films Prepared by Nanopulse Plasma CVD
纳脉冲等离子体CVD制备非晶氮化硼薄膜的摩擦学性能
DOI: --
发表时间: 2009
期刊: Journal of Solid Mechanics and Materials Engineering Vol. 3
影响因子: --
作者: [Masanori Saito, Toshiyuki Yasuhara, Hiroya Murakami, Naoto Ohtake]
通讯作者: Naoto Ohtake
ナノパルスプラズマCVDによるアモルファスBN膜の合成と機械的特性評価
纳脉冲等离子体CVD非晶BN薄膜的合成及力学性能评价
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [齊藤雅典, 村上碩哉, 大竹尚登]
通讯作者: 大竹尚登
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