直流高電界電子銃による大電流・低エミッタンス・スピン偏極電子ビームの生成

使用直流高场电子枪产生大电流、低发射率、自旋极化电子束

• 批准号: 06J06455
• 负责人: 山本 尚人
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06J06455/
• 关键词: 直流型電子銃; 高電界; 大電流; 低エミッタンス; スピン偏極電子

高輝度電子源の開発を行い、ビーム性能とビーム寿命性能について大幅な改善をもたらした。従来のスピン偏極フォトカソードは電子を生成する面からレーザー光を入射する必要があり、電子ビームの高輝度化は難しく装置も複雑であった。この問題を解決するため電子を生成するのと逆の面からレーザー光を入射できる新しいタイプのフォトカソードを開発した。この方式をとることで新たに開発した電子源ではビームサイズを生成面で2μm程度まで絞ることに成功し、その結果、電圧20kVにおいて1x10^7Acm^<-2>sr^<-1>という輝度を得、従来のスピン偏極電子源の値を4桁向上させることに成功した。この時、最大電流密度5.1A/mm^2,角電流密度248mA/srであり、量子効率が1/eに低下するまでのビーム寿命は、1.8x10^8C/cm^2であった。また、偏極度においても従来のフォトカソードとほぼ等しい90%を達成した。高いスピン偏極度をえるためにはフォトカソードの結晶に加える歪みの方向が重要であることを新たに解き明かした。偏極電子フォトカソードは基盤層の上にバッファ層を成長し、さらにこの上に偏極電子を生成するための活性層を約100nm程度成長させることで作製される。従来のスピン偏極フォトカソードではバッファ層の格子定数を基盤層や活性層より小さくしバッファ層に引っ張り歪みを加えていた。開発中のフォトカソードではレーザー光の入射方向を逆とするため結晶の基盤材料のみをGaAsからGaPに変更したが、このフォトカソードからは期待される偏極度は得られなかった。この事実について我々は2つの基盤材料の格子定数の違いに注目した。GaAsの格子定数はバッファ層であるGaAsPより大きいが、GaPは逆に小さいためバッファ層に加わる歪みの向きが圧縮となってしまうのである。そこで我々はさらにフォトカソードの基盤層とバッファ層の間に格子定数を調整するための中間層を加えバッファ層に加わる歪みの方向を従来と同じ引っ張り方向にし、最終的に従来と同じく高いスピン偏極度を得ることに成功した。この一連の開発研究は、偏極電子生成機構を理解する上で我々に新たな知見をもたらした。これは今後、様々な材料を用いて偏極電子源を開発する際に重要な指針となる。

High brightness electron source development, performance and lifetime performance are greatly improved. For example, if the light source is not enough, the light source will not be enough. This problem is solved by generating electrons in the opposite direction and by generating light in the opposite direction. This method is new to the development of electron sources. The generation surface is 2μm. The results are as follows: voltage is 20kV. The brightness is 1x10^7Acm<-2>. The <-1>polarization electron source is 4 μ m. The maximum current density is 5.1A/mm^2, the angular current density is 248mA/sr, the quantum efficiency is 1/e, and the lifetime is 1.8x10^8C/cm^2. 90% of the total number of people in the country who are interested in the development of science and technology The first step is to open the door to the world. The growth of the upper polarization electron layer on the substrate layer and the growth of the upper polarization electron layer on the active layer are about 100nm. The number of lattice layers in the substrate layer and the number of lattice layers in the active layer are increased In the case of GaAs, the incident direction of light is reversed, and the crystal substrate material is reversed. This is the first time I have noticed that the lattice number of the substrate material has been violated. GaAs lattice number is equal to GaAsP, GaP and GaP. The number of cells between the substrate layers is adjusted, and the intermediate layers are added. The direction of the cells is adjusted, and the direction of the cells is adjusted. The development of this new technology will help us understand the mechanism of polarization electron generation. The development of polarization electron sources is an important aspect of the future development of materials.

项目成果

背面透過光吸収型フォトカソードを用いた偏極電子源開発

使用背透射光吸收型光电阴极的偏振电子源的开发

• 发表时间: 2007
• 作者: 坂野 聡美;吉本誠之;澤木浩之;山川明来子;本間道夫;川岸郁朗;山本 尚人
• 通讯作者: 山本 尚人

Field Emission of Spin-Polarized Electrons Extracted from Photoexcited GaAs Tip

从光激发 GaAs 尖端提取的自旋极化电子的场发射

• 发表时间: 2006
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys. 45
• 作者: M. Kuwahara;T. Nakanishi;S. Okumi;M. Yamamoto;M. Miyamoto;N. Yamamoto;K. Yasui;T. Morino;R. Sakai;K. Tamagaki;K. Yamaguchi
• 通讯作者: K. Yamaguchi

Thermal emittance measurements for electron beams produced from bulk and superlattice negative electron affinity photocathodes

• DOI: 10.1063/1.2756376
• 发表时间: 2007-07-15
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Yamamoto, Naoto;Yamamoto, Masahiro;Takeda, Yoshikazu
• 通讯作者: Takeda, Yoshikazu

特許権

专利权

• 发表时间: 2018

High brightness and high polarization electron source using transmission photocathode with GaAs-GaAsP superlattice layers

• DOI: 10.1063/1.2887930
• 发表时间: 2008-03
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: N. Yamamoto;T. Nakanishi;A. Mano;Y. Nakagawa;S. Okumi;M. Yamamoto;T. Konomi;X. Jin;T. Ujihara;Y. Takeda;T. Ohshima;T. Saka;T. Kato;H. Horinaka;T. Yasue;T. Koshikawa;M. Kuwahara