電位依存性ナトリウム(Na)チャネルの解析による感覚情報伝搬メカニズムの解明

通过分析电压门控钠 (Na) 通道阐明感觉信息传播机制

基本信息

  • 批准号:
    06J08374
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.22万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

痛みなどの侵害性情報は,小型後根神経節(DRG)細胞に発現する複数種の電位依存性Naチャネルサブタイプが起こす活動電位によって伝搬される.小型DRG細胞のうち,C線維をもつ細胞はさらに,糖蛋白であるisolectinB4(IB4)で認識される群(IB4陽性細胞)とされない群(IB4陰性細胞)とに分類される.これらは,それぞれ異なる種類の痛みの伝搬に関与しており,Naチャネルの発現も異なっている可能性が考えられる.そこで,野生型(WT)マウスと,痛みとの関連が指摘されているサブタイプであるNa_v1.8を欠失したNa_v1.8ノックアウト(KO)マウスからDRG細胞を単離し,IB4による生体染色を行い,IB4陽性細胞と陰性細胞を同定した.そして,ホールセルパッチクランプ法を用いて,各タイプの細胞に発現するNaチャネルの電気生理学的性質を解析し,活動電位の発生に果たす役割について検討した.その結果,WTマウスのIB4陽性細胞,陰性細胞共に,静止膜電位付近ではNa_v1.8によるTTX-R/slow Na電流が活動電位の主体となっていることが示された.しかし,膜電位が過分極側になると,IB4陰性細胞でのみ,TTX感受性サブタイプによるTTX-S/fast Na電流が活動電位の一部を形成していた.このような違いが,それぞれの細胞群が異なる痛みの伝搬に関与していることと関連している可能性が考えられた.一方,Na_v1.8KOマウスのDRG細胞においては,IB4陽性細胞,陰性細胞共に,Na_v1.8の欠失により,静止膜電位付近で主体となるNa電流がTTX-S/fast Na電流にスイッチし,代償的に働いている可能性が示唆された.さらに,IB4陽性細胞ではNa_v1.9によるTTX-R/persistent Na電流のアップレギュレートが見られ,このサブタイプもNa_v1.8を代償している可能性が考えられた.
Pain み な ど の enroach on temperament は, small root after god 経 section (DRG) cells に 発 now す る plural kinds of の potential dependency Na チ ャ ネ ル サ ブ タ イ プ が up こ す activity potential に よ っ て 伝 move さ れ る. Small DRG cells の う ち, C line d を も つ cells は さ ら に, glycoprotein で あ る isolectinB4 (IB4) で know さ れ る group (IB4 positive cells) と さ れ な い group (IB4 negative cells) と に classification さ れ る. こ れ ら は, そ れ ぞ れ different な る kinds の pain み の 伝 move に masato and し て お り, Na チ ャ ネ ル の 発 different showing も な っ て い る possibility が exam え ら れ る. そ こ で, wild type (WT) マ ウ ス と, pain み と の masato even が blame さ れ て い る サ ブ タ イ プ で あ る Na_v1. 8 を owe lost し た Na_v1. 8 ノ ッ ク ア ウ ト (KO) マ ウ ス か ら DRG cells を 単 し, IB4 に よ る raw dyeing line を い, IB4 positive Cells と negative を with fixed し た. そ し て, ホ ー ル セ ル パ ッ チ ク ラ ン を プ method with い て, each タ イ プ の cells に 発 now す る Na チ ャ ネ ル の electric 気 physiology を し analytically, the nature of activities potential の 発 に raw fruit た す "cut に つ い て beg し 検 た. そ の results, WT マ ウ ス の IB4 positive cells, negative cells were に, resting membrane potential Pay nearly で は Na_v1. 8 に よ る TTX R/missile Na current が activity potential の subject と な っ て い る こ と が shown さ れ た. し か し, membrane potential が too extreme lateral に な る と, IB4 negative cell で の み, TTX susceptibility サ ブ タ イ プ に よ る TTX -s/fast Na current potential の a を が activities form し て い た. こ の よ う な violations い が, そ れ ぞ れ の cells が different な る pain み の 伝 move に masato and し て い る こ と と masato even し て い る possibility が exam え ら れ た. Side, Na_v1. 8 ko マ ウ ス の DRG cells に お い て は, positive cell IB4, and negative cell に, Na_v1. 8 の owe lost に よ り, resting membrane potential paying nearly で subject と な る Na current が TTX -s/fast Na current に ス イ ッ チ し, the compensatory に 働 い て い が る possibility in stopping さ れ た. さ ら に, IB4 positive cells で は Na_v1. 9 に よ る TTX R/persistent Na current の ア ッ プ レ ギ ュ レ ー ト が see ら れ, こ の サ ブ タ イ プ も Na_v1. 8 を compensatory し て い る possibility が exam え ら れ た.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
麻酔科診療プラクティス20 : 臨床麻酔の疑問に答える生理学
麻醉学实践 20:用生理学回答临床麻醉中的问题
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ohnishi T;Okuda-Ashitaka E;Matsumura S;Katano T;Nishizawa M and Ito S;中本千泉
  • 通讯作者:
    中本千泉
Prostaglandin E2 has no effect on two components of TTX-resistant Na+ current in mouse dorsal root ganglion
前列腺素E2对小鼠背根神经节TTX抗性Na电流的两个分量没有影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ando;A.;芦高 恵美子;芦高 恵美子;Taxing Zheng
  • 通讯作者:
    Taxing Zheng
Multiple types of Na+ currents mediate action potential electrogenesis in small neurons of mouse dorsal root ganglia
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  • 作者:
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中本 千泉其他文献

Characterization of Electronic Charged States of Si-based Quantum Dots for Multi-valued MOS Memories
多值 MOS 存储器硅基量子点电子带电状态表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Miyazaki
  • 通讯作者:
    S.Miyazaki
Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H_2-diluted GeH_4
H_2稀释GeH_4甚高频感应耦合等离子体生长的高度结晶Ge:H薄膜的电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Miyazaki;M. Muraguchi;S. Nomura;A. Kawanami;Y. Sakurai;K. Makihara;M. Ikeda;K. Shimanoe;H. Kaku
  • 通讯作者:
    H. Kaku
Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin Gate Oxide Induced by H_2-plasma Treatment and Its Application to Floating Gate Memories
H_2等离子体处理超薄栅氧化层金属纳米点的形成及其在浮栅存储器中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Miyazaki;M. Muraguchi;S. Nomura;A. Kawanami;Y. Sakurai;K. Makihara;M. Ikeda;K. Shimanoe;H. Kaku;S. Mahboob;Y. Sakurai;S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki
  • 通讯作者:
    S. Miyazaki
Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Elecrical Charging Characteristics
锗核硅量子点杂质掺杂对其带电特性的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Miyazaki;M. Muraguchi;S. Nomura;A. Kawanami;Y. Sakurai;K. Makihara;M. Ikeda;K. Shimanoe;H. Kaku;S. Mahboob;Y. Sakurai;S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;K. Makihara;K. Makihara;K. Makihara;K. Shimanoe;S. Miyazaki;K. Makihara;K. Makihara
  • 通讯作者:
    K. Makihara
High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge Films on Quartz from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH_4+H_2
GeH_4 H_2 VHF感应耦合等离子体在石英上高速生长高结晶Ge薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木村一子;落合純代;河本大地;福永寛明;中村 賜;Zheng Taixing;Matsutomi Tomoya;中本 千泉;K. Makihara;K. Makihara;T. Hosoi;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;T. Sakata;A. Ohta;T. Sakata;R. Nishihara;S. Miyazaki;K.Makihara;J.Nishitani;S.Miyazaki;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;K.Makihara;S.Miyazaki;S.Miyazaki;M. Muraguchi;S. Nomura;A. Kawanami;Y. Sakurai;K. Makihara;M. Ikeda;K. Shimanoe;H. Kaku;S. Mahboob;Y. Sakurai;S. Miyazaki;M. Ikeda;K. Makihara;K. Makihara;S. Miyazaki;K. Makihara;K. Makihara;K. Makihara;K. Shimanoe;S. Miyazaki;K. Makihara;K. Makihara;T. Sakata;S. Miyazaki;K. Makihara;K. Makihara;K. Okuyama;K. Makihara;A. Ohta;K. Okuyama;K. Makihara;T. Sakata
  • 通讯作者:
    T. Sakata

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