熱プラズマジェットの半導体プロセスへの導入とデバイス応用

热等离子体射流引入半导体工艺和器件应用

• 批准号: 06J08363
• 负责人: 加久 博隆
• 金额: $ 1.73万
• 依托单位: Hiroshima University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06J08363/
• 关键词: 低温プロセス; 再結晶化技術; Si; TFT; プラズマ; 非平衡熱処理; Ge

前年度までに実験・開発を行ってきた熱プラズマジェット熱処理技術によるSi膜の結晶化、ドーパントの活性化技術を組み合わせてトップゲート型TFTの作製を行った。本技術の特徴として、熱プラズマジェット照射によりソース・ドレイン領域の活性化とチャネル部の結晶化を同時に行うといった点が上げられる。作製されたTFTは良好なTFT特性を示し、処理温度・処理時間の増大に伴い向上し、最大電界降下移動度は75cm^2/Vsに達した。更に、TFTのバラつき特性を評価するために6×3mmの範囲に50個のTFTを作製したところ、バラつきはそれぞれ移動度4.4%以下、閾値1.1%以下と非常に低い値を示した。以上のことから熱プラズマジェットによる急速熱処理技術により移動度10cm^2/Vsを超える均一なTFT作製が可能であることを実証し、有機ELディスプレイ等への応用可能性を示した。また、熱プラズマジェット熱処理技術は高温の熱源を対象物に直接接触させる技術であるため、レーザ等とは異なり対象物を選ばず熱処理が可能である。この特性を利用して、熱プラズマジェットをアモルファスGeに照射を行い結晶化に成功した。このときGe膜は不純物添加していないにもかかわらず伝導型はP型であり3.5-4.6×10^<18>cm^<-3>と非常に高いキャリア密度を示し、移動度は最大で119cm^2/Vsに達した。よって熱プラズアジェット急速熱処理技術が高結晶性P型Ge薄膜形成に有効であることを示し、新たな応用分野があることを示した。

In the previous year, we began to conduct business operations in the field of technology, In this technology, the equipment is used to activate the system in the field of the system. At the same time, the operation is performed at the same time. Make sure that the TFT has a good TFT performance indicator, the temperature control time is increased, and the maximum power level is reduced to 75cm ^ 2

项目成果

Application of Thermal Plasma Jet Annealing to Channel Crystallization and Doping for Thin Film Transistor Fabrication

热等离子体喷射退火在薄膜晶体管制造的沟道结晶和掺杂中的应用

• 发表时间: 2008
• 期刊: Dig. Tec. Papers of the fourteenth international workshop on ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAY AND DEVICES
• 作者: 金政祐司;大竹恵子;荒井弘和;五十嵐祐;大対香奈子;加藤潤三;加藤司;木村昌紀;串崎真志;小林知博;酒井佐枝子;相馬敏彦;畑中美穂枚;平井啓;三沢良;Satoshi Hino;Satoshi Hino;日野聡;日野聡;Satoshi Hino;日野 聡;日野 聡;Satoshi Hino;Hirotaka Kaku
• 通讯作者: Hirotaka Kaku

High Efficiency Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films

热等离子体射流结晶诱导重磷非晶硅薄膜的高效掺杂剂活化

• 发表时间: 2007
• 期刊: Extended Abst of 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces
• 作者: 金政祐司;大竹恵子;荒井弘和;五十嵐祐;大対香奈子;加藤潤三;加藤司;木村昌紀;串崎真志;小林知博;酒井佐枝子;相馬敏彦;畑中美穂枚;平井啓;三沢良;Satoshi Hino;Satoshi Hino;日野聡;日野聡;Satoshi Hino;日野 聡;日野 聡;Satoshi Hino;Hirotaka Kaku;Hirotaka Kaku;Hirotaka Kaku;H. Kaku;H. Kaku
• 通讯作者: H. Kaku

a-Si膜の熱プラズマジェット結晶化における基板加熱効果

非晶硅薄膜热等离子体射流晶化中的基片加热效应

• 发表时间: 2006
• 期刊: 薄膜材料デバイス研究会第3回研究集会 予稿集
• 作者: 加久 博隆;東 清一郎;寄本 拓也;岡田 竜弥;村上 秀樹;宮崎 誠一
• 通讯作者: 宮崎 誠一

Formation of Source and Drain for Polycrystalline Si Thin Film Transistors Using Thermal Plasma Jet Induced Impurity Activation

利用热等离子体射流诱导杂质激活形成多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极

• 发表时间: 2008
• 作者: S.Higashi;H.Kaku;T.Okada;H.Murakami;S.Miyazaki;Hirotaka Kaku;Hirotaka Kaku;加久博隆;加久博隆;Hirotaka Kaku
• 通讯作者: Hirotaka Kaku

熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理によるSi膜中ドーパントの活性化

热等离子体射流辐照毫秒快速热处理激活硅膜中的掺杂剂

• 发表时间: 2007
• 作者: S.Higashi;H.Kaku;T.Okada;H.Murakami;S.Miyazaki;Hirotaka Kaku;Hirotaka Kaku;加久博隆;加久博隆;Hirotaka Kaku;Hirotaka Kaku;Hirotaka Kaku;H. Kaku;H. Kaku;加久 博隆
• 通讯作者: 加久 博隆