遷移金属-典型金属複合触媒による高選択的合成反応の開発

使用过渡金属类金属复合催化剂开发高选择性合成反应

基本信息

批准号：
06J09971
负责人：
伊藤喜光
金额：
$ 2.18万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2008
项目状态：
已结题

项目摘要

π共役系有機物半導体の開発は近年急速に進展しつつある有機エレクトロニクスにおいて必須である.特に近年では,ベンゼン環が単純に多数縮環した化合物にはない特徴を有する特異な構造を持った芳香族化合物が注目を集めている.本研究では湾曲したπ共役系を持つ化合物,及びヘテロ原子によって修飾された拡張π共役系分子に注目し,その合成法から実際のデバイス作成までを行なう事を目的としている.最終年度となった本年は,特異な立体・電子構造を有する化合物を用いて実際のデバイス作成を行なった.デバイス構造は,酸化皮膜のついたシリコンウエハ上にフラーレンの単分子膜を敷き,その上にフラーレンやhexa-kata-benzocoronene(HBC)と言った湾曲した構造を持つ多環式芳香族化合物の薄膜を積む事により作成した.このデバイスの狙いは,中村研究室で開発された,フラーレンの同一半球にカルボン酸が五つ結合した化合物(1)とその同じ半球にさらにフェロセンがついた化合物(2)の単分子膜がFET特性に与える影響を調べる事である.単分子膜は,アミンで修飾したSiO_2基板を1又は2のTHF溶液に浸す事により作製出来る事が分かった.調製したフラーレン単分子膜上にn-型半導体であるフラーレン蒸着させたFETの場合,SiO_2上に直接C_<60>を蒸着したものよりも単分子膜存在下の方が高い移動度を観測した.それはフラーレン単分子膜により,蒸着されたC_<60>の結晶性が高くなったためと考えられる.一方,HBCをスピンコートしたFETは,光に対して興味深い性質を示した.即ち,1の単分子膜の場合,光をあてた状態では高い移動度を示すのに対し,光を遮った状態では低い移動度しか示さなかった.それは,HBCからフラーレン単分子膜への電子移動が光によって誘起されたことによるものであると考えられる.一方で2の単分子膜の場合,フェロセンによるドネーションの効果により光の影響は大きくなかった.

π共轭有机物半导体的发展对于有机电子物质至关重要，近年来正在迅速发展。特别是，近年来，具有独特结构的芳族化合物，其特征在具有简单的大量苯环的化合物中未发现，引起了人们的注意。在这项研究中，我们专注于具有曲线π共轭系统的化合物，并扩展了通过杂原子修饰的π共轭分子，旨在执行从合成到实际设备的所有内容。今年是最后一年，是一个独特的空间和偶联的。实际设备是使用带有结构的化合物创建的。设备结构是通过用氧化物膜在硅晶片上层压富勒烯的单层来创建的，然后将薄膜堆叠成带有曲面结构（如富勒烯和六甲氧烯）的薄膜，例如富勒烯和六甲苯 - 甲壳虫（HBC）。该设备的目的是开发化合物（1），其中五种羧酸与富勒烯的同一半球和同一半球结合。这是为了研究化合物（2）与locene对fet性质的影响。发现可以通过将胺修饰的SIO_2底物浸入1或2 THF溶液中来制造单层。如果FET蒸发为富勒烯，则在制备的富勒烯单层上蒸发N型半导体，在单层的存在下观察到比直接在SIO_2上直接沉积C_ <60>的FET。这是因为C_ <60>的晶体由富勒烯单层沉积。这被认为是因为特性的增加。另一方面，用HBC旋转的FET显示出有趣的光特性。换句话说，就单层1而言，在暴露于光线时，它们表现出很高的活动性，而在光屏蔽的情况下，它们在暴露于光线时表现出较低的迁移率。这被认为是由于诱导的电子从HBC转移到富勒烯单层，另一方面，在单层2的情况下，二循环的捐赠效果没有光的效果。