ナノサイズ強誘電体における分極反転に関する研究
纳米铁电体极化反转研究
基本信息
- 批准号:18760238
- 负责人:
- 金额:$ 1.86万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2006
- 资助国家:日本
- 起止时间:2006 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度は,主として高品質ナノサイズ強誘電体の作製・構造制御とその分極反転のSPM観察に取り組み,以下の知見を得た.1.SrTiO_3(100)傾斜基板上に作製したPt薄膜上では,PbTiO_3ナノ構造の自己集合化がPtのステップに律速され,これが配置制御に応用できる可能性があることを見出した.2.面心立方構造を持つPt,Irとペロブスカイト構造を持つSrRuO_3,SrTiO_3,PbTiO_3をSrTiO_3(100)基板上に積層し,それらの成長様式が格子不整合によらず,結晶構造の違いのみにより決定されることを見出した.3.SrTiO_3(100)基板にコヒーレントに成長したPt及びSrRuO_3薄膜上にPbTiO_3薄膜をエピタキシャル成長させたところ,Pt薄膜上ではSrRuO_3,薄膜上よりも90゜ドメインが形成されやすく,容易に応力緩和されることを見出した.また,Pt薄膜上のPbTiO_3ナノ構造はc-ドメインのみで構成され90°ドメイン形成による応力緩和は見られなかった.4.X線CTR散乱測定により,SrTiO_3(100)及びSrRuO_3/SrTiO_3(100)基板上に作製した膜厚3nm以下のPbTiO_3の膜厚及び格子定数の解析を行った.5.PFMにより圧電特性のサイズ依存性を調べた結果,PbTiO_3ナノ構造ではその幅にはほとんど依存せず,高さに依存して圧電特性が変化することを明らかにした.特に高さ10nm以下では急激に圧電定数が低下した.また,PbTiO_3ナノ構造では分極反転ドメインの形成が困難かつ不安定であるのに対し,PbTiO_3薄膜は容易に分極反転させることができ,分極反転ドメインも比較的安定であった.これらの知見より,ナノサイズ強誘電体では90゜ドメイン構造とそれによる応力緩和が分極反転に大きな影響を及ぼすと結論づけられる.今後はより定量的な評価を進める.
This year, the main results are as follows: 1. SrTiO_3 (100) substrate is fabricated on Pt thin film, PbTiO_3 structure is fabricated on Pt thin film, and the possibility of fabrication of Pt thin film is discussed. 2. FCC structure is fabricated on Pt thin film. SrRuO_3, SrTiO_3, PbTiO_3 and SrTiO_3 (100) substrates were deposited on SrTiO_3(100) substrates, and their growth patterns were determined by lattice disconformity. SrTiO_3 (100) substrates were deposited on Pt and SrRuO_3 thin films, and SrRuO_3 thin films were deposited on Pt thin films. Film on the top of the 90-degree film to form a film, easy to ease the pressure on the surface of the film. 4. X-ray CTR scattering measurement of SrTiO_3 (100) and SrRuO_3/SrTiO_3 (100) substrates. 5. Analysis of film thickness and lattice number of PbTiO_3 films with film thickness less than 3nm. PbTiO_3 structure is highly dependent on the amplitude of the voltage characteristic. Especially high below 10nm, the rapid excitation voltage is low. PbTiO_3 thin films are easy to form polarization inversion due to their difficulty in forming polarization inversion. In this paper, we discuss the influence of polarization and polarization on the structure and structure of strong inducers. From now on, quantitative evaluation will be carried out.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Pt薄膜表面の微構造がPbTi0_3(001)自己集合島の成長に及ぼす影響
Pt薄膜表面微结构对PbTi0_3(001)自组装岛生长的影响
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Fujisawa;et. al.;米谷 匡司;比企 透雄
- 通讯作者:比企 透雄
MOCVD法による高品質エピタキシゃルPb(Zr,Ti)O_3極薄膜の作製
MOCVD法制备高质量外延Pb(Zr,Ti)O_3超薄膜
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Fujisawa;et. al.;米谷 匡司;比企 透雄;米谷 匡司;住井 亮介
- 通讯作者:住井 亮介
走査型非線形誘電率顕微鏡によるSrTi0_3基板上のPbTi0_3極薄膜のドメイン構造の観察
SrTi0_3基片上超薄PbTi0_3薄膜的畴结构扫描非线性介电常数显微镜观察
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Fujisawa;et. al.;米谷 匡司
- 通讯作者:米谷 匡司
Epitaxial growth and ferroelectric properties of PbTiO_3 thin films on coherently grown Pt bottom electrodes
相干生长Pt底电极上PbTiO_3薄膜的外延生长及其铁电性能
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Fujisawa;et. al.
- 通讯作者:et. al.
走査型非線形誘電率顕微鏡によるPbTi0_3極薄膜のドメイン構造の観察
扫描非线性介电常数显微镜观察超薄PbTi0_3薄膜的畴结构
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:H.Fujisawa;et. al.;米谷 匡司;比企 透雄;米谷 匡司
- 通讯作者:米谷 匡司
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
藤澤 浩訓其他文献
蛍光X線ホログラフィー法によるVドープBiFeO3薄膜の局所構造解析
利用荧光 X 射线全息技术分析 V 掺杂 BiFeO3 薄膜的局部结构
- DOI:
- 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
有馬 知希;中嶋 誠二;木村 耕治;林 好一;八方 直久;藤澤 浩訓 - 通讯作者:
藤澤 浩訓
蛍光X線ホログラフィを用いたBi(Fe,Mn)O3薄膜の構造ゆらぎ解析
利用荧光X射线全息技术分析Bi(Fe,Mn)O3薄膜的结构涨落
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
渕脇 八雲;中嶋 誠二;藤澤 浩訓;黒川 裕太;八方 直久;木村 耕治;山本 裕太;松本 亮平;林 好一 - 通讯作者:
林 好一
Application of Electromigrated Au Nanogaps to Artificial Synaptic Devices and Physical Reservoir Computing
电迁移金纳米间隙在人工突触器件和物理储层计算中的应用
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
有馬 知希;中嶋 誠二;木村 耕治;林 好一;八方 直久;藤澤 浩訓;K. Sakai and J. Shirakashi - 通讯作者:
K. Sakai and J. Shirakashi
藤澤 浩訓的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
MOCVD法による強誘電体ナノ構造の作製とその強誘電性の評価
MOCVD法制备铁电纳米结构及其铁电性评价
- 批准号:
13750282 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.86万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)