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微細Si/SiO2系電子・音響フォノン相互作用エンジニアリングの創成

创建精细的 Si/SiO2 基电子/声声子相互作用工程

基本信息

批准号：
18760251
负责人：
宇野重康
金额：
$ 2.3万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2007
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は当初計画に従い、下記の成果を得た。(1)自立シリコン板での電子移動度コンパクトモデル作成自立シリコン板での形状因子がシリコン層厚、材料によらないUniversalな曲線に従うことを利用し、基底サブバンド内散乱のUniversal曲線を高精度にフィッティングする単純な解析式を発見した。これを用いて変調音響フォノン散乱律速移動度を解析式表現することにより、電子の大半が基底サブバンド内に存在するような比較的シリコン層厚の薄い領域での移動度を解析式によって高精度に表現することに成功した。この成果は学術論文として発表された。また、サブバンド間散乱の形状因子にもUniversalityがあることを明らかにした。(2)シリコンナノワイヤ構造での電子フォノン相互作用に関する初動研究自立シリコンナノワイヤ構造での音響フォノン変調を取り入れた電子フォノン相互作用の形状因子を計算し、自立シリコン板と同様にナノワイヤ径、材料によらないUniversalな形状因子曲線が得られることが明らかになった。また、変調音響フォノンを厳密に取り入れた電子フォノン相互作用計算プログラムを用いることにより、散乱レートが形状因子増加から予想されるのと同程度だけ減少することを明らかにした。このような自立板構造と類似した結果が得られることは、音響フォノン変調が電子フォノン相互作用に与える影響は、構造によらない一般的かつ簡潔な物理によって支配されていることを示唆している。

本年度は当初計画に従い、下記の成果を得た。(1)自主研发的柔性薄板坯体的弯曲度和弯曲度都很高，但由于柔性薄板坯体的形状因素，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很高，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很高，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很高，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很低，材料的弯曲度和弯曲度都很高，材料的弯曲度和弯曲度都很低。これを用いて変調音響フォノン散乱律速移動度を解析式表現することにより、電子の大半が基底サブバンド内に存在するような比較的シリコン層厚の薄い領域での移動度を解析式によって高精度に表現することに成功した。この成果は学術論文として発表された。但是，这并不意味着形状因素的复杂性。(2)自主研发的复合材料。また、変調音響フォノンを厳密に取り入れた電子フォノン相互作用計算プログラムを用いることにより、散乱レートが形状因子増加から予想されるのと同程度だけ減少することを明らかにした。このような自立板構造と類似した結果が得られることは、音響フォノン変調が電子フォノン相互作用に与える影響は、構造によらない一般的かつ簡潔な物理によって支配されていることを示唆している。