グラフェンナノデバイスにおける相対論的電子の量子輸送
石墨烯纳米器件中相对论电子的量子传输
基本信息
- 批准号:07F07372
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は、新しい材料として注目を浴びるグラフェンにおいて、ディラック方程式に従う相対論的電子による量子輸送現象とその物理を実験的に明らかにすることを目的としている。本年度の研究では、前年度に確立したダブルゲート構造の作成技術を応用して2層、および3層グラフェンのPN接合を作成し、その電気伝導特性を調べた。2層グラフェンのPN接合に関しては、通常の半導体で良く知られた整流特性を観測することを目的として実験に取り掛かった。これは、垂直電場の印加によって2層グラフェンにバンドギャップができることを利用したものであり、それにより新しいデバイス応用への道が一気に拓ける。現在、東京大学の共同研究者がその測定を進めているところである。3層グラフェンのPN接合では、電流がソースドレインバイアスに対して僅かに非対称になる様子を観測した。これは、おそらく3層グラフェンの非対称なバンド構造に由来し、線形なバンドと放物線型のバンドの端が一致していないことを示していると考えられる。これらのPN接合の研究に関しては、私の滞在中に全てを終えることができなかったが、予備的なデータは既に出始めており、今後の研究によってその電気伝導特性が明らかになっていくと考えている。また、こうした研究と並行して、より清浄なグラフェン試料の電気伝導を明らかにするために、グラフェンを基板からサスペンドした構造の作成にも取り組んだ。試料の作成を済ませたので、今後は東京大学の共同研究者が中心になってショット雑音の測定などに取り組む予定である。
は this study, a new し い material と し て attention を bath び る グ ラ フ ェ ン に お い て, デ ィ ラ ッ ク equation に 従 う phase theory of seaborne electronic に よ る quantum transport phenomena と そ の physical を be 験 に Ming ら か に す る こ と を purpose と し て い る. Before this year の research で は, annual に established し た ダ ブ ル ゲ ー ト tectonic の consummate technology を 応 with し て 2 layer, お よ び 3 layer グ ラ フ ェ ン の PN junction を し, consummate そ の electric 気 伝 guide features を adjustable べ た. Layer 2 グ ラ フ ェ ン の PN junction に masato し て は, usually good の semiconductor で く ら れ た rectifier features を 観 measuring す る こ と を purpose と し て be 験 に り placed か っ た. こ れ は, vertical electric field の Inca に よ っ て layer 2 グ ラ フ ェ ン に バ ン ド ギ ャ ッ プ が で き る こ と を using し た も の で あ り, そ れ に よ り new し い デ バ イ ス 応 with へ の way が a 気 に billiton け る. Now, がそ co-researchers from the University of Tokyo have determined that を has entered めて ると ると ろである ろである ろである. 3 layer グ ラ フ ェ ン の PN junction で は, current が ソ ー ス ド レ イ ン バ イ ア ス に し seaborne て only か に non said seaborne に な る others child を 観 measuring し た. こ れ は, お そ ら く 3 layer グ ラ フ ェ ン の non said seaborne な バ ン ド tectonic に origin し, linear な バ ン ド と put content linear の バ ン ド の end が consistent し て い な い こ と を shown し て い る と exam え ら れ る. こ れ ら の PN junction の research に masato し て は, hysteresis in the private の に full て を eventually え る こ と が で き な か っ た が, reserve な デ ー タ は に out both beginning め て お り, future study に の よ っ て そ の electric 気 伝 guide features が Ming ら か に な っ て い く と exam え て い る. ま た, こ う し た research と parallel し て, よ り qing incorporated な グ ラ フ ェ ン sample の electric 気 伝 guide を Ming ら か に す る た め に, グ ラ フ ェ ン を substrate か ら サ ス ペ ン ド し の た structure made に も group take り ん だ. Sample の made を 済 ま せ た の で, future は の of Tokyo university researchers が center に な っ て シ ョ ッ ト 雑 sound の determination な ど に む り group to fixed で あ る.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Contact resistance in graphene-based devices
- DOI:10.1016/j.physe.2009.11.080
- 发表时间:2010-02-01
- 期刊:
- 影响因子:3.3
- 作者:Russo, S.;Craciun, M. F.;Tarucha, S.
- 通讯作者:Tarucha, S.
Trilayer graphene is a semimetal with a gate-tunable band overlap
- DOI:10.1038/nnano.2009.89
- 发表时间:2009-06-01
- 期刊:
- 影响因子:38.3
- 作者:Craciun, M. F.;Russo, S.;Tarucha, S.
- 通讯作者:Tarucha, S.
Tunable Band-structurein Double-Gated Graphene Trilayer
双栅石墨烯三层中的可调谐能带结构
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. F. Craciun;S. Russo;M. Yamamoto;J. B. Oostinga;A. F. Morpurgo;S. Tarucha
- 通讯作者:S. Tarucha
Tunable Band-structure in Double-Gated Graphene Trilayer
双栅石墨烯三层中的可调谐能带结构
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. F. Craciun;S. Russo;M. Yamamoto;J. B. Oostinga;A. F. Morpurgo;S. Tarucha
- 通讯作者:S. Tarucha
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樽茶 清悟其他文献
Quantum Phase Error Correction in Silicone
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- DOI:
- 发表时间:
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樽茶 清悟
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超新星探测第 23 届国际中微子物理天体物理学会议 (Neutrino 2008),新西兰基督城
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小寺 哲夫
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非阿贝尔任意子的电学和光学创建和控制
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用超导/铁磁电极控制单个自组装 InAs 量子点中的多体自旋相关性
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$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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SU(4)対称性を持つツイスト2層グラフェンにおける超伝導および輸送現象の理論解析
SU(4)对称性扭曲双层石墨烯超导和输运现象的理论分析
- 批准号:
23K03299 - 财政年份:2023
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