グラフェンナノデバイスにおける相対論的電子の量子輸送
石墨烯纳米器件中相对论电子的量子传输
基本信息
- 批准号:07F07372
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究は、新しい材料として注目を浴びるグラフェンにおいて、ディラック方程式に従う相対論的電子による量子輸送現象とその物理を実験的に明らかにすることを目的としている。本年度の研究では、前年度に確立したダブルゲート構造の作成技術を応用して2層、および3層グラフェンのPN接合を作成し、その電気伝導特性を調べた。2層グラフェンのPN接合に関しては、通常の半導体で良く知られた整流特性を観測することを目的として実験に取り掛かった。これは、垂直電場の印加によって2層グラフェンにバンドギャップができることを利用したものであり、それにより新しいデバイス応用への道が一気に拓ける。現在、東京大学の共同研究者がその測定を進めているところである。3層グラフェンのPN接合では、電流がソースドレインバイアスに対して僅かに非対称になる様子を観測した。これは、おそらく3層グラフェンの非対称なバンド構造に由来し、線形なバンドと放物線型のバンドの端が一致していないことを示していると考えられる。これらのPN接合の研究に関しては、私の滞在中に全てを終えることができなかったが、予備的なデータは既に出始めており、今後の研究によってその電気伝導特性が明らかになっていくと考えている。また、こうした研究と並行して、より清浄なグラフェン試料の電気伝導を明らかにするために、グラフェンを基板からサスペンドした構造の作成にも取り組んだ。試料の作成を済ませたので、今後は東京大学の共同研究者が中心になってショット雑音の測定などに取り組む予定である。
This study focuses on the quantum transport phenomena of new materials and related equations. This year's research has established the use of 2-layer, 3-layer PN junction technology to create and adjust the electrical conductivity characteristics of the first and second layers. 2-layer semiconductor junction is related to the general semiconductor, and the rectification characteristics are well known. The vertical electric field has two layers, one layer and the other layer. Now, a co-researcher at the University of Tokyo has made progress in the measurement of. 3-layer junction, current, etc. The structure of the three-layer structure of the non-symmetrical structure of the three-layer structure of the three The study of PN junction is related to the study of PN junction, and the study of PN junction is related to the study of PN junction. The electrical conduction of the sample was studied in parallel, and the structure was prepared by the following methods: The preparation of the test sample was carried out in the future, and the determination of the sample composition was determined by the Center for Joint Research at Tokyo University.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Contact resistance in graphene-based devices
- DOI:10.1016/j.physe.2009.11.080
- 发表时间:2010-02-01
- 期刊:
- 影响因子:3.3
- 作者:Russo, S.;Craciun, M. F.;Tarucha, S.
- 通讯作者:Tarucha, S.
Trilayer graphene is a semimetal with a gate-tunable band overlap
- DOI:10.1038/nnano.2009.89
- 发表时间:2009-06-01
- 期刊:
- 影响因子:38.3
- 作者:Craciun, M. F.;Russo, S.;Tarucha, S.
- 通讯作者:Tarucha, S.
Tunable Band-structurein Double-Gated Graphene Trilayer
双栅石墨烯三层中的可调谐能带结构
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. F. Craciun;S. Russo;M. Yamamoto;J. B. Oostinga;A. F. Morpurgo;S. Tarucha
- 通讯作者:S. Tarucha
Tunable Band-structure in Double-Gated Graphene Trilayer
双栅石墨烯三层中的可调谐能带结构
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. F. Craciun;S. Russo;M. Yamamoto;J. B. Oostinga;A. F. Morpurgo;S. Tarucha
- 通讯作者:S. Tarucha
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
樽茶 清悟其他文献
Quantum Phase Error Correction in Silicone
硅树脂中的量子相位纠错
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
松尾 貞茂;井本 隆哉;横山 知大;佐藤 洋介;Lindemann Tyler;Gronin Sergei;Gardner Geoffrey;Manfra Michael;樽茶 清悟;Taro Yamashita;Seigo Tarucha - 通讯作者:
Seigo Tarucha
磁束の準粒子トラップによる InAs 細線ジョセフソン接合における超伝導電流の制御
通过准粒子俘获磁通量控制 InAs 线约瑟夫森结中的超导电流
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
佐藤 洋介;上田 健人;武重 有祐;鎌田 大;Li Kan;Samuelson Lars;Xu H. Q.;松尾 貞茂;樽茶 清悟 - 通讯作者:
樽茶 清悟
選択的領域成長型二重ナノ細線を流れる超伝導電流の電気的制御
流过选择性区域生长的双纳米线的超导电流的电控制
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
井本 隆哉;松尾 貞茂 ;Aranya Goswami;Connor Dempsey;Mihir Pendharkar;Joon Sue Lee;Chrisptopher Palmstrom;樽茶 清悟 - 通讯作者:
樽茶 清悟
Supernova detection 23rd International Conference on Neutrino Physics Astrophysics (Neutrino 2008), Christchurch, New Zealand
超新星探测第 23 届国际中微子物理天体物理学会议 (Neutrino 2008),新西兰基督城
- DOI:
- 发表时间:
2008 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
十時 詠吾;Alessandro Pioda;浅山 徹哉;大岩 顕;樽茶 清悟;M.Nakahata - 通讯作者:
M.Nakahata
大規模集積化に向けたシリコン量子ビットを用いたNISQデバイス
使用硅量子位进行大规模集成的 NISQ 设备
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
田所 雅大;中島 峻;小林 崇;武田 健太;野入 亮人;泊 開人;樽茶 清悟;小寺 哲夫 - 通讯作者:
小寺 哲夫
樽茶 清悟的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('樽茶 清悟', 18)}}的其他基金
Electrical and optical creation and control of non-Abelian anyons
非阿贝尔任意子的电学和光学创建和控制
- 批准号:
19H05610 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Structured complex potentials for designer topological systems and devices in optics
光学拓扑系统和器件设计者的结构化复杂势
- 批准号:
18F18790 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
g因子制御された量子ドットにおける単一光子から単一電子スピンへの量子状態転写
g 因子控制量子点中从单光子到单电子自旋的量子态转移
- 批准号:
13F03322 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超伝導-グラフェン接合を利用した量子エンタングラー
使用超导石墨烯结的量子纠缠器
- 批准号:
13F03019 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
III-V族半導体/超伝導接合における非局所もつれとマヨラナフェルミオンの研究
III-V族半导体/超导结中非局域纠缠和马约拉纳费米子的研究
- 批准号:
12F02325 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超伝導/強磁性電極を有する単一自己形成InAs量子ドットにおける多体スピン相関の制御
用超导/铁磁电极控制单个自组装 InAs 量子点中的多体自旋相关性
- 批准号:
07F07328 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
量子ドットへの単一光子照射による単一電子生成と電子スピンへの情報転写の研究
单光子辐照量子点产生单电子及信息传递至电子自旋的研究
- 批准号:
06F06749 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
SU(4)対称性を持つツイスト2層グラフェンにおける超伝導および輸送現象の理論解析
SU(4)对称性扭曲双层石墨烯超导和输运现象的理论分析
- 批准号:
23K03299 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)