グラフェンナノデバイスにおける相対論的電子の量子輸送

石墨烯纳米器件中相对论电子的量子传输

• 批准号: 07F07372
• 负责人: 樽茶 清悟
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07F07372/
• 关键词: グラフェン; 2層グラフェン; 3層グラフェン; ディラク粒子; 電気伝導実験; バンド構造制御; ティラク粒子

本研究は、新しい材料として注目を浴びるグラフェンにおいて、ディラック方程式に従う相対論的電子による量子輸送現象とその物理を実験的に明らかにすることを目的としている。本年度の研究では、前年度に確立したダブルゲート構造の作成技術を応用して2層、および3層グラフェンのPN接合を作成し、その電気伝導特性を調べた。2層グラフェンのPN接合に関しては、通常の半導体で良く知られた整流特性を観測することを目的として実験に取り掛かった。これは、垂直電場の印加によって2層グラフェンにバンドギャップができることを利用したものであり、それにより新しいデバイス応用への道が一気に拓ける。現在、東京大学の共同研究者がその測定を進めているところである。3層グラフェンのPN接合では、電流がソースドレインバイアスに対して僅かに非対称になる様子を観測した。これは、おそらく3層グラフェンの非対称なバンド構造に由来し、線形なバンドと放物線型のバンドの端が一致していないことを示していると考えられる。これらのPN接合の研究に関しては、私の滞在中に全てを終えることができなかったが、予備的なデータは既に出始めており、今後の研究によってその電気伝導特性が明らかになっていくと考えている。また、こうした研究と並行して、より清浄なグラフェン試料の電気伝導を明らかにするために、グラフェンを基板からサスペンドした構造の作成にも取り組んだ。試料の作成を済ませたので、今後は東京大学の共同研究者が中心になってショット雑音の測定などに取り組む予定である。

This study focuses on the quantum transport phenomena of new materials and related equations. This year's research has established the use of 2-layer, 3-layer PN junction technology to create and adjust the electrical conductivity characteristics of the first and second layers. 2-layer semiconductor junction is related to the general semiconductor, and the rectification characteristics are well known. The vertical electric field has two layers, one layer and the other layer. Now, a co-researcher at the University of Tokyo has made progress in the measurement of. 3-layer junction, current, etc. The structure of the three-layer structure of the non-symmetrical structure of the three-layer structure of the three The study of PN junction is related to the study of PN junction, and the study of PN junction is related to the study of PN junction. The electrical conduction of the sample was studied in parallel, and the structure was prepared by the following methods: The preparation of the test sample was carried out in the future, and the determination of the sample composition was determined by the Center for Joint Research at Tokyo University.

项目成果

Contact resistance in graphene-based devices

• DOI: 10.1016/j.physe.2009.11.080
• 发表时间: 2010-02-01
• 期刊: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
• 影响因子: 3.3
• 作者: Russo, S.;Craciun, M. F.;Tarucha, S.
• 通讯作者: Tarucha, S.

Trilayer graphene is a semimetal with a gate-tunable band overlap

• DOI: 10.1038/nnano.2009.89
• 发表时间: 2009-06-01
• 期刊: NATURE NANOTECHNOLOGY
• 影响因子: 38.3
• 作者: Craciun, M. F.;Russo, S.;Tarucha, S.
• 通讯作者: Tarucha, S.

Tunable Band-structurein Double-Gated Graphene Trilayer

双栅石墨烯三层中的可调谐能带结构

• 发表时间: 2008
• 作者: M. F. Craciun;S. Russo;M. Yamamoto;J. B. Oostinga;A. F. Morpurgo;S. Tarucha
• 通讯作者: S. Tarucha

Tunable Band-structure in Double-Gated Graphene Trilayer

双栅石墨烯三层中的可调谐能带结构

• 发表时间: 2008
• 作者: M. F. Craciun;S. Russo;M. Yamamoto;J. B. Oostinga;A. F. Morpurgo;S. Tarucha
• 通讯作者: S. Tarucha