金属錯体による有機半導体デバイス材料の開発

使用金属配合物开发有机半导体器件材料

基本信息

  • 批准号:
    07J01717
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.22万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

これまでの研究により電極材料が大気安定性などのOFET特性に大きな影響を与え、安定な界面を形成する金電極が最も安定な特性を与えることが明らかになったが、これをもとにカーボンを電極材料とし用いたトランジスタの作製を試みた。カーボンは金属のような錯形成などを起こさず、その表面は大気中においても比較的安定であることから、上述したような安定な特性を今与えることが期待される。さらにキャリア注入障壁という点においても、カーボンが金属と有機物の中間的存在であることから金属材料よりも低い接触抵抗、すなわち高いパフォーマンスを与えることが考えられる。カーボン電極の作製法としてはディッピングプロセスやレーザー加工によるパターニング作製法など、複数の手法を用いた。ここで用いた手法は安価な伝導性材料であるカーボンペーストを用いており、いずれも真空プロセスを用いないウェットプロセスのみでの作製を実現しており、OFETの大きな利点である安価なデバイス作製に大きく貢献している。またレーザーを用いた電極作製法では2μm程度のチャネル長を有する電極パターニングの作製にも成功しており、デバイスの微細化という利点も有している。このカーボン電極を用いてボトムコンタクト型のペンタセントランジスタの作製を行うと、10^<-1>cm^2/Vsオーダーの比較的高いキャリア移動度が観測された。トランスファーライン法によってこのペンタセントランジスタの接触抵抗を行うと、金電極のものよりも二桁以上低い接触抵抗を示し、また有機電極として知られる(TTF)(TCNQ)電極のものと同程度の接触抵抗を示した。このことからカーボン電極で得られた高いパフォーマンスは低い接触抵抗を実環したことに由来するものと考えられる。また他の有機半導体を用いたトランジスタにおいてもキャリア移動度の比較を行うと、活性層材料種によらず金電極より高いキャリア移動度を与えた。またカーボン電極はp型半導体のみではなく、n型半導体に対しても有効であり、さらにP3HTのようにウェットプロセスにおいても有効であることが示された。
The electrode material has a large influence on the OFET characteristics and the stable interface is formed. The electrode material has a large influence on the OFET characteristics and the stable interface is formed. The stability of the metal surface is relatively stable, and the stability of the metal surface is relatively stable. The presence of metal and organic compounds in the middle of the injection barrier The method of manufacturing the electrode is to use the method of manufacturing the electrode. The use of these materials in the production of conductive materials is a major contribution to the production of OFET. The electrode manufacturing method of the present invention has the advantages that the electrode length is about 2μm, and the electrode manufacturing method is successful in reducing the size of the electrode. For example, if the electrode is used, the operation of the electrode will be determined by comparing the mobility of the electrode with the operation of the electrode<-1>. The contact resistance of gold electrode is higher than that of organic electrode. The contact resistance of organic electrode is higher than that of TTF (TCNQ) electrode. This is the first time I've ever seen a woman who's been in contact with someone else. Comparison of mobility of other organic semiconductor materials P3HT is the most important type of semiconductor in the world.

项目成果

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专利数量(0)
Air stability of n-channel organic transistors based on nickel coordination compounds
  • DOI:
    10.1016/j.orgel.2007.06.007
  • 发表时间:
    2007-12
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    H. Wada;Tomohiro Taguchi;Bunpei Noda;T. Kambayashi;Takehiko Mori;K. Ishikawa;H. Takezoe
  • 通讯作者:
    H. Wada;Tomohiro Taguchi;Bunpei Noda;T. Kambayashi;Takehiko Mori;K. Ishikawa;H. Takezoe
Contact resistance and electrode material dependence of air-stable n-channel organic field-effect transistors using dimethyldicyanoquinonediimine (DMDCNQI)
  • DOI:
    10.1039/b808435a
  • 发表时间:
    2008-08
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Wada;K. Shibata;Y. Bando;Takehiko Mori
  • 通讯作者:
    H. Wada;K. Shibata;Y. Bando;Takehiko Mori
Contact resistance of dibenzotetrathiafulvalene-based organic transistors with metal and organic electrodes
  • DOI:
    10.1063/1.2834374
  • 发表时间:
    2008-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    K. Shibata;K. Ishikawa;H. Takezoe;H. Wada;Takehiko Mori
  • 通讯作者:
    K. Shibata;K. Ishikawa;H. Takezoe;H. Wada;Takehiko Mori
Solution-processed carbon electrodes for organic field-effect transistors
  • DOI:
    10.1063/1.3037226
  • 发表时间:
    2008-11
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    H. Wada;Takehiko Mori
  • 通讯作者:
    H. Wada;Takehiko Mori
炭素電極及び炭素電極の製造方法、有機トランジスタ及び有機トランジスタの製造法
碳电极及其制造方法、有机晶体管及其制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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和田 拓其他文献

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