シリコン結合量子ドットを用いたナノ情報デバイスの研究

利用硅键合量子点的纳米信息器件研究

基本信息

  • 批准号:
    07J10625
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

シリコン系量子コンピュータ実現へ向けた基礎研究として、シリコン2重結合量子ドット中の電子輸送特性の評価を進めている。シリコン2重結合量子ドットに閉じ込められた電子の物性を解明することは、量子情報技術において極めて重要な意味を持つ。特に、シリコン量子ドット中電子スピンを利用した量子ビット(量子コンピュータの基本単位)作製を目指している。シリコン量子ドットは高解像度の電子線露光、エッチング、熱酸化の技術を用いてシリコン基板上に作製する。当該年度はくびれを持たせた量子ドットとサイドゲートを持った構造上に、さらにトップゲートを配置した構造を提案し、構造作製、低温電気特性評価を行った。トッププゲートにより2次元反転電荷をシリコン表面に形成し、サイドゲートにより量子ドットのポテンシャル制御及びトンネルバリア制御を行う。本構造は構造制御と電圧制御の両面を用いたデバイスである。測定温度4.5Kでこれまでより明瞭な直列2重結合量子ドットの電荷3重点を観測した。さらに多重量子ドット起因のランダムな電流振動特性が観測されず、大幅にデバイス特性を改善することが出来た。また、実験から求めたゲートキャパシタンスを理論計算と比較することで、量子ドットの配置、サイズを確かめることが出来た。さらに、結合量子ドットの量子ドット間静電結合をサイドゲートでこれまでよりも極めて明瞭に制御することに成功した。この基本的構造を用いることで、将来のシリコン系量子情報デバイスへ向けた可能性が拡がると考えられる。
Basic research on quantum chemistry and electron transport characteristics in quantum chemistry The quantum information technology is very important for understanding the physical properties of electrons. Special, quantum, electron, quantum, electron, electron High resolution electron beam exposure, high resolution electron beam deposition, and thermal acidification techniques are used to fabricate high resolution electron beam substrates. When the year is over, the structure of the structure, the structure of the structure and the low temperature electrical characteristics are evaluated. The two-dimensional inverse charge is formed on the surface of the crystal, and the quantum control is carried out. This structure is used for structural control and voltage control. The measurement temperature is 4.5K, and it is clear that the in-line 2-fold combination of quantum dots and the charge 3-point measurement. The current vibration characteristics of multiple quantum devices are measured and greatly improved. For example, if you want to compare the theoretical calculation, you can choose the quantum configuration. The combination of quantum particles and electrostatic binding between quantum particles is successful. The basic structure of quantum information is used in the future.

项目成果

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专利数量(0)
シリコン量子ドットデバイスの制御性向上に関する検討
提高硅量子点器件可控性的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山端元音;土屋良重;水田博;内田建;小田俊理
  • 通讯作者:
    小田俊理
Control of electrostatic coupling observed for Si double quantum dot structures
硅双量子点结构观察到的静电耦合控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    G. Yamahata;Y. Tsuchiya;S. Oda and H. Mizuta
  • 通讯作者:
    S. Oda and H. Mizuta
Silicon-based Quantum Information Devices
硅基量子信息器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中嶋 祥博;笹田 一郎;本城勇介・町田裕樹・森口周二・原隆史・沢田和秀・八嶋厚;Gento Yamahata
  • 通讯作者:
    Gento Yamahata
トップゲートとサイドゲートによるシリコン結合量子ドットの静電結合制御
使用顶栅和侧栅对硅键合量子点进行电容耦合控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山端元音;小寺哲夫;水田博;内田建;小田俊理
  • 通讯作者:
    小田俊理
Electron transport through silicon multiple quantum dot array devices
通过硅多量子点阵列器件的电子传输
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    笹田一郎;村上雅則;C. B. Li;G. Yamahata
  • 通讯作者:
    G. Yamahata
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山端 元音;Sungguen Ryu;Nathan Johnson;H. -S. Sim;藤原 聡;片岡 真哉
  • 通讯作者:
    片岡 真哉

山端 元音的其他文献

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