カーボンナノチューブの光物性と光電子デバイス応用に関する研究
カーボンナノチューブの光物性と光電子デバイス応用に関する研究
批准号:
18710086
负责人:
大野 雄高
金额:
$2.24万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2007
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まず、カーボンナノチューブの発光特性について環境の効果について調べた。微細グレーティング構造を形成した石英基板上にカーボンナノチューブを成長し,架橋カーボンナノチューブ構造を得るとともに,様々な誘電率の異なる有機溶媒中に浸潤し,フォトルミネッセンスを測定した。その結果,ナノチューブの励起子遷移エネルギーが環境の誘電率の増加に伴って,べき乗則で低エネルギー側にシフトすることを見出し,それが電子間反発相互作用の誘電遮蔽効果に起因することを明らかにした。なお,電子・ホール結合相互作用の誘電遮蔽効果に比べ,電子間反発相互作用の誘電遮蔽効果の方が大きいことが示された。また,カイラリティに依存してエネルギーシフトの大きさかが異なることを見出し,それが電子・正孔の有効質量に起因することを明らかにした。また、ナノチューブを有機溶媒中に浸潤した場合に発光強度が減衰することを見出し,その原因をフェムト秒時間分解フォトルミネッセンスから調べた。励起強度相関法による時間分解測定系を構築し,赤外域においてフェムト秒の分解能で時間分解発光計測を可能とした。大気中においては,減衰曲線は2つの指数関数の和で表され,早い寿命が26ps,遅い寿命が293psであった。媒中においては,大気中に比べて相関信号が減衰するとともに,寿命が5psと大幅に短くなった。このことから,ナノチューブと有機溶媒の界面に再結合中心が形成されることが示唆され,ナノチューブと吸着分子との相互作用の理解が課題であることを明らかにした。一方,1本の架橋ナノチューブをチャネルとするナノチューブトランジスタを作成する技術を開発するととともに,そのフォトルミネッセンスと光電流を同時に観測することに成功した。これらのバイアス電圧依存性から、1本のナノチューブの光吸収断面積を明らかにした。また、基板上に配置したナノチューブの場合、架橋ナノチューブに比べて、光電流スペクトルの半値幅が大きいことを見出し、基板とナノチューブの界面において、ナノチューブのバンド構造を変調する機構が存在することを明らかにした。これらの成果はナノチューブの表界面について重要な知見を明らかにしており、9編の論文(解説論文3編を含む)にまとめられている。
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DOI:
10.1016/j.cplett.2007.06.018
发表时间:
2007-07-17
期刊:
CHEMICAL PHYSICS LETTERS
影响因子:
2.8
作者:
[Miyauchi, Y., Saito, R., Maruyama, S.]
通讯作者:
Maruyama, S.
Environmental dielectric screening effect on exciton transition energies in single-walled carbon nanotubes
环境介电屏蔽对单壁碳纳米管激子跃迁能的影响
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
arXiv : cond-mat. mtrl-sci 0704
影响因子:
--
作者:
[Y.Ohno, 他5名]
通讯作者:
他5名
Photocurrent and photoluminescence spectroscopy in carbon nanotube FETs
碳纳米管 FET 中的光电流和光致发光光谱
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[A. Kobayashi, Y. Ohno]
通讯作者:
Y. Ohno
Chirality-dependent environmental effect in photoluminescence of single-walled carbon nanotubes
单壁碳纳米管光致发光中手性依赖的环境效应
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Physical Review B 73巻
影响因子:
--
作者:
[大野, 水谷, 村上 他3名]
通讯作者:
村上 他3名
カーボンナノチューブデバイスにおける環境効果(招待講演)
碳纳米管器件的环境效应(特邀报告)
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Y.Ohno, 他5名, 大野雄高]
通讯作者:
大野雄高
共 20 条
Scientific research on carbon nanotube-based analog integrated circuits with stretching ability
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批准号:20H00243
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$28.79万
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财政年份:2020
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负责人:大野 雄高
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依托单位:
GaN HEMTにおける高電界現象の顕微エレクトロルミネッセンス分光解析
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批准号:13750305
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:大野 雄高
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依托单位:
共鳴トンネル素子を用いた光・電子融合素子に関する研究
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批准号:99J00688
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1999
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负责人:大野 雄高
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依托单位:
海外基金