课题基金 / 基金详情

マイクロビーズアレイを用いた半導体レーザ励起蛍光免疫センサに関する研究

マイクロビーズアレイを用いた半導体レーザ励起蛍光免疫センサに関する研究
微珠阵列半导体激光激发荧光免疫传感器的研究
批准号:
18710120
负责人:
上向井 正裕
金额:
$2.24万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2007

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本年度はマルチスポットアレイ放射グレーティング結合器を集積した赤色半導体レーザを設計・作製して動作確認することに重点を置いて研究を行い、以下の成果を得た。1.多焦点位相シフトグレーティング結合器の設計2次元マイクロビーズアレイを1本のレーザで均一に照射できるよう、2次元マルチスポットアレイ放射グレーティング結合器を提案した。単焦点集光型グレーティング結合器のグレーティングラインに周期的な位相シフトを与えることで多焦点の表面放射光が発生できることを明らかにし、スポット径50μm、中心間隔400μmで光強度の等しい3×3のスポットアレイが得られる多焦点位相シフトグレーティング結合器の設計を行った。2.マルチスポットアレイ放射赤色分布ブラッグ反射型レーザGaInP量子井戸導波路を用い、多焦点位相シフトグレーティング結合器を集積した赤色分布ブラッグ反射型レーザを作製した。量子井戸選択的無秩序化により受動導波路吸収損失を低減するとともに、曲線走査電子ビーム描画と半導体微細加工により周期0.19μmの多焦点位相シフトグレーティング結合器を作製した。作製したレーザをCW駆動で測定し、グレーティング結合器から波長653nm、出力光パワー0.25mWの表面放射光が得られた。この表面放射光をCCDカメラで観察したところ、3×3の同程度の光強度のマルチスポットアレイが得られた。このときスポット径と中心間隔はほぼ設計通りの値となり、1本のレーザで2次元マイクロビーズアレイを励起可能なマルチスポットアレイ放射赤色半導体レーザの実現に成功した。
英文摘要
本年度はマルチスポットアレイ放射グレーティング結合器を集積した赤色半導体レーザを設計・作製して動作確認することに重点を置いて研究を行い、以下の成果を得た。1.多焦点位相シフトグレーティング結合器の設計2次元マイクロビーズアレイを1本のレーザで均一に照射できるよう、2次元マルチスポットアレイ放射グレーティング結合器を提案した。単焦点集光型グレーティング結合器のグレーティングラインに周期的な位相シフトを与えることで多焦点の表面放射光が発生できることを明らかにし、スポット径50μm、中心間隔400μmで光強度の等しい3×3のスポットアレイが得られる多焦点位相シフトグレーティング結合器の設計を行った。2.マルチスポットアレイ放射赤色分布ブラッグ反射型レーザGaInP量子井戸導波路を用い、多焦点位相シフトグレーティング結合器を集積した赤色分布ブラッグ反射型レーザを作製した。量子井戸選択的無秩序化により受動導波路吸収損失を低減するとともに、曲線走査電子ビーム描画と半導体微細加工により周期0.19μmの多焦点位相シフトグレーティング結合器を作製した。作製したレーザをCW駆動で測定し、グレーティング結合器から波長653nm、出力光パワー0.25mWの表面放射光が得られた。この表面放射光をCCDカメラで観察したところ、3×3の同程度の光強度のマルチスポットアレイが得られた。このときスポット径と中心間隔はほぼ設計通りの値となり、1本のレーザで2次元マイクロビーズアレイを励起可能なマルチスポットアレイ放射赤色半導体レーザの実現に成功した。
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科研奖励(0)
会议论文
Surface-emitting red DBR laser array for semiconductor laser-induced fluorescence biosensing
用于半导体激光诱导荧光生物传感的表面发射红光 DBR 激光阵列
DOI: --
发表时间: 2007
期刊:
影响因子: --
作者: [M.Uemukai, Y.Yamada and T.Suhara]
通讯作者: Y.Yamada and T.Suhara
半導体レーザ励起蛍光バイオセンシング用表面放射赤色DBRレーザアレイ
用于半导体激光激发荧光生物传感的表面发射红光 DBR 激光阵列
DOI: --
发表时间: 2007
期刊:
影响因子: --
作者: [上向井正裕, 山田恭央, 栖原敏明]
通讯作者: 栖原敏明
光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
  • 批准号:
    23K26572
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $6.32万
  • 财政年份:
    2024
  • 负责人:
    上向井 正裕
  • 依托单位:
光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究
  • 批准号:
    23H01879
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $12.06万
  • 财政年份:
    2023
  • 负责人:
    上向井 正裕
  • 依托单位:
半導体レーザ・フォトダイオードを集積したセルソータマイクロチップに関する研究
  • 批准号:
    16710100
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $2.37万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    上向井 正裕
  • 依托单位:
グレーティング素子と量子井戸レーザを用いた半導体モノリシック光集積デバイスの研究
  • 批准号:
    99J01796
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $2.3万
  • 财政年份:
    1999
  • 负责人:
    上向井 正裕
  • 依托单位:
海外基金