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スピンホール効果の電気的検出とスピン流による磁性体磁化反転への応用

自旋霍尔效应的电学检测及其在自旋电流磁性材料磁化反转中的应用

基本信息

批准号：
18760003
负责人：
好田誠
金额：
$ 2.3万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2007
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は、微小強磁性体磁化過程の評価及びスピンホール効果の電気的検出に必要な半導体におけるスピン軌道相互作用について以下の知見を得た。(1)漏洩磁場が抑制できる強磁性体リング構造の最適化リング外径をd_0=800nmに固定し、内径をd_i=200〜600nmまで変化させた際の強磁性体Feリング配列における磁化反転過程を調べたところ、リング内径の減少に伴いOnion状態が安定となった。マイクロマグネティックシミュレーションとの比較から、d_i=600nmのリングでは磁気モーメントがリング周に沿うため漏洩磁場が抑制され、隣接リング間との静磁的相互作用が減少し、d_i=200リングよりも早くOnion状態に転移することが明らかとなった。(2)磁性体と半導体ホール素子の組み合わせによる単一磁性体磁気特性の高感度検出単一磁性体の磁化過程を評価するため、InAlAs/InGaAs2次元電子ガスを用いたホール素子上に外形800nm、内径600nmのFe/Au/Fe3層リング構造を作製し、局所ホール効果による磁化過程の電気的検出を行った。その結果、上下強磁性体Feリングの磁化過程を独立して検出可能となり、中間のAu膜厚増大に伴う、上下Feリングの静磁的相互作用の変化を観測することに成功した。(3)Fe/MgO/GaAsトンネル接合の最適化前年度のFePt/MgO/LED構造による電気的スピン注入の光学的検出では1%の偏光率が得られた。断面TEMによる接合界面の評価により、MgO/GaAs界面にアモルファス層の生成が確認されスピン注入効率低下の原因と考えられる。そこで、GaAs/MgO界面での化合物生成を抑制するため室温によるMgO成膜を試み、FeptのMgO膜厚に対する磁気特性及びトンネル接合の電気特性を評価した。 MgO膜厚を3nm-7nmまで変化させFePtを成膜したところ、すべてMgO膜厚において面直磁気異方性を有するFePt薄膜が実現できた。I-V特性からMgO3nmではFePt/GaAsショットキバリアを介したトンネル電流、5,7nmではMgOバリアを介したトンネル電流が支配的であることを明らかにした。

This year, the evaluation of magnetization process of micro-ferromagnetic materials and the discovery of electric energy necessary for semiconductor and orbital interaction were obtained. (1)The leakage magnetic field is suppressed, and the ferromagnetic material structure is optimized. The outer diameter is fixed at d_0 = 800 nm, and the inner diameter is fixed at d_1 = 200~600 nm. The magnetization inversion process is adjusted, and the inner diameter is reduced. The Onion state is stable. The magnetic field leakage is suppressed along the cycle and the magnetostatic interaction between adjacent rings is reduced. The magnetic field leakage is reduced. (2)High sensitivity detection of magnetization process of magnetic materials and semiconductor elements. InAlAs/InGaAs 2-D electron scattering. Fe/Au/Fe 3-layer structure with an outer diameter of 800 nm and an inner diameter of 600 nm As a result, the magnetization process of the upper and lower ferromagnetic layers is independently detected, the thickness of the intermediate Au film increases, and the magnetostatic interaction of the upper and lower ferromagnetic layers is successfully measured. (3)Fe The polarization ratio of FePt/MgO/LED structure before optimization of FePt/MgO/GaAs junction was 1% due to the electric field injection. The formation of MgO/GaAs interface layer was confirmed. The reason for the low injection efficiency was investigated. To evaluate the magnetic properties and electrical properties of GaAs/MgO film formation test and MgO film thickness test at room temperature. MgO film thickness of 3 nm-7 nm, FePt film formation, MgO film thickness of 3 nm-7 nm, FePt film formation. I-V characteristics: MgO3 nm, FePt/GaAs, MgO5, MgO7, MgO7, MgO7