ナノ構造高機能光学素子による新たな干渉計測システムの開発

使用纳米结构高性能光学元件开发新型干涉测量系统

• 批准号: 18760093
• 负责人: 水谷 康弘
• 金额: $ 2.18万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18760093/
• 关键词: ナノ構造; 反射防止構造; 斜入射干渉計; 表面構造; 厳密結合波解析; 干渉計; 界面; 微細周期構造

本研究の目的は,半導体プロセスのための斜入射反射防止効果のあるナノ構造光学素子を利用した超斜入射干渉計の開発を行うことである.また,ナノ構造素子の設計手法について検討する.さらに,設計・作製したナノ構造光学素子を斜入射干渉計に適用し,入射角度86度まで計測可能な干渉計測装置を作製した.特に,本年度は,前年度の研究によって設計・作製したナノ構造プリズムを用いて,超斜入射干渉計を作製した.また,ここでは,従来報告のあるシミュレーション手法である厳密結合波解析法(RCWA法)を用いて検討した.その結果,既存の反射防止構造を付与したプリズムに反射防止特性が得られることが分かり干渉計製作に適用した.干渉計の作製は,原理確認のためマッハチェンダー型干渉計を自製作した.また,干渉解析に必要となる位相解析には,圧電素子による方法やPLZTのような強誘電性物質による屈折率制御などの新たな手法を検討した.今回は,PZT素子を用いた手法を干渉計に組み込んだ.また,PLZTを用いた手法が有効であることがわかった.以上の斜入射干渉計を製作,実証を行い半導体デバイスの計測に適用した.なお,研究成果は, Optical Engineering誌に投稿する予定である.

The purpose of this study is to use the optical element structure of the semiconductor device to prevent oblique incident reflections and use the super oblique incident interference meter to open the 発を行 and use it.る.また,について検検曰する.さらに,したたナノstructural optical element, designed and produced by the design technique of the について検てに. The degree of measurement is possible and the measuring device is manufactured by the manufacturer. Special, this year's research, the previous year's research, the design and production of the structure, and the super oblique incidence. The plan of doing the work is made, and the report is made. Technique: Closely coupled wave analysis method (RCWA method). As a result, the existing anti-reflection structure has been applied to the anti-reflection characteristics of the existing anti-reflection structure. Confirmation of self-made interference meter, interference analysisにNecessary Phase Analysis には, Pressure Electron Element による Method PLZT のようなStrongly electrostatic material によるReflection rate controlなどの新たなtechniqueを検questionした.Nowbackは,PZTprimeを用いた Techniqueを干渉calculationにgroupみ込んだ.また,PLZTをThe method used is effective and effective. The above oblique incidence interference meter is produced, and the research results of the above oblique incidence interference meter are proved to be applicable to the semiconductor measurement method. Submissions to Optical Engineering are scheduled to be submitted.