Noncontact Temperature Measurement During Rapid Thermal Annealing and Investigation on Impurity Activation
Noncontact Temperature Measurement During Rapid Thermal Annealing and Investigation on Impurity Activation
快速热退火过程中的非接触式温度测量和杂质激活研究
批准号：
19360187
负责人：
HIGASHI Seiichiro
金额：
$11.65万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
中文摘要
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英文摘要
Activation of As and B atoms in Silicon wafer surface by thermal plasma jet (TPJ) annealing has been investigated. The sheet resistance of B-implanted samples saturates at an annealing temperature higher than 1400K, while it is 1000K in the case of As-implanted samples. In the case of As, not only the annealing temperature, but faster heating and cooling rates play important role to achieve efficient activation.
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大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用
大气压热等离子体射流硅薄膜微秒熔融结晶及其在高性能TFT制造中的应用
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DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, H. Furukawa, H. Furukawa, 東清一郎]
通讯作者：
東清一郎
熱プラズマジエットによるミリ秒急速熱処理とその半導体プロセス応用(第44回応用物理学会スクール「安価、簡単、便利〜大気圧プラズマの基礎と応用〜」)
使用热等离子体射流的毫秒快速热处理及其在半导体工艺中的应用（第44届日本应用物理学会“便宜、简单、方便 - 大气压等离子体的基础和应用”）
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Sugakawa, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, S. Miyazaki, 東 清一郎]
通讯作者：
東 清一郎
Formation of Source and Drain for Polycrystalline Si Thin Film Transistors Using Thermal Plasma Jet lnduced Impurity Activation
利用热等离子体射流诱导杂质激活形成多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极
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DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[古川 弘和, 他, H. Kaku]
通讯作者：
H. Kaku
In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing
毫秒快速热退火过程中硅片温度的原位监测
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DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
ECS Transactions 13
影响因子：
--
作者：
[T. Okada, T. Okada, H. Furukawa, H. Furukawa]
通讯作者：
H. Furukawa
結晶化・相変化への応用 熱プラズマジェットによるアモルファスシリコンの結晶化
结晶和相变中的应用热等离子体射流非晶硅结晶
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, H. Furukawa, H. Furukawa, 東清一郎, 松本和也, S. Higashi, 松本和也, 東清一郎, 東清一郎]
通讯作者：
東清一郎
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