Study of insulator/Si interfaces and their stress using a monoenergetic positron beam

使用单能正电子束研究绝缘体/硅界面及其应力

• 批准号: 19360285
• 负责人: UEDONO Akira
• 金额: $ 9.32万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360285/
• 关键词: 陽電子消滅; 低速陽電子ビーム; 絶縁膜; 低速陽電子; 絶縁膜界面

We developed an analysis method for metal oxides/semiconductor structures based on the positron annihilation technique to study device processes. Using monoenergetic positron beams, XPS, and measurements of the electric properties of samples, we characterized TiN/SiO_2/Si HfSiO_x/Si CVD-SiO_2, and SiO_2 to study the relationship between point defects and the electric properties. We also studied low-k materials and barrier metals in Cu/low-k structures.

我们发展了一种基于正电子湮没技术的金属氧化物/半导体结构的分析方法来研究器件工艺。利用单能正电子束、XPS和电性能测试等手段，对TiN/SiO_2/SiHfSiO_x/SiCVD-SiO_2和SiO_2样品进行了表征，研究了点缺陷与电性能的关系。我们还研究了Cu/low-k结构中的low-k材料和势垒金属。

项目成果

低速陽電子ビームを用いた配線構造中のLow-k膜及びCu配線の欠陥評価

使用慢正电子束评估互连结构中低 k 膜和铜互连的缺陷

• 发表时间: 2010
• 期刊: 電子デバイスにおける原子輸送・応力問題 第15回研究会予稿集
• 作者: 上殿明良;他
• 通讯作者: 他

低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出

使用慢正电子束检测 Cu/低 k 互连结构中的缺陷

• 发表时间: 2010
• 作者: H. Tanimoto;K. Yamada;H. Mizubayashi;Y. Matsumoto;H. Naramoto;S. Sakai;A.Uedono;上殿明良,井上尚也,林喜宏,江口和弘,中村友二,廣瀬幸範,吉丸正樹,大島永康,大平俊行,鈴木良一
• 通讯作者: 上殿明良,井上尚也,林喜宏,江口和弘,中村友二,廣瀬幸範,吉丸正樹,大島永康,大平俊行,鈴木良一

陽電子の基礎と最先端

正电子的基础和前沿

• 发表时间: 2010
• 作者: 上殿明良;et al.;大島永康;A. Uedono;上殿明良,石橋章司,大島永康,大平俊行,鈴木良一
• 通讯作者: 上殿明良,石橋章司,大島永康,大平俊行,鈴木良一

Vacancy-Boron Complexes in Plasma Immersion Ion-Implanted Si Probed by a Monoenergetic Positron Beam

• DOI: 10.1143/jjap.49.051301
• 发表时间: 2010-05
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: A. Uedono;K. Tsutsui;S. Ishibashi;Hiromichi Watanabe;S. Kubota;Y. Nakagawa;B. Mizuno;T. Hattori;H. Iwai

Annealing properties of open volumes in strained SiN films studied by monoenergetic positron beams

• DOI: 10.1063/1.2781571
• 发表时间: 2007-09
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: A. Uedono;Kazuki Ito;T. Narumi;M. Sometani;K. Yamabe;Y. Miyagawa;T. Murata;K. Honda;N. Hattori;M. Matsuura;K. Asai;T. Ohdaira;R. Suzuki