Development of HW-CVD technique with a radical source and application to preparation of doped nanocrystalline thin films
Development of HW-CVD technique with a radical source and application to preparation of doped nanocrystalline thin films
自由基源HW-CVD技术的发展及其在掺杂纳米晶薄膜制备中的应用
批准号：
19560314
负责人：
TABATA Akimori
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
シラン・メタンを原料としたホットワイヤー化学気相成長(HW-CVD)法によるn型およびp型ナノ結晶SiC薄膜の作製に関する研究を行った。(1)予備実験として、N2のHW上での分解を調べ、N_2がHW-CVD法においても有用なN源であることを明らかにした。(2)N_2およびH_2ガス流量を制御して膜の結晶性およびN混入量の制御を図ることにより、高い電気伝導度を有するNドープn型膜の作製に成功した。(3)ラジカル源を併用することにより、固体源をドーパントとしても不純物添加ができ、p型膜の作製の可能性を示した
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
N_2ガスをドーピング原料としたn型ナノ結晶3 C-SiC薄膜の開発
以N_2气体为掺杂材料的n型纳米晶3C-SiC薄膜的研制
以N_2气体为掺杂材料的n型纳米晶3C-SiC薄膜的研制
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[星出純希, 田畑彰守, 北川明彦, 近藤明弘]
通讯作者：
近藤明弘
Improvement of electrical properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC thin films prepared by hot-wire CVD at high H_2-dilution
高H_2稀释热线CVD制备n型纳米晶3C-SiC薄膜电学性能的改善
高H_2稀释热线CVD制备n型纳米晶3C-SiC薄膜电学性能的改善
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Mazaki, A. Tabata. Kitagawa, A. Kondo, N. Ikenaga, Y. Hoshide A. Tabata]
通讯作者：
Y. Hoshide A. Tabata
H_2 decomposition by hot wire and N_2 post-deposition treatment on hydrogenated microcrystalline silicon thin films
氢化微晶硅薄膜的热丝分解H_2及N_2沉积后处理
氢化微晶硅薄膜的热丝分解H_2及N_2沉积后处理
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Thin Solid Films 517
影响因子：
--
作者：
[M. Koji, A. Tabata, A. Kitagawa, A. Kondo]
通讯作者：
A. Kondo
ガラス基板上へのn型ナノ結晶3C-SiC薄膜の低温堆積とその高品質化
玻璃基板上n型纳米晶3C-SiC薄膜的低温沉积及其质量提升
玻璃基板上n型纳米晶3C-SiC薄膜的低温沉积及其质量提升
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[星出純希, 田畑彰守, 北川明彦, 近藤明弘]
通讯作者：
近藤明弘
H_2 decomposition by hot wire and N2 post-deposition treatment on hydrogenated microcrystalline silicon thin films
氢化微晶硅薄膜的热丝分解H_2及N2沉积后处理
氢化微晶硅薄膜的热丝分解H_2及N2沉积后处理
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Koji, A. Tabata, A. Kitagawa, A. Kondo]
通讯作者：
A. Kondo
共 12 条
海外基金