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Development of HW-CVD technique with a radical source and application to preparation of doped nanocrystalline thin films

Development of HW-CVD technique with a radical source and application to preparation of doped nanocrystalline thin films
自由基源HW-CVD技术的发展及其在掺杂纳米晶薄膜制备中的应用
批准号：
19560314
负责人：
TABATA Akimori
金额：
$2.66万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560314/
关键词：
ホットワイヤー化学気相成長法ラジカル源ナノ結晶炭化シリコンドーピングN_2分解

项目摘要

项目成果

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翻译
シラン・メタンを原料としたホットワイヤー化学気相成長(HW-CVD)法によるn型およびp型ナノ結晶SiC薄膜の作製に関する研究を行った。(1)予備実験として、N2のHW上での分解を調べ、N_2がHW-CVD法においても有用なN源であることを明らかにした。(2)N_2およびH_2ガス流量を制御して膜の結晶性およびN混入量の制御を図ることにより、高い電気伝導度を有するNドープn型膜の作製に成功した。(3)ラジカル源を併用することにより、固体源をドーパントとしても不純物添加ができ、p型膜の作製の可能性を示した
英文摘要
シラン・メタンを原料としたホットワイヤー化学気相成長(HW-CVD)法によるn型およびp型ナノ結晶SiC薄膜の作製に関する研究を行った。(1)予備実験として、N2のHW上での分解を調べ、N_2がHW-CVD法においても有用なN源であることを明らかにした。(2)N_2およびH_2ガス流量を制御して膜の結晶性およびN混入量の制御を図ることにより、高い電気伝導度を有するNドープn型膜の作製に成功した。(3)ラジカル源を併用することにより、固体源をドーパントとしても不純物添加ができ、p型膜の作製の可能性を示した
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作者： [星出純希, 田畑彰守, 北川明彦, 近藤明弘]
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