Development of HW-CVD technique with a radical source and application to preparation of doped nanocrystalline thin films

自由基源HW-CVD技术的发展及其在掺杂纳米晶薄膜制备中的应用

• 批准号: 19560314
• 负责人: TABATA Akimori
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560314/
• 关键词: ホットワイヤー化学気相成長法; ラジカル源; ナノ結晶; 炭化シリコン; ドーピング; N_2分解

シラン・メタンを原料としたホットワイヤー化学気相成長(HW-CVD)法によるn型およびp型ナノ結晶SiC薄膜の作製に関する研究を行った。(1)予備実験として、N2のHW上での分解を調べ、N_2がHW-CVD法においても有用なN源であることを明らかにした。(2)N_2およびH_2ガス流量を制御して膜の結晶性およびN混入量の制御を図ることにより、高い電気伝導度を有するNドープn型膜の作製に成功した。(3)ラジカル源を併用することにより、固体源をドーパントとしても不純物添加ができ、p型膜の作製の可能性を示した

The preparation of n-type and p-type crystalline SiC films by chemical vapor deposition (HW-CVD) was studied. (1)For example, N_2 and HW-CVD method can be used to prepare N_2 and N_2. (2)N N-type films with high conductivity were successfully fabricated by controlling the crystallinity and N incorporation of the films with high H_2 flux. (3)The possibility of manufacturing a p-type film by adding impurities to a solid state film is shown.

项目成果

N_2ガスをドーピング原料としたn型ナノ結晶3 C-SiC薄膜の開発

以N_2气体为掺杂材料的n型纳米晶3C-SiC薄膜的研制

• 发表时间: 2008
• 作者: 星出純希;田畑彰守;北川明彦;近藤明弘
• 通讯作者: 近藤明弘

Improvement of electrical properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC thin films prepared by hot-wire CVD at high H_2-dilution

高H_2稀释热线CVD制备n型纳米晶3C-SiC薄膜电学性能的改善

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Mazaki;A. Tabata. Kitagawa;A. Kondo;N. Ikenaga;Y. Hoshide A. Tabata
• 通讯作者: Y. Hoshide A. Tabata

H_2 decomposition by hot wire and N_2 post-deposition treatment on hydrogenated microcrystalline silicon thin films

氢化微晶硅薄膜的热丝分解H_2及N_2沉积后处理

• 发表时间: 2009
• 期刊: Thin Solid Films 517
• 作者: M. Koji;A. Tabata;A. Kitagawa;A. Kondo
• 通讯作者: A. Kondo

ガラス基板上へのn型ナノ結晶3C-SiC薄膜の低温堆積とその高品質化

玻璃基板上n型纳米晶3C-SiC薄膜的低温沉积及其质量提升

• 发表时间: 2008
• 作者: 星出純希;田畑彰守;北川明彦;近藤明弘
• 通讯作者: 近藤明弘

H_2 decomposition by hot wire and N2 post-deposition treatment on hydrogenated microcrystalline silicon thin films

氢化微晶硅薄膜的热丝分解H_2及N2沉积后处理

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Koji;A. Tabata;A. Kitagawa;A. Kondo
• 通讯作者: A. Kondo