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Research on computational analysis of interface defective structure of oxide film of silicon carbide semiconductor

Research on computational analysis of interface defective structure of oxide film of silicon carbide semiconductor
碳化硅半导体氧化膜界面缺陷结构计算分析研究
批准号：
19560329
负责人：
MIYASHITA Atsumi
金额：
$2.91万
依托单位：
Japan Atomic Energy Agency
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19560329/
关键词：
炭化ケイ素第一原理計算分子動力学界面構造欠陥準位炭化珪素半導体界面物理欠陥構造

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極限環境下で使用される素子として期待されている炭化ケイ素半導体デバイスは、素子特性向上のため界面欠陥構造を解析する事が急務となっている。酸化膜界面の原子・電子構造を解析するため、第一原理分子動力学計算コードを用いた加熱・急冷シミュレーションにて界面構造モデルを生成した所、実素子と同様な良好なアモルファス酸化膜界面構造を生成出来る温度プロファイルを決定する事に成功し、界面における微小原子接続構造を導出した。
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会议论文
Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC interface on C-face oxidation process : from first principles
C面氧化过程中SiO_2/4H-SiC界面的动态模拟：从第一原理开始
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Materials Science Forum 600-603
影响因子： --
作者： [T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida]
通讯作者： H. Tsuchida
シミュレーションによるアモルファスSiO2/SiC界面の生成 ~温度条件による界面構造の違い~
通过模拟生成非晶态 SiO2/SiC 界面〜根据温度条件的界面结构差异〜
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [宮下敦巳, 大沼敏治, 岩沢美佐子, 土田秀一, 吉川正人]
通讯作者： 吉川正人
Dynamical simulation of SiOa/4H-SiC interface on C-face oxidation process:from first principles
C面氧化过程中SiOa/4H-SiC界面的动态模拟：从第一原理开始
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Ohnuma, A. Miyashita, M. Iwasawa, M. Yoshikawa, H. Tsuchida]
通讯作者： H. Tsuchida
第一原理分子動力学法にて生成された大規模アモルファスSiO2/SiCモデルにおける界面構造
使用第一原理分子动力学方法生成的大规模非晶 SiO2/SiC 模型中的界面结构
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [宮下敦巳, 大沼敏治, 岩沢美佐子, 土田秀一, 吉川正人]
通讯作者： 吉川正人
共 32 条
    Research on interfacial defect clarification of silicon carbide semiconductor device oxide film using first-principle calculation analysis
    • 批准号：
      22560029
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.0万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      MIYASHITA Atsumi
    • 依托单位：
      Japan Atomic Energy Agency
    Research on atomic structure analysis of silicon carbide semiconductor single crystal and interface of oxide film
    • 批准号：
      17560298
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      2005
    • 负责人：
      MIYASHITA Atsumi
    • 依托单位：
      Japan Atomic Energy Agency
    海外基金