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Research on computational analysis of interface defective structure of oxide film of silicon carbide semiconductor
碳化硅半导体氧化膜界面缺陷结构计算分析研究
基本信息
- 批准号：19560329
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2008
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
極限環境下で使用される素子として期待されている炭化ケイ素半導体デバイスは、素子特性向上のため界面欠陥構造を解析する事が急務となっている。酸化膜界面の原子・電子構造を解析するため、第一原理分子動力学計算コードを用いた加熱・急冷シミュレーションにて界面構造モデルを生成した所、実素子と同様な良好なアモルファス酸化膜界面構造を生成出来る温度プロファイルを決定する事に成功し、界面における微小原子接続構造を導出した。
In the extreme environment, the use of silicon and carbon semiconductor is expected to be urgent, and the characteristics of silicon and carbon semiconductor are analyzed. The atomic and electronic structure of the interface of the acidified film was analyzed by first-principles molecular dynamics calculation. The interface structure of the acidified film was generated by heating and quenching. The atomic and electronic structure of the interface was successfully derived by determining the temperature of the interface.
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Dynamical simulation of SiO_2/4H-SiC interface on C-face oxidation process : from first principles
C面氧化过程中SiO_2/4H-SiC界面的动态模拟：从第一原理开始
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Ohnuma;A. Miyashita;M. Iwasawa;M. Yoshikawa;H. Tsuchida
- 通讯作者：H. Tsuchida
シミュレーションによるアモルファスSiO2/SiC界面の生成 ~温度条件による界面構造の違い~
通过模拟生成非晶态 SiO2/SiC 界面〜根据温度条件的界面结构差异〜
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：宮下敦巳;大沼敏治;岩沢美佐子;土田秀一;吉川正人
- 通讯作者：吉川正人
Dynamical simulation of SiOa/4H-SiC interface on C-face oxidation process:from first principles
C面氧化过程中SiOa/4H-SiC界面的动态模拟：从第一原理开始
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Ohnuma;A. Miyashita;M. Iwasawa;M. Yoshikawa;H. Tsuchida
- 通讯作者：H. Tsuchida
第一原理分子動力学法にて生成された大規模アモルファスSiO2/SiCモデルにおける界面構造
使用第一原理分子动力学方法生成的大规模非晶 SiO2/SiC 模型中的界面结构
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：宮下敦巳;大沼敏治;岩沢美佐子;土田秀一;吉川正人
- 通讯作者：吉川正人
Amorphous SiO2/SiC interface defect structure generated with first-principle molecular dynamics simulation
第一原理分子动力学模拟生成非晶SiO2/SiC界面缺陷结构
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A.Miyashita;T.Ohnuma;M.Iwasawa;H.Tsuchida;M.Yoshikawa
- 通讯作者：M.Yoshikawa
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