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Film formation utilizing bi-layer and (111)-slope on Si (001) substrate

Film formation utilizing bi-layer and (111)-slope on Si (001) substrate
利用双层和 (111) 斜率在 Si (001) 衬底上形成薄膜
批准号：
19569003
负责人：
SAITO Mitsufumi
金额：
$1.45万
依托单位：
University of Toyama
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19569003/
关键词：
ヘテロエピタキシャル成長インジウムアンチモン(InSb)シリコン(Si)MBEInSbSi

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究では、Si基板上における良質なInSb, AlInSb薄膜の形成を目指した。Si基板上での低消費電力高速論理回路のためのInSb-basedデバイス集積化を将来的な目標とする。Si基板とInSb,AlInSb間の大きな格子不整合の問題を解決するために、1)InSb/Si, AlInSb/Si間にInSb単分子層の導入2)Si(001)基板上に傾斜(111)面の形成、を行うことで、従来の直接成長と比べ、薄く品質の良い薄膜形成が可能である事を示した。
英文摘要
本研究では、Si基板上における良質なInSb, AlInSb薄膜の形成を目指した。Si基板上での低消費電力高速論理回路のためのInSb-basedデバイス集積化を将来的な目標とする。Si基板とInSb,AlInSb間の大きな格子不整合の問題を解決するために、1)InSb/Si, AlInSb/Si間にInSb単分子層の導入2)Si(001)基板上に傾斜(111)面の形成、を行うことで、従来の直接成長と比べ、薄く品質の良い薄膜形成が可能である事を示した。
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会议论文
High Quality InSb Films Grown on Si(111) Substrate via InSb Bi-Layer
DOI： 10.1380/ejssnt.2009.145
发表时间： 2009-03
期刊： E-journal of Surface Science and Nanotechnology
影响因子： 0.7
作者： [M. Mori;K. Nagashima;K. Ueda;T. Yoshida;C. Tatsuyama;K. Maezawa;M. Saito]
通讯作者： M. Mori;K. Nagashima;K. Ueda;T. Yoshida;C. Tatsuyama;K. Maezawa;M. Saito
Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001) substrate
V型槽Si(001)衬底上异质外延生长InSb薄膜
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Mori, M. Saito, H. Igarashi, T. Iwasugi, N. B. Ahmad, K. Murata, K. Maezawa, 岩杉 達矢, 上田 広司, 岩杉 達矢, Masayuki MORI]
通讯作者： Masayuki MORI
Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111) substrate
Si(111) 衬底上 InSb 双层介导旋转 AlInSb 层的异质外延生长
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Mori, M. Saito, H. Igarashi, T. Iwasugi, N. B. Ahmad, K. Murata, K. Maezawa, 岩杉 達矢, 上田 広司, 岩杉 達矢, Masayuki MORI, Mitsufumi SAITO, Masayuki MORI, Mitsufumi SAITO]
通讯作者： Mitsufumi SAITO
Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111)substrate
Si(111) 衬底上 InSb 双层介导旋转 AlInSb 层的异质外延生长
DOI： --
发表时间：
期刊： Phys. Stat. Sol.(c)(accepted) : Refereed
影响因子： --
作者： [M. Saito, M. Mori, K. Ueda, K. Maezawa]
通讯作者： K. Maezawa
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