Film formation utilizing bi-layer and (111)-slope on Si (001) substrate

利用双层和 (111) 斜率在 Si (001) 衬底上形成薄膜

• 批准号: 19569003
• 负责人: SAITO Mitsufumi
• 金额: $ 1.45万
• 依托单位: University of Toyama
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19569003/
• 关键词: ヘテロエピタキシャル成長; インジウムアンチモン(InSb); シリコン(Si); MBE; InSb; Si

本研究では、Si基板上における良質なInSb, AlInSb薄膜の形成を目指した。Si基板上での低消費電力高速論理回路のためのInSb-basedデバイス集積化を将来的な目標とする。Si基板とInSb,AlInSb間の大きな格子不整合の問題を解決するために、1)InSb/Si, AlInSb/Si間にInSb単分子層の導入2)Si(001)基板上に傾斜(111)面の形成、を行うことで、従来の直接成長と比べ、薄く品質の良い薄膜形成が可能である事を示した。

In this paper, we study the formation of high quality InSb, AlInSb thin films on Si and Si substrates. InSb-based integrated circuits for low power consumption on Si substrates The problem of large lattice disconformity between Si substrate and InSb,AlInSb is solved. 1)InSb monomer layer is introduced between InSb/Si, AlInSb/Si. 2) Inclined (111) plane is formed on Si(001) substrate.

项目成果

High Quality InSb Films Grown on Si(111) Substrate via InSb Bi-Layer

• DOI: 10.1380/ejssnt.2009.145
• 发表时间: 2009-03
• 期刊: E-journal of Surface Science and Nanotechnology
• 影响因子: 0.7
• 作者: M. Mori;K. Nagashima;K. Ueda;T. Yoshida;C. Tatsuyama;K. Maezawa;M. Saito

Heteroepitaxial growth of InSb films on V-grooved Si(001) substrate

V型槽Si(001)衬底上异质外延生长InSb薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Mori;M. Saito;H. Igarashi;T. Iwasugi;N. B. Ahmad;K. Murata;K. Maezawa;岩杉 達矢;上田 広司;岩杉 達矢;Masayuki MORI
• 通讯作者: Masayuki MORI

Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111) substrate

Si(111) 衬底上 InSb 双层介导旋转 AlInSb 层的异质外延生长

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Mori;M. Saito;H. Igarashi;T. Iwasugi;N. B. Ahmad;K. Murata;K. Maezawa;岩杉 達矢;上田 広司;岩杉 達矢;Masayuki MORI;Mitsufumi SAITO;Masayuki MORI;Mitsufumi SAITO
• 通讯作者: Mitsufumi SAITO

Heteroepitaxial growth of rotated AlInSb layer mediated by InSb bi-layer on Si(111)substrate

Si(111) 衬底上 InSb 双层介导旋转 AlInSb 层的异质外延生长

• 期刊: Phys. Stat. Sol.(c)(accepted) : Refereed
• 作者: M. Saito;M. Mori;K. Ueda;K. Maezawa
• 通讯作者: K. Maezawa

InSb単分子層を介したSi(111)基板上のAlInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長

单层 InSb 在 Si(111) 衬底上异质外延生长 AlInSb 薄膜

• 发表时间: 2008
• 作者: 中谷公彦;斉藤光史;上田広司;森雅之;前澤宏一
• 通讯作者: 前澤宏一