A Study on New Three-Dimensional Ultra High-Speed and Low-Loss Power Devices with Electric Field Effect Drift Layer

新型带电场效应漂移层三维超高速低损耗功率器件的研究

• 批准号: 19686019
• 负责人: CHENG Weitao
• 金额: $ 17.14万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19686019/
• 关键词: パワーデバイス; 電界効果ドリフト層; 3次元構造; コーナー丸め効果; 平坦化

本研究は、より環境にやさしい省エネルギー社会の実現に重要な役割をもつ高速かつ低損失パワーデバイスの実用を目指し、デバイス形成プロセスおよびパワーデバイスの構造そのものに着目し、チャンネル抵抗などオン抵抗を大幅に低減することに成功し、シリコン系でもワイドギャップ系でも応用可能な非常に高性能かつ低損失な新しい2次元および高集積度の3次元パワーデバイスを実現可能であることを実証した。

This study aims to provide guidance for the implementation of environmental protection and social protection, and to reduce the impact of environmental protection and social protection on society. The system is very high performance, low loss, high density, and high performance.

项目成果

Characterization of MOSFETs intrinsic performance using in-wafer advanced Kelvin-contact device structure for high performance CMOS LSIs

• DOI: 10.1109/icmts.2008.4509331
• 发表时间: 2008-03
• 期刊: 2008 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures
• 作者: R. Kuroda;A. Teramoto;T. Komuro;W. Cheng;S. Watabe;C. Tye;S. Sugawa;T. Ohmi

High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110)Surfaces

Si(100) 和 (110) 表面上的高性能累积模式 FD-SOI MOSFET

• 发表时间: 2007
• 作者: W. Cheng;A. Teramoto;R. Kuroda;C. Tye;T. Suwa;T Goto;F Imaizumi;S;Sugawa;T. Ohmi
• 通讯作者: T. Ohmi

A Study on Very High Performance Novel Balanced FD-SOI CMOSFETs on Si(110) Using Accumulation Mode Device Structure for RF Analog Circuits

射频模拟电路中采用累积模式器件结构的超高性能新型 Si(110) 平衡 FD-SOI CMOSFET 的研究

• 发表时间: 2008
• 作者: W. Cheng;A. Teramoto;C.F. Tye;R. Kuroda;S. Sugawa;T. Ohmi
• 通讯作者: T. Ohmi

Performance Boost Using a New Device Structure Design for SOI MOSFETs Beyond 25nm Node

使用新器件结构设计提高 25 纳米以上节点 SOI MOSFET 的性能

• 发表时间: 2007
• 期刊: Electrochemical Society Transactions Vol.11 No.6 ULSI Process Integration 5
• 作者: W. Cheng;A. Teramoto;T. Ohmi
• 通讯作者: T. Ohmi

Impact of Improved Mobilities and Suppressed 1/f Noise in Fully Depleted SOI MOSFETs Fabricated on Si (110) Surface

在 Si (110) 表面上制造的完全耗尽型 SOI MOSFET 中提高迁移率和抑制 1/f 噪声的影响

• 发表时间: 2007
• 期刊: ECS Transactions 6
• 作者: 末松英浩;香月勗;Y.Shimizu;Weitao Cheng
• 通讯作者: Weitao Cheng