Development and application of new kinetic theory for thermal oxidation of silicon replacing the Deal-Grove model

替代Deal-Grove模型的硅热氧化新动力学理论的发展与应用

• 批准号: 19686005
• 负责人: WATANABE Takanobu
• 金额: $ 15.97万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19686005/
• 关键词: 表面・界面; 電気・電子材料; ナノ構造形成・制御; 分子動力学法; 並列計算; 並列計算機

A new general rate equation for thermal oxidation of silicon was formulated. The rate equation is applicable to oxidation processes in dry and wet oxygen ambient, and explains a long-pending problem of a nonlinear oxygen pressure dependency observed in the dry oxidation. Atomistic structures of silicon oxide and germanium oxide films were modeled by means of molecular dynamics, through which the structural relaxation mechanism, diffusion behavior of oxidant molecules, stress distribution, heat transport and phonon mode decay processes are investigated.

建立了一个新的硅热氧化通用速率方程。该速率方程适用于干氧和湿氧环境中的氧化过程，并解释了干氧化中观察到的非线性氧压依赖性的长期悬而未决的问题。利用分子动力学模拟了氧化硅和氧化锗薄膜的原子结构，研究了结构弛豫机制、氧化剂分子的扩散行为、应力分布、热传输和声子模衰减过程。

项目成果

Strain-induced transconductance enhancement by pattern dependent oxidation in silicon nanowire field-effect transistors

• DOI: 10.1063/1.2812577
• 发表时间: 2007-11
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: A. Seike;T. Tange;Y. Sugiura;I. Tsuchida;Hiromichi Ohta;Takanobu Watanabe;D. Kosemura;A. Ogura;I. Ohdomari

GeO_2/Ge界面のストレス緩和の起源

GeO_2/Ge界面应力松弛的起源

• 发表时间: 2010
• 作者: 恩田知弥;山本英明;渡邉孝信
• 通讯作者: 渡邉孝信

酸化膜に覆われたシリコンナノ構造中の熱輸送シミュレーション

氧化膜覆盖的硅纳米结构的热传输模拟

• 发表时间: 2009
• 作者: 図師知文;渡邉孝信;大泊殻;鎌倉良成;谷口研二
• 通讯作者: 谷口研二

GeO_2/Ge界面構造の大規模モデリング

GeO_2/Ge界面结构的大规模建模

• 发表时间: 2008
• 作者: Yu Yamamoto;Atsushi Ogura;他;渡邉進;渡邉孝信
• 通讯作者: 渡邉孝信

Molecular Dynamics Simulation on Phonon Dynamics and Heat Transport in Nanoscale Silicon

纳米硅中声子动力学和热传输的分子动力学模拟

• 发表时间: 2010
• 作者: T.Watanabe;T.Zushi;Y.Kamakura;K.Taniguchi;I.Ohdomari
• 通讯作者: I.Ohdomari