Si-based light emitting device based on Ge dots in photonic crystal microcavities
Si-based light emitting device based on Ge dots in photonic crystal microcavities
基于光子晶体微腔中Ge点的硅基发光器件
批准号：
19760037
负责人：
XIA Jinsong
金额：
$2.32万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
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英文摘要
私達の研究において、異なる微小共振器を使用し、内部で共振させることによりGe量子ドットからの発光を増加させた。Geドットを有するSiフォトニック結晶共振器をSOI(Silicon-on-insulator)基板上に作製し,室温にて波長1.2〜1.6μmの領域に強く鋭い共振ピークを得ることができた。私達は電流注入型の微小共振器の作製に成功しました。4Vを印加した時のスペクトルで、ブロードなF-Pモードといくつもの鋭いピークが重なり合った発光が得られた。
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DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[富田卓朗, 他, Jinsong Xia (夏 金松)]
通讯作者：
Jinsong Xia (夏 金松)
Light-emission from Ge self-assembled quantum dots in photonic crystals
光子晶体中 Ge 自组装量子点的发光
光子晶体中 Ge 自组装量子点的发光
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[富田卓朗, 他, Jinsong Xia (夏 金松)]
通讯作者：
Jinsong Xia (夏 金松)
Ge量子ドットを有するマイクロディスク共振器からのエレクトロルミネッセンス
带有 Ge 量子点的微盘谐振器的电致发光
带有 Ge 量子点的微盘谐振器的电致发光
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Tomita, et. al., 深水聖司,夏金松,冨永隆一朗,宇佐美徳隆,白木靖寛,]
通讯作者：
深水聖司,夏金松,冨永隆一朗,宇佐美徳隆,白木靖寛,
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Jinsong Xia, Koudai Nemoto, Yuta Ikegami Yasushi Nakata, Yasuhiro Shiraki]
通讯作者：
Yasuhiro Shiraki
Resonant photoluminescence from Ge self-assembled dots in optical microcavities
光学微腔中 Ge 自组装点的共振光致发光
光学微腔中 Ge 自组装点的共振光致发光
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
J. Crystal Growth 311
影响因子：
--
作者：
[J.S. Xia, R. Tominaga, N. Usami, S. Iwamoto, Y. Ikegami, K. Nemoto, Y. Arakawa, and Y. Shiraki]
通讯作者：
and Y. Shiraki
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