Interface structure and hydrogen detection of Schottky contact to polar-ZnO single crystal
Interface structure and hydrogen detection of Schottky contact to polar-ZnO single crystal
极性ZnO单晶肖特基接触的界面结构及氢检测
批准号：
19760224
负责人：
NAGATA Takahiro
金额：
$2.03万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
中文摘要
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英文摘要
酸化亜鉛(ZnO)などのワイドバンドギャップ半導体は、これまで光学応用が主であったが、近年、電子デバイス用の材料としても注目されており、電気特性制御、電極材料の最適化は重要な技術である。そこでZnOのショットキーダイオードを作成し、金属/酸化物界面における界面構造の変化と電気特性への影響を明らかにし、紫外光応答と共に、水素への応答を確認した。
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会议论文
コンビナトリアル手法によるZnO上のPt系合金Schottky電極の作成
组合法制备ZnO上Pt基合金肖特基电极
组合法制备ZnO上Pt基合金肖特基电极
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
[小島磨, 喜多隆, 和田修, 井須俊郎, 長田貴弘 他]
通讯作者：
長田貴弘 他
Schottky barrier height control of Pt-based Binary-alloy on ZnO by Combinatorial Method
组合法控制ZnO上Pt基二元合金的肖特基势垒高度
组合法控制ZnO上Pt基二元合金的肖特基势垒高度
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yoshinori MATSUSHITA, Masashi KATO, Masaya ICHIMURA, Tomoaki HATAYAMA, Takeshi OHSHIMA, T. Nagata 他]
通讯作者：
T. Nagata 他
Interface structure and the chemical states of Pt film on polar-ZnO single crystal to be published in Applied Physics Letter
极性ZnO单晶上Pt薄膜的界面结构和化学态即将发表在《Applied Chemistry Letter》上
极性ZnO单晶上Pt薄膜的界面结构和化学态即将发表在《Applied Chemistry Letter》上
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nagata, J. Volk, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, S. Ueda, K. Kobayashi, R. Hayakawa, M. Yoshitake, and T. Chikyow]
通讯作者：
and T. Chikyow
Study on electrical property control of pi- conjugated material by pyroelectricity and surface screening charge of polar material for environmental sensor applications
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批准号：16K06284
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2016
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负责人：NAGATA Takahiro
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依托单位：
海外基金
