極ワイドバンドギャップ半導体の創成

创造极宽带隙半导体

基本信息

  • 批准号:
    17J06497
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.79万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-26 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

今年度は、極ワイドバンドギャップ半導体材料として用いるコランダム構造酸化アルミニウムガリウム (α-(AlxGa1-x)2O3)薄膜の電気伝導性の制御を目的に研究を行った。極ワイドバンドギャップ半導体を実現するためには低転位密度かつ低不純物密度の薄膜の作製が必要であり、ミストCVD法と分子線エピタキシー法(MBE)を組み合わせることでその実現を目指した。さらに、デバイス応用の上で重要なα-(AlxGa1-x)2O3薄膜の熱的安定性の評価を行った。得られた成果の概要は以下の通りである。(i)ミストCVD法を用いて成長した低転位密度α-Ga2O3テンプレート上に分子線エピタキシー(MBE)法を用いて高純度のα-(AlxGa1-x)2O3の成長およびGeのドーピングを行った。RHEEDおよびXRD測定からα-(AlxGa1-x)2O3が成長していることを確認したが、n型伝導には至らず、その理由としてドーパントのGeがGaと置換しておらずドーパントとして機能していない可能性が考えられる。今後、Sn, Siなどの他の材料のドーピングを試みる必要がある。(ii) α-Ga2O3は熱的に準安定相であるため600℃程度でβ相へ相転移すると考えられてきたが、サファイア基板上に成長した薄膜は膜厚が小さくなるほど相転移温度が上昇する傾向が得られた。さらに、パターン基板を用いることで熱的安定性が向上し750℃程度においてα相の維持を実現した。異種基板上への成長による応力を緩和することでさらに高温でも安定化すると期待できる。また、α-(AlxGa1-x)2O3はAl組成が大きくなるほど相転移温度が上昇し、x>0.6ではβ相への相転移は確認されなかった。
This year, the research on the control of electrical conductivity of (α-(AlxGa1-x) 2O3) thin films was carried out. It is necessary to fabricate thin films with low impurity density and low potential density for the realization of semiconductor technology. The combination of CVD method and molecular beam epitaxy (MBE) method is indicated. An evaluation of thermal stability of α-(AlxGa1-x) 2O3 thin films was carried out. The following is a summary of the results obtained. (i)The CVD method is used to grow α-Ga2O3 with low site density and molecular line density. The MBE method is used to grow α-(AlxGa1-x) 2O3 with high purity and Ge content. RHEED and XRD measurements confirm the growth of α-(AlxGa1-x) 2O3, n-type conduction, and reasons for Ge substitution. In the future, Sn, Si and other materials need to be tested. (ii)α-Ga2O3 quasi-stable phase, 600℃, β-phase shift, 600℃, 600 ℃. The thermal stability of the substrate is up to 750℃, and the maintenance of the α phase is achieved. It is expected that the growth forces on heterogeneous substrates will be alleviated and high temperatures will be stabilized. Also, the phase shift temperature of α-(AlxGa1-x) 2O3 Al composition increases rapidly, and the phase shift of β phase with x>0.6 is confirmed.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Enhancement of epitaxial lateral overgrowth in the mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 by using a-plane sapphire substrate
使用a面蓝宝石衬底增强α-Ga2O3喷雾化学气相沉积中的外延横向过度生长
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab55c6
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Jinno Riena;Yoshimura Nobuhiro;Kaneko Kentaro;Fujita Shizuo
  • 通讯作者:
    Fujita Shizuo
Control of Ga2O3 crystal structure on sapphire substrates by introducing α-(AlxGa1-x)2O3 buffer layers
通过引入α-(AlxGa1-x)2O3缓冲层控制蓝宝石衬底上的Ga2O3晶体结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Riena Jinno;Takayuki Uchida;Kentaro Kaneko;and Shizuo Fujita
  • 通讯作者:
    and Shizuo Fujita
Phase Transition Temperature of α-Ga2O3 on Sapphire Substrate
蓝宝石衬底上 α-Ga2O3 的相变温度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Riena Jinno;Kentaro Kaneko;and Shizuo Fujita
  • 通讯作者:
    and Shizuo Fujita
Cornell University(米国)
康奈尔大学(美国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Epitaxial Lateral Overgrowth of α-Ga2O3 on Sapphire Substrates
蓝宝石衬底上 α-Ga2O3 的外延横向过度生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Riena Jinno;Nobuhiro Yoshimura;Kentaro Kaneko;and Shizuo Fujita
  • 通讯作者:
    and Shizuo Fujita
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

神野 莉衣奈其他文献

光誘起構造相転移のダイナミクス
光致结构相变动力学
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岩崎 悠;神野 莉衣奈;田中 陽;安武 裕輔;深津 晋
  • 通讯作者:
    深津 晋
生体ナノ量子センサーによる極微小・極微量の生命計測技術
利用生物纳米量子传感器的微观和微观生命测量技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岩崎 悠;神野 莉衣奈;田中 陽;安武 裕輔;深津 晋;五十嵐 龍治
  • 通讯作者:
    五十嵐 龍治
サファイア基板上α-(AlxGa1-x)2O3 薄膜の熱的安定性
蓝宝石衬底上α-(AlxGa1-x)2O3薄膜的热稳定性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    神野 莉衣奈;金子 健太郎;藤田 静雄
  • 通讯作者:
    藤田 静雄
微小共振器と強結合した有機分子の蛍光アップコンバージョン
有机分子与微腔强耦合的荧光上转换
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    角谷 聡太;田中 菜月;石田 真敏;杉浦 健一;古田 弘幸;神野 莉衣奈;深津 晋
  • 通讯作者:
    深津 晋
スフェロイドが創薬や再生細胞医療に貢献する可能性
球体有助于药物发现和再生细胞治疗的可能性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    岩崎 悠;神野 莉衣奈;田中 陽;安武 裕輔;深津 晋;五十嵐 龍治;津本浩平,長門石曉;小島伸彦
  • 通讯作者:
    小島伸彦

神野 莉衣奈的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('神野 莉衣奈', 18)}}的其他基金

異方的圧縮応力の印加による準安定酸化物の高温での反応速度論的安定性の制御
通过施加各向异性压应力控制高温下亚稳态氧化物的动力学稳定性
  • 批准号:
    22K14286
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

相似海外基金

Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
  • 批准号:
    DP240102230
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
  • 批准号:
    2336525
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
  • 批准号:
    2335175
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
Collaborative Research: A Semiconductor Curriculum and Learning Framework for High-Schoolers Using Artificial Intelligence, Game Modules, and Hands-on Experiences
协作研究:利用人工智能、游戏模块和实践经验为高中生提供半导体课程和学习框架
  • 批准号:
    2342747
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Standard Grant
GRASP - GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
GRASP - 绿色敏捷半导体生产
  • 批准号:
    10099437
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    EU-Funded
RII Track-4: NSF: Development of Semiconductor Lasers and Passive Devices on a Single Sapphire Platform for Integrated Microwave Photonics
RII Track-4:NSF:在单个蓝宝石平台上开发用于集成微波光子学的半导体激光器和无源器件
  • 批准号:
    2327229
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: All-Semiconductor Nanostructured Lenses for High-Tech Industries
SBIR 第一阶段:用于高科技行业的全半导体纳米结构镜头
  • 批准号:
    2335588
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Standard Grant
NSF Engines: Central Florida Semiconductor Innovation Engine
NSF 引擎:佛罗里达州中部半导体创新引擎
  • 批准号:
    2315320
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
ERI: A Machine Learning Framework for Preventing Cracking in Semiconductor Materials
ERI:防止半导体材料破裂的机器学习框架
  • 批准号:
    2347035
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CAREER: Semiconductor on Nitride PhoXonic Integrated Circuit (SONIC) Platform for Chip-Scale RF and Optical Signal Processing
职业:用于芯片级射频和光信号处理的氮化物 PhoXonic 集成电路 (SONIC) 平台上的半导体
  • 批准号:
    2340405
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.79万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了