高密度量子ナノワイヤーの自己組織的創出によるデバイス開発
高密度量子ナノワイヤーの自己組織的創出によるデバイス開発
批准号:
15H04114
负责人:
王 中長
金额:
$8.32万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2015
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2015-04-01 至 2018-03-31
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英文摘要
本研究では、酸化物バイクリスタル(双結晶)を高温接合により合成し、意図的に配列させた界面転位部に、機能元素を閉じこめる方法によって、結晶固体中に量子細線を形成および量子効果による新機能発現化を目的とする。MgOバイクリスタル粒界界面の微細構造解析には、TEMおよびSTEMを用いて行った。断面観察用試料はアルゴンイオンスパッタ法により作製した。汎用TEM(加速電圧:200kV)を用いて低倍観察、高分解能観察および制限視野電子回折図形(SAED)解析により界面の微細構造や結晶方位関係について詳細に観察を行った。接合角度について、SAEDパターン解析及びHRTEM像解析により評価した。界面の原子微細構造解析には収差補正装置を搭載し、電子線プローブサイズを0.1nm以下に収束可能な走査透過電子顕微鏡を用いた。この原子分解STEM観察では、高角環状暗視野(HAADF)像法により、構成材料の原子番号に起因したZコントラスト像による優れた組成識別能と、原理的に極めて高い原子直視性が得られる。そのため、界面の識別や組織構造の差異が可能である。また、STEMの収束ビームと電子エネルギー損失分光法(EELS)を組み合わせることによって、原子スケールでの材料組成マッピングを試みた。さらに、転位芯近傍の原子の化学結合状態分析を電子エネルギー損失吸収端微細構造(ELNES)によって解析した。一方、構造像や組成マッピングから得られた構造モデルを用いて、第一原理による電子状態の理論計算も行った。計算には、密度汎関数理論(DFT)に基づくVienna ab initioシミュレーションパッケージ(VASP)を用いた。電子-イオン相互作用を考慮して、Projector Augmented Wave Methodを用いた。構造緩和計算には共役勾配アルゴリズムを用いて行い、安定構造をシミュレーションした。
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DOI:
10.1038/ncomms8120
发表时间:
2015-05-11
期刊:
NATURE COMMUNICATIONS
影响因子:
16.6
作者:
[Sun, Rong, Wang, Zhongchang, Saito, Mitsuhiro, Shibata, Naoya, Ikuhara, Yuichi]
通讯作者:
Ikuhara, Yuichi
Misfit Accommodation Mechanism of the Heterointerface between Superhard Diamond and Cubic Boron Nitride
超硬金刚石与立方氮化硼异质界面的失配调节机制
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
Nature Communications
影响因子:
16.6
作者:
[C. L. Chen, Z. C. Wang, T. Kato, N. Shibata, T. Taniguchi, Y. Ikuhara]
通讯作者:
Y. Ikuhara
DOI:
10.1038/ncomms7680
发表时间:
2015-03-01
期刊:
NATURE COMMUNICATIONS
影响因子:
16.6
作者:
[Li, Yanxi, Wang, Zhongchang, Viehland, Dwight]
通讯作者:
Viehland, Dwight
Atomistic Origin of Ordered Superstructure Induced Superconductivity in Layered Chalcogenides
层状硫属化物中有序超结构诱导超导性的原子起源
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
Nature Communications
影响因子:
16.6
作者:
[Ran Ang, Zhongchang Wang, Chunlin Chen, Jun Tang, N. Liu, Y. Liu, W. J. Lu, Yuping Sun, Takao Mori, Yuichi Ikuhara]
通讯作者:
Yuichi Ikuhara
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[C. L. Chen, Z. C. Wang*, F. Lichtenberg, Y. Ikuhara, and J. G. Bednorz, Z. C. Wang]
通讯作者:
Z. C. Wang
共 7 条
強磁性トンネル接合デバイス絶縁層における結晶粒界効果の解明
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批准号:15K14117
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2015
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负责人:王 中長
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依托单位:
海外基金