異種複核金属錯体による触媒制御型Ｃ－Ｈ官能基化反応

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本研究課題では、ルイス酸性金属と後周期遷移金属からなる異種複核金属を用いてこれまでのオルトメタル化では達成困難な位置選択性のC-H官能基化反応を達成することを目的としている。当研究室ではこれまでにルイス酸性金属としてホウ素やアルミニウムを用いてピリジン類を活性化し、ニッケル錯体を用いてピリジン類の２位と４位を選択的にアルケニル化およびアルキル化する協働触媒系を開発している。本年度はこの協働触媒系を参考に、ホウ素部位を有するNHC，ホスフィン，フェナントロリン，シクロペンタジエニル配位子を用いて位置選択的CーH官能基化の検討するとともに，これらに加えてアルミニウム部位を導入した含ルイス酸配位子をそれぞれ合成し，その活性・選択性制御能を同様に評価した。特に，安息香酸アミドのパラ選択的アルキル化反応については，反応機構の詳細が理論計算によって明らかになりつつあるので，そこで得られる遷移状態構造を基に，メタ位選択性発現のための含ルイス酸NHC配位子を精密設計した。さらに後周期遷移金属とアルミニウムが近傍に位置するような(PN)Al(NP)ピンサー配位子を設計し、後周期遷移金属ーアルミニウム結合を有する化合物の合成に成功した。アルミニウム含有ピンサー配位子に9族および10族遷移金属を組み合わせることで13族金属－遷移金属結合を有する錯体を合成し，その反応性を評価する。特に，CーH, CーO, CーC結合などの不活性結合に対する反応性を精査した。