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低電圧動作用シリコンナノフィルムトランジスタの動作設計と物性評価

低电压运行硅纳米膜晶体管的运行设计和物理性能评估

基本信息

批准号：
22560334
负责人：
大畠昭子
金额：
$ 3万
依托单位：
Osaka City University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010-04-01 至 2013-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

1.低電圧動作に適している薄い埋め込み酸化膜層を持つシリコンナノフィルムトランジスタについて、その特性をより詳細に評価する手法の開発に取り組み下記の結果を得た。(1)SiO_2をゲート酸化膜とするMOSFErの移動度は、実効電界(E_<eff>)と言われるパラメーターで整理するとユニバーサルな値をとる。しかし、ナノフィルムトランジスタや薄い埋め込み酸化膜層を持つ構造、またバックバイアスを印加した場合、E_<eff>を正確に求める方法はなかった。そこで、キャリア濃度とゲート電圧の特性を用いて、E_<eff>の定義に戻りより正確に求める方法を開発した。これにより、移動度変化のメカニズムをよりユニバーサルな値と比べて議論する事が可能となった。また、この手法は次世代の素子として有望であるFINFETにも適用する事が可能で今後の微細素子開発に有益である。(2)シリコンナノフィルムトランジスタを簡便に評価する方法として、Pseudo-MOS法がある。しかしこの手法で評価した移動度と、通常のMOSFET構造で評価した移動度の関係は明らかではなかった。そこで、Split-CV法をPseudo-MOS法に適用し、比較するための実験を行った。Split-CV法によって得られた結果の正当性について解析中であるが、現在のところかなりより一致を示している。2.ホール移動度の高い(110)面を(100)面に混載してトランジスタに利用するためのプロセスとその問題点について調べた。昨年度、シリコンをイオン注入しアモルファス化しその後再結晶化させた20nm膜厚の(110)面シリコンフィルムトランジスタにおいて電気特性を調べ、チャネル方向が<110>に対し0、45、90度、いずれの場合にも電気特性上プロセスに起因した劣化が生じていない事を明らかにしている。しかし、本来移動度の高いはずの0度に対しては、短チャネルになると特性が劣化する結果を得た。寄生抵抗を詳細に評価する事によって、他のチャネル方向に比べて(110)面では<110>方向の寄生抵抗が著しく上昇している事が明らかになった。

1. Low voltage operation in the thin layer of the acid film to maintain the system, the characteristics of the detailed evaluation of the method of development, the results recorded below (1)SiO_2-doped film: mobility of MOSFET, conductivity of MOSFET, <eff>etc. The structure of the acidified film layer is maintained, and the correct method is used in the case of E_(2)<eff>. A method for determining the characteristics of the voltage and the definition of E_is developed<eff>. This is the first time I've ever seen a person who's been in a relationship with someone else. This technique is expected to be useful for the next generation of FINFET applications and may be beneficial for future micro-element development. (2)A simple evaluation method for the pseudo-MOS method The relationship between the mobility of MOSFET structures and the mobility of MOSFET structures is clear. The Split-CV method is applicable to the Pseudo-MOS method. Split-CV method is used to analyze the legitimacy of the result. 2. High mobility (110) plane,(100) plane, mixed load, utilization, and problem point adjustment In the past year, the injection temperature has been reduced to 20nm, and the film thickness has been adjusted to (110) nm. In the case where the injection temperature has been increased to <110>0, 45, and 90 degrees, the electrical characteristics have been adjusted to the highest temperature. The original mobility is high and the characteristics are deteriorated. While the parasitic resistance is evaluated in detail, it is clear that the parasitic resistance in the opposite direction has increased compared to the (110) plane in the other <110>direction.