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p型アモルファス酸化物トランジスタとフレキシブルインバータの実現

p型非晶氧化物晶体管及柔性逆变器的实现

基本信息

批准号：
23760634
负责人：
野村研二
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760634/
关键词：
酸化物半導体 pチャネルTFT 両極性TFT CMOSインバータ

项目摘要

現在まで、酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ(TFT)の多くは、nチャネルであり、良好なpチャネル特性を示す薄膜トランジスタは極めて少ない。本研究では良好なpチャネル材料の探索を行い、酸化物半導体から構成されるnチャネルおよびpチャネルTFTを用いたCMOSインバータ回路を実現することを目的に行った。平成23年度では、TFTのpチャネル材料の探索を行い、多結晶酸化第一錫(SnO)で良好なp-チャネル動作することを確認した。また、SnOチャネル層の作製条件およびデバイス構造を最適化することにより、nチャネルおよびpチャネル動作の両方を示す両極性トランジスタを実現した、多結晶SnOチャネル層は熱処理温度250度で、そのチャネル膜厚を15nmまで極薄膜化することにより大きく特性を改善できることがわかった。作製した両極性トランジスタでは、pチャネル動作で移動度~0.81cm^2(Vs)^<-1>、on/off比>le4、nチャネル動作で移動度~5×10^<-4>cm^2(Vs)^<-1>、on/off比>le2を示した。また、両極性トランジスタを2つ相補形に配置したCMOSインバータ回路を作製し、動作試験を行なった。その結果、正及び負のそれぞれの入力電圧に対してもインバータ動作することが確認され、両極性トランジスタから構成され、電圧利得として約2.5を示すインバータ回路が実現できた。

Now, the acid semiconductor layer is used in thin film transistor (TFT), and the film transistor has many good characteristics. This study aims to explore the development of a good semiconductor material, and to realize the realization of a CMOS circuit for semiconductor TFT applications. In 2013, the exploration of TFT production materials was carried out, and the first tin (SnO) with polycrystalline acid was confirmed to have good p-production performance. The production conditions of SnO layer and the structure of SnO layer are optimized. The heat treatment temperature of polycrystalline SnO layer is 250 ℃. The film thickness of SnO layer is 15nm. The characteristics of SnO layer are improved. The control polarity is determined by the movement degree of ~ 0.81 cm^2 (Vs)^<-1>, the on/off ratio>le4, the movement degree of ~5×10 <-4>cm^2 (Vs)^<-1>, and the on/off ratio>le2. The polarity of the circuit is 2. The configuration of the CMOS circuit is 2. The operation is 2. The circuit is 2. The result, positive and negative, input voltage, response time, response time.