シリコングルマニウム層の格子定数制御による多機能型LSI用バッファ層の創製
通过控制硅镓层晶格常数制作多功能LSI缓冲层
基本信息
- 批准号:08J02013
- 负责人:
- 金额:$ 0.38万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Si集積回路の高性能化を実現する多機能LSI用バッファ層の創製を目指し、本年度は外部ストレス印加膜(SiN)による歪導入を検討した。SOI(top Si厚:340nm)基板のtop Si層をパターン加工し、その下部の埋め込み酸化膜の一部をエッチングすることで、Si突起部を有する立体構造を作製した。その後ストレッサーとしてSiN膜(膜厚:200nm)を化学気相堆積(CVD)法により形成した。立体構造の中心付近の歪率を顕微ラマン散乱分光で評価したところ、圧縮歪が印加されていることが判明した。立体構造の長さZを変化したところ、Z増加につれ、歪率が増大するが、Zが6m以上では歪率0.5%で飽和した。これは、立体構造の長さが短いと、それを支えるベース部分のSOI構造に立体構造が拘束されるためと考えられる。次に、歪方向の多様化を目指し、水素導入型CVD法によるストレスソースを検討した。水素導入型SiN(膜厚:200nm)を成膜した立体構造試料の歪率を評価したところ、伸張歪が導入されていることが判った。立体構造の長さZを変化したところ、Z増加につれ、歪率が増大し、Zが8m以上では歪率0.4%で飽和した。これは、SiN膜中に取り込まれた水素原子により、SiNの原子結合が伸張した事に起因すると考えられる。このように導入された伸張歪及び圧縮歪は、ストレスソースを厚膜化する事により、歪率を更に向上可能と期待される。これらの結果は、ストレスソース内の水素量を制御することで、格子定数が可変な多機能LSI用バッファ層を創製できることを示唆する重要な成果である。
The Si integrated circuit high-performance loop enables multi-machine LSI to be imported into the system by using the target target and this year's external Inca film (SiN) system. SOI (top Si thickness: 340nm) substrate "top Si" (thickness: 340nm) substrate "top Si", "acidizing film", "acidizing film", and "three-dimensional" part of the Si protuberance. The SiN film (thickness: 200nm) was formed by chemical phase stacking (CVD) method. The three-dimensional manufacturing center is close to the distortion rate, the micro-scale, the scattered spectrum, the Inca, the Inca and the Inca. The three-dimensional system will increase the distortion rate by 0.5%, increase the distortion rate by 0.5%, and increase the distortion rate by 0.5%. Three-dimensional, long and short, short, Secondary, crooked direction, multi-direction, water, water and water. Water injection type SiN (film thickness: 200nm), film forming, three-dimensional fabrication, error rate, film thickness, film thickness and film thickness. The three-dimensional structure will increase the distortion rate by 0.4%, increase the distortion rate by 0.4% and increase the distortion rate by 0.4%. The water atoms in the sin film, the water atom, and the SiN atom in the sin film were used to determine the cause. In this case, you may be looking forward to the increase in the distortion rate. The result of the experiment, the control of the amount of water in the system, and the fixed number of grids can be used in multi-machine LSI to show the importance of important results.
项目成果
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专著数量(0)
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专利数量(0)
Local strain evaluation of single crystal Si pillar by micro Raman spect roscopy and photoluminescence
利用显微拉曼光谱和光致发光评估单晶硅柱的局部应变
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:D. Wang;et al.
- 通讯作者:et al.
Comprehensive Study of Low Temperature (<1000℃) Oxidation Process in SiGe/SOI Structures
SiGe/SOI结构低温(<1000℃)氧化过程的综合研究
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Tanaka;et al.
- 通讯作者:et al.
Enhancement of Local Strain in Si Microstructure by Oxidation Induced Ge Condensation
氧化诱导Ge凝结增强硅微观结构的局部应变
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Tanaka;et al.
- 通讯作者:et al.
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