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高真空環境下プラズマ源の開発とプラズマ援用型集束荷電粒子ビーム誘起蒸着法への応用

高真空环境下等离子体源的研制及其在等离子体辅助聚焦带电粒子束诱导沉积方法中的应用

基本信息

批准号：
08J08114
负责人：
宮副裕之
金额：
$ 0.77万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2009
项目状态：
已结题

项目摘要

昨年度までに、マイクロプラズマ技術と、電子ビームをもちいた直接描画プロセスのひとつである集束電子ビーム技術を融合し、水素-アルゴンマイクロプラズマをもちいた従来の電子ビームによる堆積物への後処理に加え、本研究で開発したマイクロプラズマ援用型集束電子ビーム誘起蒸着法により直径1.5μm程度のコーン型の銅の堆積に成功した。一方でプラズマによる厚さ200nm程度の広範囲(径数百μm程度)の堆積物が同時に基板上に確認された。今後、プロセスを最適化し、直接描画技術による3次元ナノ構造物質の作製する際には、以上のようなプラズマによる堆積物は堆積されず、電子ビームの照射部分のみに堆積プロセスがおこなわれなければならない。今年度は基板上に到達する原料ガスとプラズマによるガス流のシミュレーションをおこない、プラズマによる堆積物の堆積課程をモデリングにより考察した。その結果、プラズマによる熱の影響は少なく(プラズマ照射部の局所的な基板温度は50℃以下)、基板上に吸着した原料ガスに対する、プラズマ中の原子状水素による水素ラジカルの影響が支配的となることが確認され、堆積速度に関するモデリングの結果は実験結果と非常に良い一致を得た。以上の結果を踏まえて、今後プロセスを最適化するためには水素ラジカルを適用した本法の場合、原料ガスの再選定等が必要となると考えられるが、電子ビーム誘起蒸着法の反応性を向上させた本研究は今後のプロセス制御において有効な手段のひとつとなると考えられる。

In the year of last year, there was a direct picture of the integration of technology and technology, water and electricity in the power supply system, which was used in the year of the year. The purpose of this study is to successfully use the cluster electrons to steam the reactor with a diameter of 1.5 μ m. One side should check the thickness of the 200nm (diameter of several hundred μ m) and make sure that the active material is on the substrate at the same time. In the future, the most advanced and direct drawing techniques will be used in the production of the creation. in the future, the three-dimensional creation will operate in the international market. in the future, in the future, the most advanced and direct drawing techniques will be used in the production of the creation. in the future, the most advanced and direct drawing techniques will be used in the production of the creations in the world. This year, the raw materials are available on the substrate. This year, the raw materials, raw materials and materials. The results show that the temperature of the substrate is less than 50 ℃ (the temperature of the substrate is below 50 ℃), the raw material is absorbed on the substrate, and the atomic water content in the substrate is determined by the temperature of the raw material, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate As a result of the above results, in the future, it is necessary to use this method, the selection of raw materials, and so on. In this study, there is a need to improve the performance of this study.