次世代半導体イメージャを用いた硬X線・γ線観測による太陽フレア粒子加速の研究

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本年度は、前年の平成21年度まで開発してきた太陽硬X線観測ロケット実験で使用予定の高分解能のシリコン半導体イメージャを、ロケット搭載の読み出し回路と組み合わせて動作させる試験を行った。その結果、放射線源のスペクトルを無事取得し、動作を確認することができた。このことにより、FOXSIロケットをすぐに打ち上げられる状況まで準備することができた。FOXSIロケットは本来は本年度に打ち上げが予定されていたが、NASAの都合により、残念ながら来年度に延期されてしまった。しかし、検出器及び読み出し系の準備を完了することができ、米国NASAマーシャル宇宙飛行センターが担当している硬X線望遠鏡の製作も順調であることから、平成23年10月に打ち上げられる状態になっている。これに加え、平成25年度に予定されているFOXSIロケットの2回目の打ち上げ向けて開発してきた両面ストリップ型のCdTe半導体イメージャについて、その成果をまとめ、Japan Journal of Applied Physicsに発表した。さらに、太陽の静穏領域の小規模なフレアの観測を行うFOXSIロケットに対して、GOES Xクラス等の大規模なフレアにおける粒子加速の研究を行うため、RHESSI衛星による太陽フレアからの相対論的高エネルギー放射の解析を行った。その結果、相対論的放射も非相対論的放射と同じフレアループの足元から放射されており、同様の機構で粒子加速が起こっているという示唆が得られた。この結果はAstrophyslcal Journalに発表した。また、太陽外縁付近で起こったフレアの解析では、フレアループ上空からの硬X線放射を発見し、ループ上空と足元で同一成分の粒子が硬X線を放射するという加速粒子の描像を得ることができた。