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充填スクッテルダイト化合物の純良資料作成と特異結晶構造が可能にする新奇物性の解明

创造用于填充方钴矿化合物的纯材料并阐明独特晶体结构带来的新颖物理性质

基本信息

批准号：
08J10585
负责人：
田中謙弥
金额：
$ 0.38万
依托单位：
Tokyo Metropolitan University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2009
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08J10585/
关键词：
スクッテルダイト重い電子超伝導高圧合成

项目摘要

充填スクッテルダイト化合物PrOs4Sb12は、比熱や中性子散乱などの実験結果から、Prの4f電子が持つ四極子の自由度が関わっている新しいタイプの超伝導体であると考えられている。しかし、超伝導の転移温度や、転移に伴う比熱のとびの大きさなどに試料依存性が大きく、その原因のひとつとして、従来の常圧下の試料作成法で作られた場合、かごの大きいSb系のスクッテルダイトに共通する問題である、希土類サイトの欠損が考えられた。そこで本研究では、希土類サイトの充填率の問題を解決し、電気抵抗、磁化、比熱などの基本物性から、超伝導の本質的な特性を明らかにすることを目的とした。我々は、これまで高圧合成法を用いて充填率がほぼ100%であるPrFe4Sb12の作成に成功していた。PrOs4Sb12においては、従来の高圧合成法にフラックス法の要素を取り入れた新しい試料作成法を確立し、充填率の高い純良単結晶の育成に挑戦した。フラックス量や育成温度の最適な条件などを絞り込んだ結果、最大1mm程度の大きさの単結晶を育成することに初めて成功した。育成された単結晶における電気抵抗、磁化、比熱の測定から、高圧下で育成したPrOs4Sb12では、常圧下で作成した試料と比較して、結晶場の基底状態・1と第一励起状態のエネルギーギャップが増大することに伴い、超伝導の転移温度および比熱のとびが減少することを確認した。この結晶場のエネルギーギャップと超伝導特性の関係は、Prの4f電子がもつ四極子の自由度が重要な役割を果たしていることを示唆する結果であり、この物質に新しいメカニズムの超伝導が発現していることの強い証拠であると考えられる。

Fill it with the compound PrOs4Sb12, compare the results of the neutral dispersion test, and the Pr 4f computer with four degrees of freedom. As a result, the temperature of the system is higher than that of the control system, the temperature is higher than the temperature, the temperature is higher, the temperature is higher, and the reason is higher. The purpose of this study is to solve the problems of filling rate of rare earth materials, electrical resistance, magnetization, basic physical properties, and the characteristics of superconducting materials. We use the high-performance synthesis method to make a "successful" PrFe4Sb12 with a filling rate of 100%. The key elements of the PrOs4Sb12 synthesis method and the new material preparation method are selected to make sure that the filling rate is high and the filling rate is high. The temperature, temperature The mechanical properties such as electrical resistance, magnetization, specific temperature measurement, high temperature, low temperature, high temperature, low temperature, high temperature, high The results show that there are four sub-degrees of freedom in the Pr 4f computer system, and the results show that the results show that the results are not correct, and the results show that the results are not valid.

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Transport properties of PrxOs4Sb12 single crystals with high Pr-site filling fraction grown 〓

高Pr位点填充率生长的PrxOs4Sb12单晶的输运特性〓

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Physica B
影响因子：
2.8
作者：
山本悦司;山口哲志;長棟輝行;K. Tanaka
通讯作者：
K. Tanaka

Crystal Field Effect on Superconducting Transition in Pr_xOs_4Sb_<12>

Pr_xOs_4Sb_<12>中超导转变的晶体场效应

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
J.Phys.Soc.Jpn. 78
影响因子：
0
作者：
K.Tanaka;H.Sato;et al.
通讯作者：
et al.

高圧下で育成した高充填率単結晶PrT4Sb12(T=Fe, Ru, Os)の電子輸送特性

高压生长的高填充因子单晶PrT4Sb12（T=Fe、Ru、Os）的电子传输特性

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
山本悦司;山口哲志;長棟輝行;K. Tanaka;K. Tanaka;田中謙弥
通讯作者：
田中謙弥

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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田中謙弥其他文献

NdFe4Sb12における強磁性転移の充填率効果と比熱の挙動II

NdFe4Sb12 II 铁磁转变的填充因子效应和比热行为

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛
通讯作者：
池生剛

Spin Singlet State in Heptamers Emerging in Spinel Oxide AlV204

尖晶石氧化物 AlV204 中出现的七聚体自旋单线态

DOI：
发表时间：
2006
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan 75・12
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔;戸田静香;池生剛;龍罔翔;Masafumi Udagawa;D.Tahara;H.Seo;K.Matsuda
通讯作者：
K.Matsuda

NdFe4Sb12における強磁性転移の充填率効果と比熱の挙動

NdFe4Sb12铁磁转变的填充因子效应和比热行为

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔;戸田静香;池生剛
通讯作者：
池生剛

充填スクッテルダイトLaFe4As12の遍歴電子強磁性

填充方钴矿 LaFe4As12 中的巡回电子铁磁性

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎;龍岡翔;池生剛;齎藤隆志;菊地大輔;戸田静香;池生剛;龍罔翔
通讯作者：
龍罔翔

高圧合成により作成されたPrFe4Sb12の非弾性中性子散乱

高压合成产生的 PrFe4Sb12 的非弹性中子散射

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. J. Im;et. al.;T.Ito et al.;T.Ito et al.;H.J.Im et al.;H.Miyazaki et al.;J.Onoe et al.;T.Ito et al.;T.Ito;H.J.Im;T.Ito;H.J.Im;T.Nishi;K.Soda;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;伊藤孝寛;S.Tatsuoka;K.Tanaka;M.Ueda;D.Kikuchi;K.Kuwahara;K.Kuwahara;K.Tanaka;K.Kuwahara et al.;A.Oyamada et al.;K.Kaneko et al.;D.Kawana et al.;M.Kohgi et al.;K.Kuwahara et al.;K.Kuwawahara et al.;K.Iwasa et al.;T.D.Matsuda et al.;K.Iwasa et al.;A.Hanan et al.;P.Fischer et al.;青木勇二;田中謙弥;桑原慶太郎
通讯作者：
桑原慶太郎