Study of Electrical Current Heating as Novel Semiconducting Crystal Growth Method
电流加热作为新型半导体晶体生长方法的研究
基本信息
- 批准号:20310057
- 负责人:
- 金额:$ 12.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
It attracts much attention to develop the nanotechnology which can break through the limit of the conventional technology for achieving the safe, easy and comfortable society in the 21st century. The key to the development is the fabrication of high quality nanocrystals. In this research, we focused on the phenomenon in which high quality nanocrystals grow on the surface of ceramics heated by electrical currents, attempted to clarify the crystal growth mechanism, and researched towards the development of the nanocrystal fabrication technology for obtaining high quality nanoscale structures efficiently with sufficient accuracy and quantities.
发展突破传统技术限制的纳米技术,实现世纪的安全、舒适和安全的社会,是人们关注的焦点。发展的关键是高质量纳米晶体的制备。在本研究中,我们专注于高质量的纳米晶体生长在陶瓷表面上的电流加热的现象,试图澄清晶体生长的机制,并朝着发展的快速制造技术,以获得高质量的纳米结构,具有足够的精度和数量的研究。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Temperature Dependence of Cathodoluminescence for AIN Ceramics Sintered with Ca_3Al_2O_6
Ca_3Al_2O_6烧结AlN陶瓷阴极发光的温度依赖性
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Honma;Y.Kuroki;T.Okamoto;M.Takata;Y.Kanechika;M.Azuma;H.Taniguchi
- 通讯作者:H.Taniguchi
Effects of coating thickness on characteristics of hot spot oxygen sensor consisting of GdB_<a2>C_<u3>O_<7-δ> coat and Gd_2B_aC_uO_5 core
涂层厚度对GdB_<a2>C_<u3>O_<7-δ>涂层和Gd_2B_aC_uO_5芯组成的热点氧传感器特性的影响
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Fujihara;Y.Kuroki;T.Okamoto;M.Takata
- 通讯作者:M.Takata
AINセラミックスの透光性に及ぼす焼成条件の影響
烧成条件对AlN陶瓷透光性的影响
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:本間隆行;黒木雄一郎;岡元智一郎;高田雅介;金近幸博;東正信;谷口人文
- 通讯作者:谷口人文
Gd_2BaCuO_5の芯を有するGdBa_2Cu3O_<7-δ>線材を用いたホットスポット酸素センサ
使用带 Gd_2BaCuO_5 芯的 GdBa_2Cu3O_<7-δ> 线的热点氧传感器
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤原信吾;黒木雄一郎;岡元智一郎;高田雅介
- 通讯作者:高田雅介
炭化ケイ素線材の通電加熱によるナノカーボンの生成に及ぼす外部電界の影響
外电场对碳化硅丝电流加热生成纳米碳的影响
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:岡元智一郎;山下貴之;諏佐俊輔;高田雅介
- 通讯作者:高田雅介
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
OKAMOTO Tomoichiro其他文献
OKAMOTO Tomoichiro的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('OKAMOTO Tomoichiro', 18)}}的其他基金
Carbon fiber sheet for snow melting prepared by carbonization of Japanese paper
日本纸碳化制备的融雪用碳纤维片材
- 批准号:
16K12853 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Development of analysis of oxide ion diffusion to realize high-speed response for hot spot oxygen sensor
开发氧化物离子扩散分析以实现热点氧传感器的高速响应
- 批准号:
24656255 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
電極積層構造制御による二次元半導体のショットキー障壁制御
通过控制电极堆叠结构控制二维半导体中的肖特基势垒
- 批准号:
24KJ0622 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ポテンシャルを精密に制御した半導体量子井戸構造中の熱電子冷却に関する研究
电势精确控制的半导体量子阱结构热电子冷却研究
- 批准号:
24KJ0678 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体用放熱材への応用を考慮した高熱伝導性高分子液晶の創成と熱伝導機構の解明
考虑用作半导体散热材料的高导热聚合物液晶的创建和热传导机制的阐明
- 批准号:
24K08082 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドットの電子・核スピン相関時間と四極子効果の変調による核偏極の自在制御
通过调制半导体量子点中电子/核自旋相关时间和四极效应自由控制核极化
- 批准号:
24K08189 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
テラヘルツ波で駆動する半導体及び遷移金属のスピン流の時空間分解観測と精密測定
太赫兹波驱动的半导体和过渡金属自旋电流的时空分辨观测和精确测量
- 批准号:
24KJ0572 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
薄膜半導体による高エネルギー量子ビーム計測の新展開
利用薄膜半导体进行高能量子束测量的新进展
- 批准号:
24K07078 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドット集合系での超蛍光発生機構における量子揺らぎの観測と制御
半导体量子点组装系统中超荧光产生机制中量子涨落的观测与控制
- 批准号:
24K06929 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
アモルファス有機半導体の特異な分子レベルの電荷局在とその観察
非晶有机半导体中独特的分子级电荷定位及其观察
- 批准号:
24K00931 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高速光ファイバー無線システムのための偏波無依存アンテナ集積半導体光変調器の実現
高速光纤无线系统偏振无关天线集成半导体光调制器的实现
- 批准号:
24K01381 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
不飽和半導体-金属ナノ粒子光触媒によるCO2から各種C2,3生成物への自在で精密な制御
使用不饱和半导体-金属纳米粒子光催化剂灵活精确地控制CO2生成各种C2,3产物
- 批准号:
24K01522 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 12.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)