Control of carrier number and Mott criticality in strongly correlated organic conductors with molecular defects by irradiation

通过辐照控制具有分子缺陷的强相关有机导体中的载流子数量和莫特临界性

• 批准号: 20340085
• 负责人: SASAKI Takahiko
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20340085/
• 关键词: 強相関電子系; 有機導体; 物性実験; 低温物性; 分子性導体; モット絶縁体; 光学伝導度; エックス線照射; アンダーソン局在; キャリアドープ; 有機超伝導体; 公子性導体

We have explored the disorder effect on the strongly correlated electron system with a bandwidth controlled metal-Mott insulator transition in the molecular dimer-Mott insulators irradiated by X-ray for introducing molecular defects. We found that Anderson localization arose with smaller disorder in approaching to the Mott critical phase transition point from both the metal and Mott insulator sides.

在x射线辐照的分子二聚体- mott绝缘体中，通过带宽控制金属- mott绝缘体跃迁，探讨了引入分子缺陷对强相关电子系统的无序效应。我们发现，从金属和莫特绝缘体两侧接近莫特临界相变点时，安德森局域化的混乱程度较小。

项目成果

エックス線照射による有機電荷移動錯体の金属化

X 射线照射有机电荷转移配合物的金属化

• 发表时间: 2009
• 期刊: 未来材料 9
• 作者: A. Ochiai;S. Matsuda;Y. Ikeda;Y. Shimizu;S. Toyoshima;H. Aoki and K. Katoh;佐々木孝彦
• 通讯作者: 佐々木孝彦

Disorder effects on the Mott transition in organic conductors

无序对有机导体莫特跃迁的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: S.Kimura;M.Hagiwara;et al.;萩原政幸;T. Sasaki
• 通讯作者: T. Sasaki

分子性ダイマーモット絶縁体に現れる誘電異常

分子双臂绝缘体中出现介电异常

• 发表时间: 2010
• 作者: F.Kikuchi;K.Hara;E.Matsuoka;H.Onodera;S.Nakamura;T.Nojima;K.Katoh;A.Ochiai;佐々木孝彦
• 通讯作者: 佐々木孝彦

Enhancement of localization effect near Mott transition in κ-(BEDT-TTF)_2X

κ-(BEDT-TTF)_2X 中莫特转变附近定位效应的增强

• 发表时间: 2010
• 作者: T. Sasaki

金属材料の最前線 ブルーバックス(B1643)(東北大学金属材料研究所編著)

金属材料最前沿Bluebacks（B1643）（东北大学金属材料研究所编）

• 发表时间: 2009
• 作者: 姚遠昭;他;田代大志;佐々木孝彦
• 通讯作者: 佐々木孝彦