Growth and properties of metastable cubic group III nitride semiconductors by developing a surface structure control method
通过开发表面结构控制方法实现亚稳态立方III族氮化物半导体的生长和性能
基本信息
- 批准号:20360011
- 负责人:
- 金额:$ 12.06万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2010
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Preparation of an AlN double buffer layer (DBL) on a β-Si_3N_4 layer by the interfacial reaction between Al and the β-Si_3N_4 layer was developed by controlling two electrical discharge modes of the high frequency induction coupling electrical discharge in molecular-beam epitaxy (MBE) method. Activity modulation migration enhanced (AM-MEE) method was established as a continuous MBE method by preparing the AlN/β-Si3N4/Si DBL layer firstly. In addition, the prospect to the growth of thermodynamically metastable cubic crystals, AlN and GaN epitaxial films on Si substrates was able to be obtained by the AM-MEE method.
通过控制分子束外延高频感应耦合放电的两种放电方式,通过Al与β-Si3N4层的界面反应,在β-Si3N4层上制备了AlN双缓冲层。首先制备了AlN/β-Si3N4/SiDBL层,建立了一种连续分子束外延的活性调制迁移增强方法。此外,AM-MEE方法对在Si衬底上生长热力学亚稳立方晶体、AlN和GaN外延薄膜的前景进行了展望。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Possibility of AlN growth using Li–Al–N solvent
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2010.04.014
- 发表时间:2010-09
- 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:Y. Kangawa;K. Kakimoto
- 通讯作者:Y. Kangawa;K. Kakimoto
Crack in HVPE grown 2H-AlN films on AlN templatesprepa red by PA-MBE using AM-MEE
使用 AM-MEE 通过 PA-MBE 在 AlN 模板上制备红色 HVPE 生长的 2H-AlN 薄膜中的裂纹
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T.Ohachi;N.Yamabe;Y.Yamamoto;H.Murakami;Y.Kumagai;A.Koukitu
- 通讯作者:A.Koukitu
Differential thermal analysis of Li3N-Al pseudobinary system for AlN growth
用于 AlN 生长的 Li3N-Al 准二元体系的差热分析
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Tomoe Yayama;Y.Kangawa;K.Kakimoto
- 通讯作者:K.Kakimoto
Nitrdation of Si(111) for growth of 2H-AlN(0001)/β-Si3N4/Si(111)structure
Si(111) 氮化生长 2H-AlN(0001)/β-Si3N4/Si(111) 结构
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y.G.Shi;Y.F.Guo;S.Yu;M.Arai;A.A.Belik;A.Sato;K.Yamaura;E.Takayama-Muromachi;T.Varga;J.F.Mitchell;原口和敏;N.Yamabe
- 通讯作者:N.Yamabe
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Study on Single Crystal Growth by Solid State Recrystallization using Defect Sulfide Spinel Compounds
利用缺陷硫化物尖晶石化合物固态重结晶生长单晶的研究
- 批准号:
03452294 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 12.06万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)