Fabrication of high-quality gate oxide at low temperature by evaporation of SiO nanopowder for flexible ICs

通过 SiO 纳米粉末蒸发在低温下制备用于柔性 IC 的高质量栅极氧化物

• 批准号: 20360137
• 负责人: NOZAKI Shinji
• 金额: $ 11.81万
• 依托单位: The University of Electro-Communications
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360137/
• 关键词: シリコン; 低温酸化膜; 界面準位; フレキシブル基板; ゲート酸化膜; 光酸化; 真空蒸着; ナノ粉末; 低温作製; quasi-static C-V; 界面準位密度; シリコン酸化膜; 紫外光; MOS; 真空紫外光; SiOナノ粉末; C-t; 酸化; SiO_2; C-V

The objective of the project is to deposit or grow the high-quality gate oxide for Si MOSFETs at temperatures of 200℃or lower. The process consisting of vacuum evaporation of SiO nanopowder, UV steam oxidation at 200℃and post metallization anneal in forming gas at 200℃has been successfully established to make the high-quality gate oxide with an interface state density of 4. 4×1011cm-2eV-1

该项目的目标是在200℃或更低的温度下存款或生长用于Si MOSFET的高质量栅极氧化物。采用真空蒸镀纳米SiO粉、200℃紫外蒸汽氧化和200℃混合气体退火工艺，成功制备出界面态密度为4. 5的高质量栅氧化层。4×1011cm-2eV-1

项目成果

Photoluminescence of Sinanocrystals formed by the photosynthesis

光合作用形成的纳米晶体的光致发光

• 发表时间: 2008
• 期刊: Thin Solid Films
• 影响因子: 2.1
• 作者: S. Nozaki;C. Y. Chen;S. Kimura;H. Ono;and K. Uchida
• 通讯作者: and K. Uchida

Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis

光合作用形成的硅纳米晶体的光致发光

• 发表时间: 2008
• 期刊: Thin Solid Films 517
• 作者: S.Nozaki;C.Y.Chen;S.Kimura;H.Ono;K.Uchida
• 通讯作者: K.Uchida

SiOナノ粒子への光照射によるシリコンナノ結晶の形成機構

光照射SiO纳米粒子形成硅纳米晶的机理

• 发表时间: 2009
• 作者: 杉本真矩;小泉淳;小野洋;内田和男;野崎真次
• 通讯作者: 野崎真次

SiOナノ粉末への光照射によるSiナノクリスタルの形成機構

光照射SiO纳米粉体形成Si纳米晶的机理

• 发表时间: 2010
• 作者: 杉本真矩;小泉淳;小野洋;内田和男;野崎眞次
• 通讯作者: 野崎眞次

真空紫外光照射によるSi/SiO2界面構造の改質

真空紫外光照射对Si/SiO2界面结构的改性

• 发表时间: 2010
• 作者: 山崎政宏;小泉淳;小野洋;内田和男;野崎眞次
• 通讯作者: 野崎眞次