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Fabrication of high-quality gate oxide at low temperature by evaporation of SiO nanopowder for flexible ICs

Fabrication of high-quality gate oxide at low temperature by evaporation of SiO nanopowder for flexible ICs
通过 SiO 纳米粉末蒸发在低温下制备用于柔性 IC 的高质量栅极氧化物
批准号：
20360137
负责人：
NOZAKI Shinji
金额：
$11.81万
依托单位：
The University of Electro-Communications
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2011
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360137/
关键词：
シリコン低温酸化膜界面準位フレキシブル基板ゲート酸化膜光酸化真空蒸着ナノ粉末低温作製quasi-static C-V界面準位密度シリコン酸化膜紫外光MOS真空紫外光SiOナノ粉末C-t酸化SiO_2C-V

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The objective of the project is to deposit or grow the high-quality gate oxide for Si MOSFETs at temperatures of 200℃or lower. The process consisting of vacuum evaporation of SiO nanopowder, UV steam oxidation at 200℃and post metallization anneal in forming gas at 200℃has been successfully established to make the high-quality gate oxide with an interface state density of 4. 4×1011cm-2eV-1
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会议论文
Photoluminescence of Sinanocrystals formed by the photosynthesis
光合作用形成的纳米晶体的光致发光
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Thin Solid Films
影响因子： 2.1
作者： [S. Nozaki, C. Y. Chen, S. Kimura, H. Ono, and K. Uchida]
通讯作者： and K. Uchida
Photoluminescence of Si nanocrystals formed by the photosynthesis
光合作用形成的硅纳米晶体的光致发光
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Thin Solid Films 517
影响因子： --
作者： [S.Nozaki, C.Y.Chen, S.Kimura, H.Ono, K.Uchida]
通讯作者： K.Uchida
SiOナノ粒子への光照射によるシリコンナノ結晶の形成機構
光照射SiO纳米粒子形成硅纳米晶的机理
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [杉本真矩, 小泉淳, 小野洋, 内田和男, 野崎真次]
通讯作者： 野崎真次
SiOナノ粉末への光照射によるSiナノクリスタルの形成機構
光照射SiO纳米粉体形成Si纳米晶的机理
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [杉本真矩, 小泉淳, 小野洋, 内田和男, 野崎眞次]
通讯作者： 野崎眞次
共 14 条
    Fabrication of ultra-high frequency diodes made of nickel oxide: Aiming for a photovoltaic application
    • 批准号：
      23656211
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      NOZAKI Shinji
    • 依托单位：
      The University of Electro-Communications
    Fabrication of Nanocrystal Memories by Position Controlled Deposition of Ge Nanocrystals
    • 批准号：
      14350183
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.54万
    • 财政年份：
      2002
    • 负责人：
      NOZAKI Shinji
    • 依托单位：
      The University of Electro-Ccmmunications
    Molecular beam Epitaxy of conjugated polymers and their application to electronics
    • 批准号：
      05452185
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $3.52万
    • 财政年份：
      1993
    • 负责人：
      NOZAKI Shinji
    • 依托单位：
      The University of Electro-Communications