メチルBN系低誘電率膜のLSI先端配線への応用

甲基BN基低介电常数薄膜在LSI先进布线中的应用

• 批准号: 20360160
• 负责人: 青木 秀充
• 金额: $ 11.65万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360160/
• 关键词: メチル窒化ホウ素; 低誘電率(Low-k); LSI配線; ドライエッチング; BCN; メチルBN; LowK; 配線; 低誘電率; 窒化ホウ素; LSI

これまでの成果として、窒化ホウ素(BN)薄膜にカーボン(C)を添加することによる窒化ホウ素炭素(BCN)薄膜において誘電率が低減することを示し、次世代LSI配線の層間絶縁膜として有効であることを示してきた。今回作製した「メチルBN薄膜」とは、BNを母体にメチル基(-CH3)が付いた薄膜のことである。また、メチルBN薄膜はこれまでに我々が作製してきたのBCN薄膜とは少し違い、カーボンの結合手に水素を付加しているため微小なナノスペース確保しており、誘電率(k<2)を下げる効果がある薄膜のことをいう。メチルBN薄膜をLSI配線における層間絶縁膜に用いるためには、熱特性やレジストアッシング時の耐酸素性が必要である。さらには加工が容易であることが不可欠である。今回、トリスジメチルアミノボロン(TMAB)ガスを原料にしてプラズマアシストCVD法によってメチルBN薄膜を作製した。メチルBN薄膜をドライエッチングによって加工し、熱処理前後の電気的特性の変化を評価した。また、メチルBN薄膜はCF系ガスによって加工が可能であることを見出した。従来に用いられている層間絶縁膜(SiOC系薄膜)とメチルBN薄膜との比較を行い、メチルBN薄膜の優位性を示した。また、LSIプロセスにおいては化学的機械研磨(CMP)用薬液を用いたウエットプロセスについて評価を行い、メチルBN薄膜が耐薬品性にも優れることを示し、メチルBN薄膜が次世代LSI配線プロセスに応用が期待できることを示した。

これまでの成果として、窒化ホウ素(BN)薄膜にカーボン(C)を添加することによる窒化ホウ素炭素(BCN ) thin film is used to reduce the dielectric constant, and the next-generation LSI wiring is equipped with an interlayer insulating film that is effective and effective. This time, we will produce the した「メチルBN film」とは, BNを parent にメチル-based (-CH3) がいた film のことである.また, メチルBN film はこれまでに我々が燗てきたのBCN film とは小しvioliい, カーボンの Combined hand に水素をIt is a small and fine film that is guaranteed to be fine and has a low dielectric constant (k<2) effect. The use of メチルBN film and LSI wiring interlayer insulating film is not necessary, and the thermal properties are not necessary when it comes to acid resistance. It is easy to process the さらにはであることがcannot be owed to the である. This time, Toruリスジメチルアミノボロン(TMAB) raw materialにしてプラズマアシストCVD method によってメチルBN film is produced by した.メチルBN film をドライエッチングによって processing し, the characteristics of electricity before and after heat treatment の変 change を価した. The processing of また, メチルBN film and CF series ガスによって is possible and the であることを见出した. We used Sioc interlayer insulating films (SiOC-based films) and silica BN films to compare and demonstrate the superiority of silica BN films.また、LSI プロセスにおいてはChemical Mechanical Polishing (CMP) Use the solution of the liquid to use the liquid and use it The BN film's excellent resistance to corrosion has been demonstrated, and the BN film's performance in next-generation LSI wiring is expected to be excellent.

项目成果

Annealing effect of methyl-boron carbon nitride film after dry etching

甲基硼氮化碳薄膜干法刻蚀后的退火效果

• 发表时间: 2010
• 作者: Hidemitsu Aoki;Makoto Hara;Takuro Masuzumi;Zhiming Lu;Makoto Nishizaki;Chiharu Kimura;Takashi Sugino
• 通讯作者: Takashi Sugino

Suppression of Cu Oxidation using Environmentally FriendlyInhibitors in the Ambience of High Temperature and High Humidity for Cu/Low-K. .

Cu/Low-K 在高温高湿环境下使用环保抑制剂抑制 Cu 氧化。

• 发表时间: 2008
• 作者: M. Hara;D. Watanabe;C. Kimura;H. Aoki;T. Sugino
• 通讯作者: T. Sugino

低温ドライエッチングを用いたMethyl-BCN膜の特性評価

低温干法刻蚀甲基-BCN薄膜特性评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 原誠;増住拓朗;呂志明;青木秀充;木村千春;杉野隆
• 通讯作者: 杉野隆

Properties of Boron Carbon Nitride(BCN)mm after plasma ashing.

等离子灰化后碳氮化硼（BCN）mm 的性能。

• 发表时间: 2008
• 作者: M. K. Mazumder;H. Aoki;T. Masuzumi;M. Hara;N. Ooi;D. Watanabe;C. Kimura;M. Fukagawa;M. Umeda;M. Kusuhara;T. Sugino.
• 通讯作者: T. Sugino.

メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性

RF 偏压导致甲基 BCN 薄膜的薄膜质量依赖性

• 发表时间: 2009
• 期刊: 電子情報通信学会(電子デバイス研究会) 109(81)
• 作者: 増住拓朗;原誠;青木秀充;呂志明;木村千春;杉野隆
• 通讯作者: 杉野隆